- DRAM供货吃紧的情况下，其再次出现价格疯涨现象，在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的这场角逐中，也许大家都是赢家。
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DRAM NAND
- 摘要：NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用，然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况，针对这种情况，本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法，实验结果表明，此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外，针对NAND FLASH的关键时序参数，如tREA(读信号低电平到数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成NAND FLASH的时序配合，从而达到器件性
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NAND magnum
- DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较，弄清两者的区别
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DRAM NAND RAM
- Nand Flash存储器是flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。 1989年，东芝公司发表了Nand Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展，NAND应用越来越广泛，但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点：分区、ECC纠错、坏块管理等。只有真正了
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Nand Flash 东芝
- 随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...
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3D NAND 摩尔定律
- 内存股王群联电子昨(27)日举行股东临时会补选一席董事，由日商东芝内存株式会社(TMC)当选。在市场供需方面，群联董事长潘健成乐观表示，未来五年，储存型闪存(NANDFlash)将持续供不应求。
台湾东芝先进半导体因集团组织调整，今年8月1日辞去群联董事，群联昨日召开股东临时会补选，并顺利由东芝内存株式会社当选。
潘健成表示，东芝内存主导负责东芝的全球半导体事业，东芝已将群联股权移转给东芝内存;而群联与东芝间不仅相互投资，也透过合作互补，强化技术，双方关系将比过去15年更加紧密，在产业的竞
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NAND
- 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash产业需求受到智能手机搭载容量与服务器需求的带动，加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下，供不应求的状况自2016年第三季起已持续六个季度;展望2018年，NAND Flash供给将增加42.9%，需求端将成长37.7%，明年整体供需状况将转为供需平衡。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，从NAND Flash的供给面来看，因为NAND制程从2D转进3D不如预期，导致2017年非三星阵营的新
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NAND 西数
- 9月6日，深圳市闪存市场资讯有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主办了“中国存储·全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit 2017)，本文根据部分会议内容整理了国内外NAND闪存及部分非易失存储器市场信息。
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闪存 NAND 3D Xpoint 201710
- 日前，由深圳市闪存市场资讯有限公司主办的、以“中国存储 全球格局”为主题的中国闪存市场峰会在深圳圆满落幕。本次峰会齐聚三星、英特尔、美光、Marvell、谷歌、英伟达、Marvell、江波龙、慧荣、硅格、汉德资本、海康存储等企业重量级嘉宾，一起探讨存储产业未来发展和企业市场发展机会。峰会吸引全球近700家企业参会，其中包括东芝、西部数据、SK海力士、长江存储、华为、联想、中兴、网易、腾讯、阿里巴巴等企业参会，涵盖领域包括存储企业、手机、电脑、汽车、工业、大数据应用等，参会观众超
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NAND 闪存
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，东芝公司已正式在9月20日决定将旗下半导体事业以2兆日圆出售给由美国私募股权业者贝恩资本(Bain Capital)代表的美日联盟，，由于此出售案较预期延宕，对于NAND Flash市场的产能影响，预期要到明年上半年才会趋于明显;中长期而言，在资金到位的情况下，将有助东芝在3D-NAND产能与技术上力拼三星。
DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，此次出售案的收购对象日美韩联盟成员中包括日本政府支持的产业革新机构(INCJ)财团、
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3D NAND 东芝
- 到底为什么东芝半导体可以引起如此大的波澜?产品和技术有什么过人之处?鸿海为首的“不差钱”军团又希望从东芝半导体得到什么?小编给你一一说明。
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东芝 NAND
- 9月6日，由深圳市闪存市场资讯有限公司主办以“中国存储•全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit 2017)在深圳华侨城洲际酒店圆满落幕。本次峰会除了齐聚国内外产业链重要企业嘉宾演讲，其中包括三星、英特尔、美光、Marvell、谷歌、英伟达、江波龙、慧荣、硅格、大基金、汉德资本等业界知名企业领导。 当天吸引全球近700家企业参会，其中包括西部数据、SK海力士、长江存储、金士顿、华为、联想、中兴、百度、阿里巴巴等企业参会，涵盖领域包括存储企业、手机、电脑、
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NAND 闪存
- 与美国在半导体先进工艺制程等方面的差距，不仅表现在人材，技术等方面，可能更大的差距在于综合的国力，以及产业大环境的改善，所以此次奋力突围一定要取得更大的进步。
01引言
近期华尔街日报撰文“中国的下一个目标夺下美国的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立场，歪曲事实。
此次中国半导体业的“奋力突围”，有两层意义：
一个是差距大，希望迅速的成长，至多是扩大芯片的自给率。
另一个是西方千方百计的阻碍中国半导体业的进步
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NAND DRAM
- 2017年三星电子(SamsungElectronics)同步启动DRAM、3DNAND及晶圆代工扩产计划，预计资本支出上看150亿~220亿美元，远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模，三星为确保新产能如期开出，近期传出已与多家硅晶圆供应商洽谈签长约，狂扫全球硅晶圆产能，并传出环球晶已通知客户自2018年起硅晶圆供应量将减少30%，主要便是为支持三星产能需求做准备。
三星为因应DRAM和3DNAND市场强劲需求，加上在逻辑事业全力投入7纳米制程，企图与台积电一较长短，抢
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三星 NAND
- 8月28日，三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?
波澜的背后
据2017年第二季度财报显示，三星电子营收额高达554.1亿美元，同比增长19%，并且，三星电子以销售额14亿美元的成绩拿下45.9%的NAND Flash市占有率。
有业者分析称，三星第二季度如此强劲的主要原因是苹果等其他电子类产品生产需求旺盛，同时其
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三星 NAND
nand介绍
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR.
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb。
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很 [
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