- 韩国半导体产业发展风生水起。世界上最大的内存芯片供应商三星电子公司宣布，其在韩国平泽的新建半导体生产线已经开始量产。NAND闪存技术开发商SK海力士公司已经加入了一个同盟，将投标收购日本东芝的内存部门。今天，我们邀请到了韩国真好经济研究院的李仁喆(音译：이인철)先生，与他共同聊一聊韩国半导体产业的未来。首先，我们了解一下7月4日三星电子公司在平泽投产的半导体工厂的意义。
根据IT市场研究公司的数据，第一季度三星电子公司在NAND闪存市场上的份额为35.4%。 这个数字具有绝对优势，但平泽半导体厂
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半导体 NAND
- 这个时间点我们讨论NorFlash行业趋势与全年景气度，一方面是Nor厂商二季度业绩即将公布，而相关公司一季度业绩没有充分反映行业变化;另一方面是相关标的与行业基本面也出现了变化(如Switch超预期大卖以及兆易创新收到证监会反馈意见等)，同时我们调高AMOLED与TDDINor的需求拉动预期，详细测算供需缺口，以求对未来趋势定性、定量研究;
汽车电子与工控拉动行业趋势反转TDDI+AMOLED新需求锦上添花
1、汽车与工控拉动2016趋势反转
从各方面验证，2016年是NOR的拐点
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DRAM NAND
- 据韩联社报道，三星电子平泽工厂全球最大规模半导体生产线近日正式投产。三星电子将在该工厂生产第四代64位V-NAND，月产能可达20万片，并计划持续扩充生产设备，解决近年来全球半导体市场上供不应求的局面。
据了解，位于韩国京畿道平泽市的三星电子平泽工厂于2015年5月动工建设，日均投入1.2万名施工人员，耗时两年多建成全球最大的单一产品生产线。
三星宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型快闪存储器厂房投入14.4万亿韩圜(约合125.4亿美元)，并对华城市新建的半导体生产线投入6
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三星 V-NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快闪存储器厂东芝(Toshiba)28 日宣布，携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆叠 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试样。该款产品为 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手机、平板电脑和存储卡等市场。
东芝今后也计划推出采用堆叠 96 层制程技术的
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东芝 NAND
- 64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎，预计将在未来18个月内成为市场主流...
Western Digital(WD)内存技术执行副总裁Siva Sivaram日前指出，64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎。
在最近接受《EE Times》的访问中，Siva Sivaram将64层3D NAND定义为一种「开创性技术」(seminal technology)，可望应用于WD逾50种产品线。 他预计今年WD约有一半的产品线都将采用3D
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NAND 堆栈
- 三星电子 15 日宣布，最新 64 层 256GB V-NAND 闪存已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含服务器、PC 与行动装置的储存解决方案。
64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片，南韩 ITtimes.com 报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。
其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造第一颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘(SSD)，自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与 I
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三星 NAND
- 鸿海董事长郭台铭昨(12)日证实，将筹组美、日、台梦幻团队，共同竞标东芝半导体。 对日本出现担心鸿海「中国因素」的评论，郭董炮火全开，左打美系私募基金，右批日本经济产业省高层，并强调，鸿海如果顺利得标，海外市场将优先考虑在美设内存芯片厂。
东芝半导体竞标案进入倒数计时，预计本周公布结果。 竞标者之一鸿海动作不断，郭台铭接连接受日经新闻、路透社专访。 郭董强调，如果鸿海顺利标下东芝半导体事业，希望未来能在海外建立内存工厂，地点将优先考虑美国。
郭台铭补充，因为美国国内市场需求在当地还没达到，
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东芝 NAND
- NAND闪存的内部架构:NAND闪存可以分为三种不同架构，即：单层单元SLC 多层单元MLC多位单元MBC。其中，MBC以NROM技术为基础的NAND闪存架构，由英飞凌与Saifun合作开发，但该项架构技术并不成熟。采SLC架构是在每个Cell中存储1个bit的信息，以达到其稳定、读写速度快等特点，Cell可擦写次数为10万次左右。作为SLC架构，其也有很大的缺点，就是面积容量相对比较小，并且由于技术限制，基本上很难再向前发展了。
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MLC 闪存 NAND 英特尔
- 公司内部派系斗争问题，又因外部的2008年金融海啸与2011年福岛核灾影响日本经济及东芝业绩，造成派系斗争恶化，及为自保而伪造业绩歪风兴起，等到2015年事件爆发，发现该厂从2008会计年度(2008/4~2009/3)便有业绩灌水的问题，事件逐一发不可收拾。
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东芝 NAND
- NAND Flash控制芯片与模块厂群联董事长潘健成日前估计，接下来将面临史上最缺货的第3季，而该公司也积极备战，近日捧着5000多万美元现金，大举吃下某大厂释出的货源，为下半年建立更多库存。
群联在去年初NAND Flash市况尚未大热时，建立的库存水位一度超过三亿美元，后来市场景气于去年第3季开始往上，价格走升，也让该公司因此大赚。
潘健成提到，今年大概只有5月有机会多收货，所以该公司在前两个礼拜以现金买了大约5000多万美元的额外货源，预计可供第3季使用。
群联在今年4月时，手
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NAND
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整体NAND Flash市况延续第四季持续受到缺货影响，即使第一季度为传统NAND Flash淡季，渠道颗粒合约价却仍上扬约20-25%。在智能终端设备如智能手机与平板电脑内的行动式存储价格也呈现双涨的状况下，2017年将是NAND Flash成果丰硕的一年。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制，进而转进垂直堆栈制程(3D/Vertical-NAND)
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NAND SK海力士
- 全球领先的信息技术研究和顾问公司Gartner的研究显示，2016年全球半导体收入总计3,435亿美元，较2015年的3,349亿美元提升2.6%。在企业并购潮的影响下，前二十五大半导体厂商总收入增加10.5%，表现远优于整体产业增长率。 Gartner研究总监James Hines表示：“2016年半导体产业出现回弹。虽然其年初因受到库存调整的影响而表现疲软，但下半年需求增强，定价环境得到改善。助力全球半导体收入增长的因素包括多项电子设备部门产量的增加、NAND闪存售价的上扬及相对温和的
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半导体 NAND
- “物联网”是指连接到互联网的传感器，通过开放的专用连接、自由共享数据和允许非预期应用程序，以互联网的方式行事，因此电脑可以了解周围的世界，成为类似人类的神经系统 ”凯文·阿什顿说(这个术语的发明者)。
在我们的上一篇文章中，我们考虑了IoT的潜力——也被称为“一切互联网” ——在接下来的十年中，将推动NAND销售，从而使Micron的利润得以增加。 本文将对体系架构及其与内存
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物联网 NAND
- 东芝(Toshiba Corp.)决定出售半导体事业，但竞标者众、过程冗长，如此一来，韩国厂商反倒会成为最大受惠者?
韩联社 24 日报导，Shinhan Investment 研究员 Choi Do-yeon 发表研究报告指出，东芝的 3D NAND 快闪存储器投资计划势必将因此延后，这会让供给短缺更形恶化，也为三星电子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多扩产良机。
美国硬盘机制造巨擘 Western Digital(WD
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东芝 NAND
- 在即将到来的物联网的世界里，NAND的应用会非常广泛，作用也会愈发重要，出现的各种装置和新兴应用都会用到NAND。
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NAND 长江存储
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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