集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响，即便处于传统NAND Flash的淡季，各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨，2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈
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NAND 东芝
开年以来大陆半导体产业发展似乎进入沉潜期。首先是年初长江存储CEO杨士宁郑重发布新闻稿澄清，表示从未发表过32层3DNANDFlash今年量产的消息。接下来是中芯国际董事长周子学表达的大陆半导体产业发展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的时间，大陆才能发展出比较有市场竞争力的企业主体。再来是最近紫光集团表示，由于长江存储的存储器芯片工厂专案投资规模过大，目前尚处于建设初期，短期无法产生销售收入，时机不成熟，停止收购长江存储的股份。虽然似乎大陆整个半导体产业持续其发展动能，但
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摩尔定律 NAND
DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年，许多客户抢货，已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出，未签订长约的客户，内存供货将短缺，冲击产品上市或出货时程。
集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告，强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态;NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现，缺货问题更严重。
业界表示，三大内存应用范围广，尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件，虽然单价远比DRAM
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NAND DRAM
在2017年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上，可见各主要NAND Flash供应商持续推出更新式存储器芯片以期能主导竞争优势，几乎各主要供应商也都在谈论简化Flash储存系统内建软件的必要性，以减少应用在资料中心时出现的延迟问题，以及试图定义固态硬盘(SSD)全新尺寸标准，另值得注意的是，本届大会上甚至连主要硬盘(HD)制造商，都已几乎不在主题演说中提及硬盘相关技术资讯或发展趋势。
根据科技网站EE Times报导，在本届大会上，三星电子(Samsung Electr
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存储器 NAND
3D NAND比平面NAND更昂贵，但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，这是为什么呢?
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3D NAND 存储器
对大多数人来说，微芯片是一些长着小小的金属针，标着看似随机的字母或数字的字符串的黑盒子。但是对那些懂的人来说，有些芯片就像名人一样站在红毯上。有许多这样的集成电路直接或间接地为改变世界的产品赋能，从而得到荣耀，也有一些芯片对整个计算环境造成了长期的影响。也有一些，它们的雄心壮志失败后成为警世的故事。 为了纪念这些伟大的芯片，并讲述它们背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了这个“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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FPGA NAND
三星计划在明年推出容量达1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘。
三星(Samsung)计划明年推出容量达1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其现有芯片的高密度固态硬盘(SSD)。 该公司并表示，去年发表的Z-NAND产品也开始出样，据称这款产品能够达到媲美或超越英特尔(Intel) 3DXP内存的低延迟能力。
三星的Tbit NAND可支持高达每秒1.2Gbits的数据速率，并在一个堆栈32颗裸晶的封装中支持高达4
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V-NAND NVMe
相较于2.5寸SATA，M.2的SSD有着非常明显的体积优势，如果总线走PCIe，速度上更是完爆。
在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
三星表示，今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品，即一整颗芯片封装16Tb Die，继续减小体积。
如此精巧之后，连传统M.2 2242(NGFF)的电路板型都用不到了，三星据此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 标准。
其
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三星 V-NAND
日刊工业新闻7日报导 ，为了提高3D架构的NAND型闪存(Flash Memory)产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步，东芝(Toshiba)将进一步祭出增产投资，计划在日本岩手县北上市兴建新工厂，该座新厂预计于2018年度动工、 2021年度启用，总投资额将达1兆日圆的规模。 东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房「第6厂房」。
该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司「东芝内存(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)」负责
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东芝 NAND
RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM(下面蓝色字体的这几种)都可以统称RAM，random access memory(随机存取存储器)的缩写，下面是51hei.com为大家整理的目前所有的存储器的区别。 SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做C
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DRAM NAND
根据韩国英文媒体 《The Korea Times》 的报导，三星副总裁权五铉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韩国政府喊话，要韩国政府给予半导体产业更多的支持，以解决人才荒的问题。
报导中指出，目前是三星副总裁，也是领导三星显示器部门的权五铉，日前在一项公开演讲中指出，韩国的半导体产业自认为有其竞争的实力。 不过，却面临当当前半导体人才不足的问题。 权五铉进一步指出，半导体产业是第 4 次工业革命的重要基础，因此希望韩国政府能藉由科技培训的管道，持续为半导体与设备产业供应需要的人才。
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三星 NAND
受NAND Flash供货紧张影响，以及数据中心、企业、移动设备等领域SSD强劲需求，2017年上半年NAND Flash价格持续走高。根据ZDC统计，NAND Flash价格累计涨幅达26%，消费类每GB销售价格突破了0.3美金。
2017年上半年，中国市场智能手机、平板电脑等移动设备需求出现下滑，再加上NAND Flash的价格持续走高，高价压力下的SSD市场呈现一片低迷景象。但随着6月份需求旺季的到来，固态硬盘的关注度有所回升。
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固态硬盘 NAND
IC Insights的报告显示，DRAM及NAND Flash售价已经连续四个季度上涨。
不过因为原厂纷纷提出扩产计划，IC Insights稍早忧心忡忡认为，未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储，都大举提高3D NAND Flash产能，大陆还有新建厂商也会加入战场，3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。
近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元，进行3D NAND Flash和DRAM两大内存
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DRAM NAND
韩国三星电子有限公司本周二表示，计划在韩国投资至少21.4万亿韩元(约合186.3亿美元)，以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。
作为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时，三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。
近年来，三星、东芝和SK海力士已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的
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NAND 三星
ICinsights认为，全球内存下半年价格上涨动能可能减缓，包含DRAM与NAND闪存均是如此。
尽管涨势减缓，但DRAM与NAND今年营收预料仍将创新高记录，这完全都是拜先前平均售价快速上涨之赐。 以DRAM为例，DRAM平均售价今年预估年涨幅高达63%，此为1993年有记录以来之最。
内存价格从去年第三季起涨，ICinsights预期动能可能持续至2017年第三季，第四季可能微幅转负，为这波正向循环划下休止符。
ICinsights指出，随着价格走扬，内存制造商也再次增加资本投
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DRAM NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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