- 从一个经典明星案例到现在这种尴尬的路径，这是中美两国科技、全球经济危机、产业变迁、英特尔战略共同博弈下的一种结果。
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英特尔 Nand
- 半导体被列入重点培植产业，政府计划性的补贴下，全球市占率的日益攀升，产品竞争力快速成长，直接威胁了台湾、欧美厂商，全球主要晶圆代工业者已陆续在中国进行卡位战。
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晶圆 NAND
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新研究显示，由于中国大陆内需市场胃纳量庞大，在伺服器以及智慧型手机的出货需求持续攀升，预估今(2015)年中国内需市场在DRAM与NAND的总消化量换算产值高达120亿与66.7亿美元，分别占全球产值的21.6%与29.1%。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，从DRAM需求观察，近年来中国品牌不论在个人电脑或是智慧型手机领域出货量不断增长。其中，联想(0992.HK)在个人电脑市场与第一名的惠普出货量在伯仲之间，并稳居
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DRAM NAND
- 全球嵌入式系统解决方案领导者赛普拉斯半导体公司今日宣布推出面向高安全应用的单层单元(SLC)NAND闪存系列。此前，高安全应用的设计者一直使用带有分区保护的NOR闪存存储启动代码，并利用商用级SLC NAND闪存存储系统固件和应用。全新的赛普拉斯SecureNAND™闪存系列通过为机顶盒、POS机、可穿戴设备和其他高安全应用提供带有集成式分区保护特性的单一非易失性内存，可帮助用户降低系统成本，提高系统的安全性。
赛普拉斯SecureNAND系列包括1Gb、2Gb和4Gb闪存，所有
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赛普拉斯 NAND
- 《巴伦周刊》(Barron’s)报导指出，半导体厂商美光(Micron)尽管今年以来遭遇股价蒸发近半，但仍有许多投资人看多，原因在于订于今年问世 的两款记忆晶片──新一代3D NAND快闪记忆体与新款3D XPoint，锁定手机应用程式市场和大数据分析领域，料将大幅提升美光利润率。
两款晶片系与英特尔合作研发。前者料增进美光2016年营收与净利，而后者料自2018年起占美光营收比明显扩大。
有看多美光者预测，股价可能于1年间上涨逾6成，达每股30美元。较保守的假设为，1年间上涨
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美光 NAND
- 中国半导体研究机构芯谋研究 (ICwise) 4 日在《微博》放话，“这两天半导体产业会有重大新闻”，5 日正式发文，表示台湾南亚科总经理高启全将离职，加入中国紫光集团，负责半导体储存业务。消息一出，果然在台湾带来震撼。外界也好奇，近来动作频频的紫光集团，究竟有什么背景与能耐，在半导体行业到处“兴风作浪”?
■紫光发展简历
依紫光集团官网简介，紫光的前身是中国清华大学在 1988 年所成立的科技开发公司，并在 1993 年改组为清华紫光 (集
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紫光 NAND
- 东芝(Toshiba)财报不实风波虽未涉及目前东芝利润最高的NAND快闪存储器部门，但日媒体日经Tech-On访问日本半导体界人士，却表示长期终将损害快闪存储器产品竞争力。
目前东芝半导体事业主力NAND存储器产品，由于移动装置需求持续成长，销售量不断增大，为日本少数仍名列前茅且具世界竞争力的半导体产品;但这项产品需要大量资金持续投资才能保持领先，受企业财务状况影响比其他半导体产品更大。
现在东芝碰上财务问题，对NAND快闪存储器的投资必然受到影响，虽说新社长室町正志出身半导体事业，对这个
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东芝 NAND
- 鳍式电晶体(FinFET)与3D NAND有助实现更高运算/储存效能、低耗电量与低成本，满足车载装置、物联网和穿戴式装置发展需求，因此半导体设备商应用材料(Applied Materials)看好FinFET与3D NAND飞跃增长的潜力，已研发相关的蚀刻机台和磊晶技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆指出，随着先进制程发展，该公司产品开发有两大重点方向，一是电晶体与导线技术，另一个是图形制作与检测技术。
应用材料副总裁兼台湾区总裁余定陆表示，从28奈米到20奈米，甚至发展至16/14奈
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FinFET 3D NAND
- 内存大厂美光 14 日举办 2015 年夏季分析师会议(Analyst Conference)，会中宣布 2016 会计年度资本支出将增加为 53 亿至 58 亿美元，但尽管美光砸钱拚研发与产能，市场似乎对内存前景不具信心，当日股价仍小跌了 4%、77分美元，收在 16.93 美元。
美光财务长 Ernie Maddock 在会中公布 2016 会计年度的资本支出将达 53 亿至 58 亿美元。反观即将在本月底结束的 2015 年会计年度，资本支出仅介于 36 亿美元至 40 亿美元，再往回推至
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美光 NAND
- TrendForce旗下记忆储存事业处DRAMeXchange观察指出，2015年第二季由于NAND Flash业者对eMMC/eMCP、固态硬碟与产品策略的不同，营收、利润等的各项营运指标也有不一样的的呈现。各家业者除了加快15/16奈米与TLC导入eMMC/eMCP与固态硬碟等嵌入产品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash业者的3D-NAND Flash，也预期陆续自今年第四季开始小量生产。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，受到整体经济环境冲击，智慧型手机、平板电
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英特尔 NAND
- TrendForce旗下记忆储存事业处DRAMeXchange观察指出，2015年第二季由于NAND Flash业者对eMMC/eMCP、固态硬碟与产品策略的不同，营收、利润等的各项营运指标也有不一样的的呈现。各家业者除了加快15/16奈米与TLC导入eMMC/eMCP与固态硬碟等嵌入产品外，除了三星(Samsung)以外NAND Flash业者的3D-NAND Flash，也预期陆续自今年第四季开始小量生产。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，受到整体经济环境冲击，智慧型手机、平板电
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NAND 英特尔
- NAND闪存技术进入发展的死胡同，工程师开始集中开发3D NAND
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东芝 NAND
- 美光(Micron)与英特尔(Intel)合作非挥发性存储器(NVM)新技术3D XPoint，可取代既有DRAM和NAND Flash芯片，业界传出该技术不仅将导入固态硬碟(SSD)，台系NAND Flash控制芯片业者慧荣更已加入3D XPoint计划，成为首家控制芯片供应商，2016年抢先导入SSD。不过，相关消息仍待慧荣正式对外宣布。
存储器业者表示，包括美光和英特尔的IM Flash阵营对于3D XPoint技术并未揭露太多资讯，业界推测可能是一种称为可变电阻式存储器(ReRAM)的新
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DRAM NAND
- 南韩记忆体大厂SK 海力士周二宣布加入三星、东芝与美光等强敌之列，其3D NAND 快闪记忆体第三季将正式进入量产阶段，预计9月开始对客户出货。
快闪记忆体量产在2D平面微缩制程已遭遇瓶颈，因此走向3D立体堆叠已是大势所趋。据日经新闻报导，海力士将优先推出固态硬碟(SSD)用36层记忆体晶片试市场水温后，48层产品明年才会投产。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季财报逊于预期，受PC用DRAM需求低迷影响，当季营业利润仅1.37兆韩圜，低于分析师预估的1.44兆韩圜。 由于PC本季市况依旧
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海力士 NAND
- 几年前，SSD以其稳定、快速，不怕震动的特性，前进PC产业的储存市场，获得许多电脑玩家的青睐。只不过，当时SSD与HDD每GB的价格，换算下来仍有一段不小的价差。而现在，随着成本更低廉的TLC架构问世，SSD在价格方面已经逼近传统HDD。挟着NAND Flash稳定、高速、低耗能的优势特色，SSD不只在PC市场快速普及，下一步更将前进资料中心、数位看板、POS机等商用市场。
SanDisk：SSD全面进占资料中心
当云端应用已经成为重要产业趋势，相关的基础设备赶上这样的趋势，也成为了一种必
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SSD NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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