- 南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织,将DRAM、NAND Flash、CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运,事业群自行加强竞争力,而SK海力士
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SK海力士 DRAM NAND
- 全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求,预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成,且跌势恐将一直延续至2018年。市调机构IHS iSuppli最
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三星 东芝 NAND Flash
- 根据研调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示,NAND Flash合约价在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬续跌5~10%,亦即8月合约价较7月重跌11~18%
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存储器 NAND Flash芯片
- 韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比,具有包
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3D垂直闪存 V-NAND 固态硬盘
- 三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升,节省电力消耗,并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固态盘
- 现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展,我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop,I
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3D NAND SSD 存储技术
- 随着DRAM和NAND技术持续迈向更先进几何制程与多层次存储器的道路,IC Insights密切观察有关DRAM和NAND供应商的最新动态,期望能提供更清楚的DRAM/NAND发展
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NAND DRAM
- 市调机构集邦科技旗下存储器储存事业处DRAMeXchange调查显示,第4季各项NAND Flash终端需求确立旺季不旺,加上厂商库存水位依旧偏高,采购意愿薄弱,
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NAND Flash
- 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切关注之下,2D或者说平面NAND仍将在3D技术普及之前继续统治存储领域。作为佐证,美光(Micron)公司有意将这套已出现两
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美光 企业级闪存 NAND
- 如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转,关于使用烧录器烧录Nand Flash,一直都是很多用户头疼的难点,他们强调已经使用了正确的坏块管理方案,也制定了规范的操作流程,但是烧录的良品率还是无法提高,只能每天眼睁睁看着一盘盘“废品”被烧录器筛选出来!
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烧录 SmartPRO 6000 Nand Flash
- 最近随着SSD采用3D NAND Flash出货比重越来越高,许多半导体厂商也开始吹起了3D NAND Flash投资热潮。其中,又以三星电子率先在这场竞争中获益最多,取得领先地位。
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3D NAND 三星
- 存储器作为四大通用芯片之一,发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言,存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生,哪里有数据,哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展,存储产业与信息安全等亦息息相关。
当前,我国笔记本、智能手机出货量均居全球首位。华为、联想等厂商崛起,以及阿里巴巴、腾讯、百度等互联网厂商带动数据中心爆发,使得国产厂商对存储需求量巨大。
相关数据显示,2015年大陆DRAM采购规模估计为120亿美元、NAND Flash采购规模为66.7亿美元
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3D NAND DRAM
- 美光(Micron)3D NAND固态硬碟(SSD)产品方才正式面市,紧接又宣布将推出首款针对移动装置最佳化的3D NAND产品,这也是美光首款支援通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS)标准之产品。
美光移动事业行销副总Gino Skulick在接受EE Times专访表示,美光为移动装置所推出的首款3D NAND为32GB产品,锁定中、高阶智能型手机市场,此区块市场占全球智能型手机总数的50%。
而这也是业界首款采用浮动闸极(Floating Gate)技
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美光 3D NAND
- NAND在今日储存市场中占有一席之地,而为了延长NAND的使用寿命,近来有研究提出,透过机器学习(Machine Learning)的应用,可让NAND的储存容量、耐久性以及资料保存达到最佳化。
InformationWeek网站报导,近期数位资料储存顾问机构Coughlin Associates于快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)揭露了一篇论文指出,NAND因重覆读写而使储存单元劣化、致使耐用度降低的情况,将可望因机器学习的应用而改善,使其生命周期延长。
一般来说
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NAND SSD
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR.
简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已达二Gb;NOR规格记忆体则类似DRAM,以储存程序代码为主,又称为Co deFlash,所以可让微处理器直接读取,但晶片容量较低,主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同,读写速度也有很 [
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