根据 SEMI (国际半导体产业协会) 的最新研究数据表示，当前中国正掀起兴建晶圆厂的热潮，预估 2017 年时，中国兴建晶圆厂的支出金额将超过 40 亿美元，占全球晶圆厂支出总金额的 70%。而来到2018年，中国建造晶圆厂相关支出更将成长至 100 亿美元，而其中又将以晶圆代工占其总支出的一半以上。
SEMI 中国台湾地区产业研究资深经理曾瑞榆指出，2017 年全球半导体产产值可望达到 7.2% 的年成长率。其中，存储为其中成长的关键。而未来 5 年之内，全球半导体产业仍将持续成长，到了 2
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晶圆 NAND
赛普拉斯半导体公司旗下子公司，高速、高容量和免电池非易失性存储器解决方案领先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式发布其符合JEDEC标准的AGIGARAM® DDR4 NVDIMM-N系列解决方案。该解决方案与AgigA业界领先的在JEDEC 标准发布之前就已量产的传统DDR4 NVDIMM产品一起，为最新公布的NVDIMM-N解决方案JEDEC标准(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交钥匙式模块产品和控制器解决方案。 Ag
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赛普拉斯 NAND
在上海一场以“匠心独运，卓越创芯”为主题的IC技术峰会上，长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中，他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题，作了深刻的分析。
为什么中国要发展存储产业
在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前，杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析。根据他的说法，在全球的半导体存储产品中，NAND 和
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存储器 NAND
在2015、2016连续两年下跌后，DRAM和NAND Flash存储器平均销售价格(ASP)正稳健走扬，研究机构IC Insights认为，此将有助推升2017年存储器市场销售规模，预估整体产值可达853亿美元新高纪录，较2016年成长10%;2020年更可望首度攀至千亿美元大关。
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DRAM NAND
或许是巧合!12月30日，长江存储的国家存储器基地与华力二期12英寸生产线这两个持续受到业界关注的重大项目，同日举行了开工启动仪式。
长江存储是国内最大的存储器项目之一，瞄准3D NAND技术，建成后将扭转我国存储器有市场无产品的窘境;华力微电子12英寸生产线建设项目则是“909工程”的二次升级改造，将建设逻辑芯片的代工生产线，建成后将使我国拥有从0.5微米到14纳米各工艺节点的生产平台，追赶国际先进水平。
随着《国家集成电路产业发展推进纲要》的推进，中国IC业
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集成电路 NAND
中国紫光集团宣布，投入快闪记忆体战场，在武汉兴建全球规模最大厂房，总投资金额超过240亿美元，引发产业界震撼。
紫光集团董事长赵伟国：“我们在武汉投资两百四十亿美金的芯片工厂，已经正式动工，昨天我刚刚在成都，和四川省签下了两千亿的协议。我们会在那里投资一个，也是一个超过两百亿美金芯片的工厂”
2016年12月，紫光集团赵伟国，布局半导体战略，先是与成都市、新华集团共同签署战略合作协议，要在四川打造百亿云计算中心。
12月30日，紫光宣布动工，兴建三座全球最大3
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紫光 NAND
现在行业内的存储玩家都不想看到三星持续一家独大的现状，中国这波掀起对存储格局的改变，或许会吸引其他相对弱势的厂商给中国提供支持。
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存储路 NAND
2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年。
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆叠顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。
DRAMeXch
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NAND TrendForce
SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
美国记忆体晶片大厂美光科技(Micron)财务长Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference时表示，该公司在3D NAND记忆体生产上已取得重要历程碑。
科技网站AnandTech报导，Maddock表示，虽然目前2D NAND晶片生产数量仍高于3D，但就记忆体总容量而言，3D NAND产能的总容量已高于2D产品。
据悉，美光2D和3D NAND生产采用完全不同的技术。 2D NAND生产依赖于光刻(lithography)技术，3D NA
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美光 NAND
“三维闪存需要挑战200层左右的存储单元积层”。东芝代表执行董事副社长兼存储与电子元器件解决方案公司社长成毛康雄在2016年12月14日开幕的半导体相关展会“SEMICON Japan 2016”(东京有明国际会展中心)的“半导体高端论坛”上登台发言，并如此介绍了该公司的三维闪存(3D NAND)高密度化战略。
成毛以对比15nm工艺2D NAND(二维闪存)的形式，介绍了东芝供应的3D NAND“BiCS FL
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东芝 NAND
今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。
对于3D NAND闪存，我们并不陌生，现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存，不论是性能还是容量或者是写入寿命，3D NAND闪存都要比传统2
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美光 NAND
DRAMeXchange最新研究显示，受惠于强劲的智慧型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年最高峰，各产品别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年第1季，届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。
今年第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9～13%，企业级与用户级SSD合约价也上涨5～10%。
DRAM
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NAND SSD
三星在手机市场遭遇一定挫折，不过由于全球手机的出货量成长以及对更大容量的内存和存储的需求却让它在NAND Flash市场成为大赢家，据TrendForce的数据显示营收同比增长20.6%，市占率提升到36.6%创下新高。
目前3D NAND技术正日益受到各方的欢迎，由于它相较2D NAND技术可以提供提高存储器的容量及宽度，在采用更低工艺的情况下却可以提供远比工艺更高2D NAND技术数倍容量，例如采用16nm工艺的2D NAND存储器容量为64GB，而采用21nm工艺的三星 48层3D NAN
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Intel NAND
三星凭藉着技术优势，NAND快闪存储器市占率逐季甩开东芝等竞争者的纠缠，龙头位置越座越稳。
市调机构DRAMeXchange最新数据显示，三星第三季NAND存储器营收来到37.44亿美元，市占率较前季进步0.3个百分点至36.6%。(韩国经济日报)
同期间，东芝NAND存储器营收为20.26亿美元，市占率较前季下滑0.3个百分点成为19.6%，落后三星幅度从前季的16.2%扩大至16.8%，此为历史新高水平。
刚完成并购SanDisk的Western Digital市占率达17.1%
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三星 NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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