“三维闪存需要挑战200层左右的存储单元积层”。东芝代表执行董事副社长兼存储与电子元器件解决方案公司社长成毛康雄在2016年12月14日开幕的半导体相关展会“SEMICON Japan 2016”(东京有明国际会展中心)的“半导体高端论坛”上登台发言，并如此介绍了该公司的三维闪存(3D NAND)高密度化战略。
成毛以对比15nm工艺2D NAND(二维闪存)的形式，介绍了东芝供应的3D NAND“BiCS FL
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东芝 NAND
今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。
对于3D NAND闪存，我们并不陌生，现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存，不论是性能还是容量或者是写入寿命，3D NAND闪存都要比传统2
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美光 NAND
DRAMeXchange最新研究显示，受惠于强劲的智慧型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年最高峰，各产品别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年第1季，届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。
今年第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9～13%，企业级与用户级SSD合约价也上涨5～10%。
DRAM
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NAND SSD
三星在手机市场遭遇一定挫折，不过由于全球手机的出货量成长以及对更大容量的内存和存储的需求却让它在NAND Flash市场成为大赢家，据TrendForce的数据显示营收同比增长20.6%，市占率提升到36.6%创下新高。
目前3D NAND技术正日益受到各方的欢迎，由于它相较2D NAND技术可以提供提高存储器的容量及宽度，在采用更低工艺的情况下却可以提供远比工艺更高2D NAND技术数倍容量，例如采用16nm工艺的2D NAND存储器容量为64GB，而采用21nm工艺的三星 48层3D NAN
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Intel NAND
三星凭藉着技术优势，NAND快闪存储器市占率逐季甩开东芝等竞争者的纠缠，龙头位置越座越稳。
市调机构DRAMeXchange最新数据显示，三星第三季NAND存储器营收来到37.44亿美元，市占率较前季进步0.3个百分点至36.6%。(韩国经济日报)
同期间，东芝NAND存储器营收为20.26亿美元，市占率较前季下滑0.3个百分点成为19.6%，落后三星幅度从前季的16.2%扩大至16.8%，此为历史新高水平。
刚完成并购SanDisk的Western Digital市占率达17.1%
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三星 NAND
驱动程序识别设备时，有以下两种方法： (1)驱动程序本身带有设备信息，比如开始地址、中断号等;加载驱动程序时，就可以根据这些信息来识别设备。 (2)驱动程序本身没有设备信息，但是内核中已经(或以后)根据其他方式确定了很多设备的信息;加载驱动程序时，将驱动程序与这些设备逐个比较，确定两者是否匹配(math)。如果驱动程序与某个设备匹配，就可以通过该驱动程序来操作这个设备了。 内核常使用第二种方法来识别设备，这可以将各种设备集中在一个文件中管理，当开发板的配置改变时，便于修改代码。在内核文件incl
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NAND 驱动
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收
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NAND Flash 英特尔
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固态硬盘)合约均价近一年来首度大涨，在MLC-SSD部分，季涨幅达6～10%，TLC-SSD部分则上涨6～9%。展望2017年第一季，虽然终端产品实际销售状况仍保守，但由于非三星阵营的原厂仍处于3D-NAND Flash转换阵痛期，及龙头厂商持续以提升获利为主要策略下，预估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合约价仍将持
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SSD NAND
日本存储器大厂东芝(Toshiba)主要的获利支柱的智能手机存储器因市场需求大，带动价格上扬，2016上半会计年度(4~9月)的财报也因而受惠，表现亮眼。
东芝财务长平田政善在11日东芝财报记者会上说明，由于大陆智能手机对于大容量存储器需求殷切，东芝NAND Flash事业获利超出预期。
平田表示，在当今智能手机大打硬件规格战，竞争激烈的情况下，大陆本土手机业者推出的手机较当初预期更早进入64GB、128GB阶段，是东芝始料未及的趋势。根据日经调查，目前市况单一标准规格存储器约3美元，价格
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东芝 NAND
据韩国经济报导，传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证，最快将从11月底正式启动量产;以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片，3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。
业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外，其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技术瓶颈，SK海力士将是第二家进入量产的业者。
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SK海力士 NAND
根据彭博社的报导，受惠于于储存晶片以及硬碟业务的营收成长，加上撙节计画的奏效，日本最大半导体生产公司东芝 (Toshiba) 于 31 日将公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的预期营业利益上调 36%，来到 950 亿日圆 (约新台币 285.83 亿元 )，似乎已经完全走出过去因作假帐所造成的经营低潮期。
根据报导，东芝在声明中表示，除了上调 2016 年上半年的预期营业利益之外，还同时微幅上调了上半年的预期营收，从 2.55 兆日圆上调至 2.58 兆日圆。根据彭博社的统计资料显示
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东芝 NAND
容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容量SSD将成为各式系统设备及消费者的优先选择。
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3D NAND SSD
慧荣科技全新主控解决方案为新生代SSD产品开发设计保驾护航
以相同的成本，却能达到倍增的容量，各家内存大厂对3D NAND创新技术的强力投入，预告了2017年将成为3D NAND固态硬盘(SSD)爆发成长的起点。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非挥发性内存高速规格)超高传输接口的普及登场。容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容
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NAND SSD
嵌入式系统的大量数据都存储在其F1ash芯片上。根据Flash器件的固有特性，构建一个适合管理NAND Flash存储器的FAT文件系统，并阐述具体的设计思想。
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Flash NAND FAT 文件系统
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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