- 三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。
新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。
市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储
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三星 3D NAND
- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，随后
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长江存储 NAND
- 3月1日，乐视宣布，对旗下乐Pro 3进行价格调整。在这之前，魅族、红米、努比亚已先后宣布了涨价措施……手机厂家纷纷执行涨价措施，往常都想用低价策略吸引用户的厂家们这次都是因为什么呢? 有没有朋友发现目前市场上的闪存类产品价格在悄悄增长，包括我们熟悉的U盘、内存、硬盘类产品，这些产品和近期纷纷宣布涨价的手机是否有什么关系呢? 关键在于它们都使用了一种核心器件：Flash Memory，也就是大家说的“闪存”，而这类器件由于目前生产减少，出现了供不应求的状况，导致其价格上涨，最终
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Nand 内存
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据) 工作原理 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。
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DRAM NAND
- 平面DRAM最重要也最艰难的挑战，是储存电容的高深宽比，为了要延长DRAM这种内存的寿命，在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。
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DRAM NAND
- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，
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NAND 东芝
- 市调机构集邦科技预期，今年储存型快闪存储器(NAND Flash)整年都将维持供应吃紧的情况，NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。
集邦科技调查，随着NAND Flash缺货达到高峰，产品平均售价走扬，加上终端出货畅旺，去年第4季NANDFlash产值达120.45亿美元，季增达17.8%，各NANDFlash厂获利也攀上去年高峰。
集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，稳居全球NAND Flash龙头地位;东芝市占率18.3%，居第2大厂;西部数据市占率17.7%，居第3大
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三星 NAND
- “首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开，长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法，及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。
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存储器 3D NAND DRAM 20170203
- 据海外媒体报道，去年下半年以来NANDFlash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2DNANDFlash产能转进3DNAND，但3DNAND生产良率不如预期，2DNAND供给量又因产能排挤缩小，NANDFlash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。
不过，随着3DNAND加速量产，下半年产能若顺利开出，将成为NANDFlash市场最大变数。
2DNANDFlash制程持续往1y/1z纳米进行微缩，如三星及SK海力士去年已转进14纳米，东芝及西部数据(WD)进入15纳米，美光导
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NAND 存储器
- 非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商CrossbarInc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。
根据Crossbar策略营销与业务发展副总裁SylvainDubois表示，专为嵌入式非挥发性内存(eNVM)应用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度与写入速度更高1，000倍，单芯片尺寸约200mm2左右，即可实现高达
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NAND ReRAM
- 据海外媒体报道，传三星电子于2017～2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。
Chosun Biz日前引述业界消息指出，三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议，2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资，皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。
三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的2
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三星 3D NAND
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查显示，东芝公司为提升半导体业务竞争力，已正式宣布将在今年三月三十一日前将完成分拆内存业务。预期分拆出来的新公司将有更多经营弹性及更佳的筹资能力，长期而言对东芝/西数(Western Digital)电子阵营在NAND Flash产能提升、产品开发均有所帮助。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，东芝公司这一做法，一方面为的是应付日渐沉重的产业竞争环境，另一方面是为缓解经营压力，并满足筹措营运资金的需求。从产业结构来看，DRAMeX
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东芝 NAND
- 据报道，东芝(Toshiba)惨亏，将分拆旗下赚钱的半导体部门，成立新公司，卖股筹钱。由于东芝是全球NAND Flash二哥，各方都兴趣浓厚。据传韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)有意投资，借此强化NAND Flash布局。
韩媒BusinessKorea 24日报导，业界专家表示，SK海力士可能会投资东芝独立出来的存储器公司，取得决定NAND Flash表现的控制器技术。东芝在NAND市场表现出色，去年第三季市占率为19.8%，仅次于龙头三星电子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 从2016年下半年开始，包括CPU、内存、屏幕、CMOS Sensor在内的众多电子元器件都进入了缺货周期，这样就给终端制造商带来了成本压力，最终这个压力就转移到了消费者身上，引起蝴蝶效应。
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DRAM NAND
- 随着全球对于手机、电脑、汽车等消费性产品需求持续增强，NAND FLASH始终处于供不应求的情况，特别是印度、印尼及越南等新兴智慧手机市场，当地消费者智慧手机持有率大增，进而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，预计2017年NAND FLASH全年供货仍将持续吃紧，特别是在第2、3季最为严重。
群联董事长潘建成表示，预计NAND FLASH今年将持续缺货，特别是在第2、第3季最为明显，原因在于手机、电脑、汽车等终端消费性产品需求仍旧强劲。因应此一情况，有些记忆体业者将部分产能转去做3D
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SSD NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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