- 驱动程序识别设备时，有以下两种方法： (1)驱动程序本身带有设备信息，比如开始地址、中断号等;加载驱动程序时，就可以根据这些信息来识别设备。 (2)驱动程序本身没有设备信息，但是内核中已经(或以后)根据其他方式确定了很多设备的信息;加载驱动程序时，将驱动程序与这些设备逐个比较，确定两者是否匹配(math)。如果驱动程序与某个设备匹配，就可以通过该驱动程序来操作这个设备了。 内核常使用第二种方法来识别设备，这可以将各种设备集中在一个文件中管理，当开发板的配置改变时，便于修改代码。在内核文件incl
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NAND 驱动
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收
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NAND Flash 英特尔
- TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固态硬盘)合约均价近一年来首度大涨，在MLC-SSD部分，季涨幅达6～10%，TLC-SSD部分则上涨6～9%。展望2017年第一季，虽然终端产品实际销售状况仍保守，但由于非三星阵营的原厂仍处于3D-NAND Flash转换阵痛期，及龙头厂商持续以提升获利为主要策略下，预估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合约价仍将持
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SSD NAND
- 日本存储器大厂东芝(Toshiba)主要的获利支柱的智能手机存储器因市场需求大，带动价格上扬，2016上半会计年度(4~9月)的财报也因而受惠，表现亮眼。
东芝财务长平田政善在11日东芝财报记者会上说明，由于大陆智能手机对于大容量存储器需求殷切，东芝NAND Flash事业获利超出预期。
平田表示，在当今智能手机大打硬件规格战，竞争激烈的情况下，大陆本土手机业者推出的手机较当初预期更早进入64GB、128GB阶段，是东芝始料未及的趋势。根据日经调查，目前市况单一标准规格存储器约3美元，价格
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东芝 NAND
- 据韩国经济报导，传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证，最快将从11月底正式启动量产;以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片，3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。
业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外，其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技术瓶颈，SK海力士将是第二家进入量产的业者。
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SK海力士 NAND
- 根据彭博社的报导，受惠于于储存晶片以及硬碟业务的营收成长，加上撙节计画的奏效，日本最大半导体生产公司东芝 (Toshiba) 于 31 日将公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的预期营业利益上调 36%，来到 950 亿日圆 (约新台币 285.83 亿元 )，似乎已经完全走出过去因作假帐所造成的经营低潮期。
根据报导，东芝在声明中表示，除了上调 2016 年上半年的预期营业利益之外，还同时微幅上调了上半年的预期营收，从 2.55 兆日圆上调至 2.58 兆日圆。根据彭博社的统计资料显示
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东芝 NAND
- 容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容量SSD将成为各式系统设备及消费者的优先选择。
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3D NAND SSD
- 慧荣科技全新主控解决方案为新生代SSD产品开发设计保驾护航
以相同的成本，却能达到倍增的容量，各家内存大厂对3D NAND创新技术的强力投入，预告了2017年将成为3D NAND固态硬盘(SSD)爆发成长的起点。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非挥发性内存高速规格)超高传输接口的普及登场。容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容
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NAND SSD
- 嵌入式系统的大量数据都存储在其F1ash芯片上。根据Flash器件的固有特性，构建一个适合管理NAND Flash存储器的FAT文件系统，并阐述具体的设计思想。
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Flash NAND FAT 文件系统
- 随着近段时间以来，固态硬盘、内存条甚至优盘等存储设备的大幅度一致性涨价，影响着存储设备涨价的背后关键性元件闪存颗粒，开始浮出水面，被越来越多的业内人士，反复解读。
那么，在价格上起着关键性因素的闪存颗粒到底是什么?闪存颗粒和存储设备的价格上涨又有什么关系?2D NAND和3D NAND闪存颗粒之间又有哪些区别?下面，我们一起来聊聊NAND闪存颗粒这些年。
闪存颗粒的释义及厂商
闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单
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NAND 存储器
- 随着嵌入式系统产品的发展，对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例，阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 摘要：由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预
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SSD 3D NAND
- 被广泛应用于手机、平板等数码设备中的Nand Flash由于工艺原因无法避免坏块的存在，但是我们可以凭借高科技变废为宝，将“坏块”进行有效的利用，从而满足我们的应用需求，让坏块不“坏”。
要想变废为宝，有效利用坏块。我们首先要弄明白什么是“坏块”，做到知己知彼，才能为我所用。坏块的特点是当编程或者擦除这个块时，不能将某些位拉高，从而造成编程和块擦除操作时的错误，这种错误可以通过状态寄存器的值反映出来。这些无效块无法确定编程时
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Nand Flash 寄存器
- 由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆
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3D NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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