- 东芝半导体事业各路人马抢亲，包括鸿海集团等展现高度意愿，东芝是群联大股东，对于东芝内存出售案，但长期和东芝半导体合作的群联董事长潘健成分析，东芝不可能被单一企业或公司买下。 他推断最后结果，将会由日本境内私募基金或现有股东拿下，仍会维持原有东芝控制权，再让部分策略合作伙伴持有少数股权入股。
潘健成强调，东芝半导体和早期的尔必达破产不一样，东芝半导体是东芝最赚钱的事业体，而且东芝的储存型闪存(NAND Flash)也是日本最引以为傲的技术，引发东芝财务危机的是核电事业，因此切割半导体事业独立新公司
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东芝 NAND
- 三星登上全球半导体龙头，不惜砸重金投入研发，传今年资本支出将大幅增加逾 10 兆韩圜。
新韩投资(Shinhan Investment Corp)日前发布报告预测，三星今年半导体资本支出将扩增至 24.5 兆韩圜(约 219.5 亿美元)，较 2016 年成长 85.6%，且将超越 2015 年的 14.7 兆韩圜成为三星史上新高。
存储器目前供不应求，也是三星今年布局的重点，预料将占据资本支出的一半左右。据新韩分析师预测，光是 NAND 快闪存储器，三星就将砸下 12.05 兆韩圜(约
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三星 NAND
- DIGITIMES Research观察，2D NANDFlash制程在物理限制下难度加剧，透过3DNAND Flash制程，无论是效能及储存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可谓为摩尔定律在半导体内存领域延伸的一项重要技术。
3D NAND Flash依存储元件储存机制可分浮动闸极(Floating Gate;FG)及电荷缺陷储存(Charge Trap;CT);依不同堆栈结构技术又可分为BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩尔定律 3D NAND
- 小时候并不知道为什么唐僧要取经,取的什么经?后来知道了,唐僧要的是所谓“大乘佛法”,简单说就是普度众生,救民于水火。既有这样的佛法,孙悟空何不多翻几个筋斗,快快取来就是,为什么非要肉体凡胎的唐僧不辞劳苦、跋山涉水呢?难道上天就没有好生之德吗?还要设置各种妖怪来捣乱,岂不是折腾人吗?
上天当然会有好生之德,这没有什么好怀疑的。至于为什么折腾唐僧,并不是上天要以此为乐,所谓天机不可泄漏,九九八十一难其实就是真经的一部分,对吗?
其实现实生活也是如此。
前不久,美国
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晶圆 NAND
- 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果虐的够呛(主要是指国内市场份额)，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。为了让国产闪存有更好的发展，不少公司都在努力。挖来台湾DRAM教父高启全后，紫光旗下的长江存储开始全速狂飙。
近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。对于目前行业的现状，高启全强调国内公司应该台湾公司在存储芯片上应该合作，因为大家的最大
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紫光 NAND
- 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果虐的够呛(主要是指国内市场份额)，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。为了让国产闪存有更好的发展，不少公司都在努力。挖来台湾DRAM教父高启全后，紫光旗下的长江存储开始全速狂飙。
近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
对于目前行业的现状，高启全强调国内公司应该台湾公司在存储芯片上应该合作，因为大
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紫光 NAND
- 市场调查机构DRAMeXchange近日发布的调查结果显示，到今年三季度，三星电子、SK海力士等韩企的3D NAND闪存半导体在全球整体NAND闪存市场所占份额有望超过50%。
闪存是指在断电情况下仍能存储数据的半导体，主要用于智能手机等移动终端的周边装置。3D NAND在2D NAND的基础上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韩产3D NAND将陆续上市，三星电子和美光科技(Micron)等企业于今年二季度起量产64层3D NAND，SK海力士将于三季度在全球最先推出72层的3
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NAND SK海力士
- 内存是半导体的主力产品之一，目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。 不过，由于DRAM必须持续上电才能保存数据，NAND Flash又有读写速度较DRAM慢，且读写次数相对有限的先天限制，因此内存业者一直试图发展出新的内存架构，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非挥发特性
根据研究机构Tech Insights估计，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代内存，都已陆续进入小量生产阶段。 不过
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内存 NAND
- 2017年将是3D NAND Flash应用市场快速崛起的关键年，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)等陆续推出具竞争力的64层3D NAND Flash加入竞局，SK海力士(SK Hynix)更一举跳到72层3D NAND Flash技术以求突围，由于新旧技术转换，良率仍不稳定，加上固态硬碟(SSD)需求起飞，造成NAND Flash市场大缺货，业者预期2017年下半产出可望大增，全面开启3D NAND Flash时代。
三星在2
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三星 NAND
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季将会开始呈现反转，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的价格会在 2018 年出现明显下滑，并在 2019 年重新陷入一个相对低点。
Gartner 表示，自 2016 年中期以来，随着 NAND Flash 的涨价，SSD 的每字节的成本也出现了惊人上涨。 不过，这种上涨趋势将在本季达到顶峰。 其原因在于中国厂商大量投入生产的结果，在产能陆续开出后，市场价格就一反过去的涨势，开始出现下跌的情况。
Gart
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DRAM NAND
- 这次大概介绍了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。 一、 接线 这个开发板搭载了一个256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引脚接线如下：
偷个懒，直接上引脚复用的图。其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用。通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑。另外，PC18复用为输入
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SAM4E NAND
- 随着APP体积不断扩大，以及照片、视频等文件逐渐累积，消费者再难回到被16GB ROM支配的时代。就连吝啬的苹果也将iPhone存储容量翻番，最高达到了256GB。大容量闪存能够提高数据并行处理的效率，但是256GB就够了吗?
日前，海力士(SK Hynix)推出业界首款72层堆叠的3D NAND闪存。该方案基于TLC阵列、单晶片容量为256Gb(32GB)，闪存芯片封装后的最高容量将达到512GB。
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海力士 NAND
- 从去年年中开始，以固态硬盘为代表的，包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的几乎全部闪存产品，开始缓慢涨价。
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内存 NAND
- 东芝已经处于资不抵债的边缘，被迫出售优质大额资产来改善其财务状况，究竟东芝存储业务花落谁家，虽然在近期就可以揭晓。
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东芝 NAND
- 北京时间3月24日上午消息，由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升，美光科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期。该公司第二财季利润也超出分析师预期，促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%。
由于各大企业都在争相开发体积更小、效率更高的芯片，引发了供应瓶颈，但与此同时，智能手机、人工智能、无人驾驶汽车和物联网的数据存储需求却在飙升，导致全球存储芯片制造商正在经历分析师所谓的“超级周期”。
美光科技周四表示，该公司的DRAM芯片第二季度涨价21%，此前一个季度已
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美光 NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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