- 韩国两大存储器厂前进14纳米平面NAND Flash时代。三星电子(Samsung Electronics)传出将于2016年量产，而SK海力士(SK Hynix)则预定在新的一年结束研发作业，并导入量产体制。
韩媒ET News报导，三星14纳米平面NAND Flash研发已完成，将于2016年上半投产。三星预定于新年1月31日在美国旧金山所举办的ISSCC上，公开14纳米NAND研发成果。至于目前正在量产16纳米的SK海力士，也进入了14纳米NAND Flash的研发。据悉，SK海力士计划将
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三星 NAND
- 中国政府近来积极透过中资集团陆续收购或入资海外半导体公司，期建立自有半导体供应链。现阶段，逻辑晶片从设计、制造到封装测试皆已具雏型，反观记忆体领域则为主要发展缺口。资策会MIC认为，中资集团下一波购并目标将锁定NAND Flash控制晶片业者，并设法取得大规模制造产能，以补强记忆体产业发展。
资策会MIC产业顾问兼主任洪春晖表示，中国近期积极透过购并，来改善半导体自制比例过低的情形，现今中国在本土逻辑IC设计、晶圆代工、逻辑IC封测等产业链上，已有一定程度的发展，上述领域皆具有本土厂商或已与外商
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NAND Flash 芯片
- 个人电脑(PC)需求放缓严重打击了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超过60%的收入来自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC组件。在过去一年里，美光科技股价跌去了60%。利润和收入大幅下滑。利润率受到挤压。该公司定于周二公布的第一财季业绩料将凸显出艰难的经营环境。
不过从历史角度看，美光科技股价一直波动较大，周期性驱动的电脑芯片业务推动其股价起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)称，过去一年里，美光科技的客户一直在消化内存库存，预计这一
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美光 NAND
- 昨(18)日消息，被东芝(Toshiba)视为营运重建支柱的半导体部门新整编方案内容曝光，据悉东芝拟把在三重县四日市工厂进行生产的“NAND型快闪存储器(Flash Memory)”事业分拆出来，并考虑让其上市、筹措研发所需的巨额资金;另外，大分、岩手两县的工厂将藉由替其他厂商代工、来强化收益能力。
报导指出，东芝将在12 月21日公布以电视、PC 以及家电等事业为中心的合理化措施，可能将裁撤数千名员工，而半导体事业和核能、医疗用机器部门皆被东芝定位为核心事业，故东芝正急
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东芝 NAND
- 全球经济依旧前景不明，各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守，TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示，由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长，2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44%，然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发，整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2016年NAND Fl
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NAND Flash TLC
- NAND Flash记忆体在出厂时是允许部分晶片含有坏区块，或者好的区块中含有一些错误位元，因此在实际应用时，须搭配使用控制器，透过硬体与软体进行坏区块管理，以及利用错误更正编码(ECC)演算法修正错误位元，方能提升嵌入式系统储存效能。
NAND型快闪记忆体(NAND Flash) IC的技术演进快速，平均每1∼2年就前进一个制程世代来降低成本，在售价大幅下降情况下，愈来愈多嵌入式系统，例如：蓝光播放器、电视、数位相机、印表机等应用均采用NAND低成本的优势，取代原本使用的NOR型快闪记
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NAND Flash
- 有报道指出，中国清华紫光集团作为立场建立国内第一条闪存芯片代工体系的带头企业，目前正在积极探寻收购美国芯片技术厂商股权的可能性。
根据路透社方面的报道，清华紫光集团董事长赵卫国指出，他希望该集团能够在未来五年内成为全球第三大芯片制造商。而在今年11月底，该集团可能会与某家目前尚未确定的美国芯片企业达到股权收购协议。
赵卫国指出，考虑到美国政府方面的顾虑，清华紫光集团可能无法购买协议对象的大部分股权。
此前曾经有传闻称清华紫光有意收购美光公司，但由于美国政府认为该公司由中方持有可能造成
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紫光 NAND
- 有报道指出，中国清华紫光集团作为立场建立国内第一条闪存芯片代工体系的带头企业，目前正在积极探寻收购美国芯片技术厂商股权的可能性。
根据路透社方面的报道，清华紫光集团董事长赵卫国指出，他希望该集团能够在未来五年内成为全球第三大芯片制造商。而在今年11月底，该集团可能会与某家目前尚未确定的美国芯片企业达到股权收购协议。
赵卫国指出，考虑到美国政府方面的顾虑，清华紫光集团可能无法购买协议对象的大部分股权。
此前曾经有传闻称清华紫光有意收购美光公司，但由于美国政府认为该公司由中方持有可能造成
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紫光 NAND
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示，2015年第三季NAND Flash价格下滑速度加快，整体营收仅较第二季成长约2.4%。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第三季原先看好的旺季效应需求并未出现，来自于总体经济面的杂音让各种NAND Flash终端需求销售不如预期，也让第三季整体NAND Flash市场呈现供过于求的格局，价格下滑的力道加强也让业者营收成长与利润保卫也面临挑战，第四季供过于求的情况将持续，营收再度成长的动能也备受考验。
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NAND 美光
- 中国政府积极扶植半导体，南韩三星倍感威胁，最新数据显示三星 NAND 快闪记忆体的市占率被刚间接染红的 SanDisk 抢走，更让韩厂感受到红色供应链的威胁俨然已兵临城下。
DRAMeXchange 第三季统计数据显示，三星 NAND 记忆体市占率为 31.5%，较去年同期下滑 1.1 个百分点，与此同时，东芝上升 1.4 个百分点至 20.5%，Sandisk 更是成长 2 个百分点至 15.4%。(yonhapnews.com)
中国清华紫光集团目前为硬碟大厂 WD(Western D
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三星 NAND
- TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange最新调查报告显示，第三季NAND Flash价格下滑速度加快，整体营收仅较第二季成长约2.4%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第三季原先看好的旺季效应需求并未出现，来自于总体经济面的杂音让各种NAND Flash终端需求销售不如预期，也让第三季整体NAND Flash市场呈现供过于求的格局，价格下滑的力道加强也让厂商营收成长与利润保卫面临挑战，第四季供过于求的情况将持续，营收再度成长的动能也备受考验。
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NAND 三星
- 紫光集团董事长赵伟国表示，将暂时搁置对台湾科技公司的投资计画。紫光目前重点是五年内投资人民币3，000亿元(约新台币1.5兆元)，打造成为全球第三大晶圆制造厂，且目前正与美国一家芯片公司谈判中。
稍早赵伟国提出愿将旗下展讯、锐迪科与联发科合并，共同对抗美国芯片大厂高通，并布建“从芯到云”相关产业重要零组件，先前赵伟国来台，还曾密会NAND控制IC大厂群联董事长潘建成。
市场先前解读，赵伟国频频对台湾IC设计业释出友善态度，若日后陆资投资我IC设计业规范松绑，紫光结盟
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紫光 NAND
- 研究机构TrendForce表示，随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快，以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整，中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。
TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局，但长远来看，NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高，NAND Flash成为未来储存
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NAND Flash SSD
- 摘要：关于使用烧录器烧录Nand Flash，一直都是很多用户头疼的难点，他们强调已经使用了正确的坏块管理方案，也制定了规范的操作流程，但是烧录的良品率还是无法提高，只能每天眼睁睁看着一盘盘“废品”被烧录器筛选出来! 近日某电子科技有限公司的客户邮件反馈：使用我们的SmartPRO 6000F-Plus烧录MICRON厂家的TSOP48封装的Nand Flash MT29F2G08ABAEA，不良率比较高，甚至达到了10%的烧录不良率，而烧录SAMSUNG厂家
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SmartPRO NAND
- 半导体产业龙头英特尔(Intel)日前宣布与中国的大连市政府配合，将原先以65奈米制程生产处理器晶片的中国大连厂，转型为生产最新的3D-NAND Flash 晶片，总投资金额高达55亿美元，预计于明年下半年开始量产。
根据TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新公布数据，2015年整体中国市场NAND Flash总消耗量换算产值高达66.7亿美元，占全球产值29.1%，明年更可望达到全球NAND Flash产量的三分之一，成长幅度十分惊人。
DRAMeXchan
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Intel NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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