因应中国市场需求　Intel大连厂转生产3D NAND

　　半导体产业龙头英特尔(Intel)日前宣布与中国的大连市政府配合，将原先以65奈米制程生产处理器晶片的中国大连厂，转型为生产最新的3D-NAND Flash 晶片，总投资金额高达55亿美元，预计于明年下半年开始量产。

　　根据TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新公布数据，2015年整体中国市场NAND Flash总消耗量换算产值高达66.7亿美元，占全球产值29.1%，明年更可望达到全球NAND Flash产量的三分之一，成长幅度十分惊人。

　　DRAMeXchange研究协理杨文得表示，英特尔大连厂在2010年完工，原先规划以12寸晶圆搭配65奈米制程来生产中央处理器为主，但经营绩效不如预期。此次转型生产最先进的3D-NAND Flash，除了可以提升大连厂的生产绩效外，也可望搭上中国记忆体消耗量起飞的快速成长期，以及最重要的配合中国政府积极投入记忆体产业的大趋势，可谓是双赢的布局。

　　根据英特尔投资金额与大连厂的产能建置来评估，DRAMeXchange初步预估每个月至少可布建30,000-40,000片的3D-NAND Flash。英特尔在与美光共同开发3D-NAND Flash以及3D X Point等战略合作关系更加紧密的情况下，新增的大连厂3D-NAND Flash产能将提供美光英特尔阵营更有弹性的产能规划，来满足高成长的固态硬碟需求。

　　杨文得进一步表示，NAND Flash市场在今年第四季到明年第一季供过于求的格局将不会产生变化，但在NAND Flash产业低档时刻，中国政府仍积极加速推动中国本土NAND Flash与SSD供应链的布建(中国模组大厂江波龙与主控芯片厂Marvell战略合作、武汉新芯持续加速3D-NAND Flash的开发等)，并加强透过与国际NAND Flash大厂合作的串联契机(三星西安厂3D-NAND Flash产能明年可望提升每个月10万片的水准)，预期未来英特尔大连厂明年下半年完工后，中国NAND Flash市场将更为百花齐放。