作为业界领先的芯片和半导体IP供应商,致力于使数据传输更快更安全,Rambus Inc.(纳斯达克股票代码:RMBS)今日宣布推出面向下一代人工智能(AI)个人电脑( PC)内存模块的完整客户端芯片组,包含两款用于客户端计算的全新电源管理芯片(PMIC)。PMIC是实现高效供电的关键,能够为先进的计算应用提供突破性的性能表现。这两款业界领先的全新Rambus PMIC分别是适用于LPDDR5 CAMM2(LPCAMM2)内存模块的PMIC5200,以及适用于DDR5 CSODIMM和CUDIMM的PMIC
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Rambus AI PC 内存模块 客户端 芯片组
存储设备研发公司Neo Semiconductor Inc.(加利福尼亚州圣何塞)推出了其3D-X-DRAM技术的铟-镓-锌-氧化物(IGZO)变体。3D-X-DRAM 于 2023 年首次发布。Neo 表示,它已经开发了一个晶体管、一个电容器 (1T1C) 和三个晶体管、零电容器 (3T0C) X-DRAM 单元,这些单元是可堆叠的。该公司表示,TCAD 仿真预测该技术能够实现 10ns 的读/写速度和超过 450 秒的保持时间,芯片容量高达 512Gbit。这些设计的测试芯片预计将于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
在特朗普加征关税之前囤积数据推动的 DRAM 需求激增似乎是真实的。据韩国 Etnews 报道,三星一年多来首次提高了 DRAM 价格,其中 DDR4 的涨幅最大。该报告表明,三星在 5 月初与主要客户敲定了新的定价条款,已将 DDR4 价格提高了约 20%。与此同时,该报告补充说,DDR5 价格的涨幅较小,约为 5%。三星第二季度利润或将得到提振值得注意的是,Etnews 表示,由于 DRAM 价格是以数月为基础进行谈判的,因此最近的上涨预计将在一段时间内支持盈利能力,从而为三星第二
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三星 DRAM DDR4
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款通过AEC-Q200认证、采用紧凑型薄形SOT-227封装并可安装在散热片上的全新厚膜功率电阻器---ISOA200。Vishay MCB ISOA200可选配用于内部温度监测的NTC热敏电阻和用于更高效安装的预涂相变热接口材料(PC-TIM),在80°C底壳温度下可提供高脉冲处理能力和高达200W的高功率耗散。日前发布的器件采用裸露铝衬底取代金属片,可用作预充电、放电、主动放电或缓冲电阻,降低汽车、工业和航空航天等应用的
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Vishay AEC-Q200 厚膜功率电阻器 NTC 热敏电阻 PC-TIM
据 ComputerBase 称,英伟达和联发科预计将在 2025 年台北国际电脑展上推出他们联合开发的基于 Arm 的 PC 处理器。即将推出的芯片 N1X 和 N1 针对台式机和笔记本电脑,标志着 Nvidia 更深入地进入 Windows-on-Arm 生态系统。然而,由于未解决的技术障碍,零售可用性可能会推迟到 2026 年,Heise 援引 SemiAccurate 的话说。两家公司的首席执行官 — 英伟达的黄仁勋和联发科技的 Rick Tsai
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英伟达 联发科技 Computex Windows PC N1 Arm 芯片
全球存储器市场近期出现显著价格上涨,消费级存储器产品价格持续攀升。 根据最新市场动态,SK海力士消费级DRAM颗粒价格已上涨约12%,落实先前市场的涨价传言。美商威腾旗下品牌SanDisk则于先前发布NAND Flash价格上调通知,自4月1日起,对所有通路商及零售客户的产品实施价格调整,涨幅将超过10%。市场分析人士指出,存储器价格近期上涨主要受到全球供应链瓶颈、晶圆产能限制及美系客户急拉货的影响。特别是人工智能、云端运算及5G技术的快速发展,持续推动了对高性能内存的强劲需求,存储器国际大厂集中资源,生
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SK海力士 DRAM
据最新消息,三星电子已制定明确的技术路线图,计划在第7代10nm级DRAM内存工艺(1d nm)后引入VCT垂直通道晶体管技术。相关产品预计将在未来2到3年内问世。在规划下一代DRAM工艺时,三星电子曾面临两种选择:1e nm工艺和VCT DRAM技术。经过深入研究和对比,三星最终选择了VCT DRAM技术。相较于1e nm,VCT技术在性能和效率方面表现更优。为加快研发进度,三星电子还将原1e nm的先行研究团队并入1d nm研发团队,集中力量推进1d nm工艺的开发。VCT DRAM技术是一种新型存储
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三星电子 VCT DRAM
英特尔的日子已经很艰难,但现在事实证明,其新的、大力推广的 AI PC 芯片的销售不如预期,从而造成其旧芯片的产能短缺。该消息发布之际,首席执行官宣布即将裁员,糟糕的财务报告导致公司股价暴跌。英特尔表示,其客户正在购买更便宜的上一代 Raptor Lake 芯片,而不是新的、价格更高的 AI PC 型号,如用于笔记本电脑的 Lunar Lake 和 Meteor Lake 芯片。在财报电话会议上,英特尔宣布,其“英特尔 7”工艺节点目前面临产能短缺,该公司预计这种短
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英特尔 AI PC Raptor Lake
出于对美国加征关税等潜在政策风险的担忧,全球三大顶级PC厂商联想、惠普和戴尔正在考虑在沙特阿拉伯建立生产基地。联想计划在利雅得建立PC和服务器组装工厂,并获得了沙特阿拉伯公共投资基金(PIF)子公司20亿美元的投资支持。通过与PIF旗下科技企业埃耐特(Alat)的深度合作,不仅获得政府及非洲市场的采购优先权,更将沙特定位为开拓非洲PC市场的战略枢纽。据联想CEO杨元庆透露,利雅得工厂预计2026年实现全链条投产,首批「沙特制造」产品将专供本土及周边市场。应当地政府的邀请,惠普和戴尔目前已派出团队前往该国考
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市场调查机构CounterPoint Research最新报告显示,2025年第一季度全球PC出货量达6140万台,同比增长6.7%。除了厂商为规避美国关税风险加速出货,还有Windows 10支持的结束也促使具备AI功能的PC需求激增,进一步刺激市场需求。厂商方面,苹果与联想表现亮眼。苹果凭借支持AI的M4系列MacBook,出货量同比增长17%;联想则通过扩展AI PC产品线及多元化布局实现11%的增长,继续保持市场份额第一。惠普和戴尔也受益于美国市场的提前出货,分别实现6%和4%的同比增长,稳坐市场
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PC 苹果 联想
4月24日消息,据报道,全球三大顶级PC厂商联想、惠普和戴尔正在考虑在沙特阿拉伯建立生产基地,以规避美国关税带来的不确定性。联想计划在利雅得建立PC和服务器组装工厂,并获得了沙特阿拉伯公共投资基金(PIF)子公司20亿美元的投资支持,惠普和戴尔也已派遣团队前往沙特阿拉伯考察潜在的建设地点。除了OEM厂商,沙特阿拉伯还邀请了几家ODM将他们的生产设施迁至阿拉伯半岛,富士康、广达、纬创、仁宝和英业达是主要的目标。但这些ODM对迁往中东持谨慎态度,ODM们声称,沙特阿拉伯的发展潜力取决于客户的意愿和外部物流因素
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PC 沙特阿拉伯 ODM
美国特朗普政府(Trump Administration)祭出对等关税,全球供应链大乱。 业界分析对等关税的税率与各地招商条件,中东沙乌地阿拉伯竟脱颖而出,且该国也正积极向厂商招手,建立在地制造业。对此,PC前三大厂联想、惠普(HP)及戴尔(Dell)均传有意设厂,规划在该国首都利雅得(Riyadh)圈地,作为日后厂址。川普政府对等关税大刀在落下后又收回,给予除了中国之外的地区缓冲期,逼使电子供应链在90天内寻求解方。 PC厂积极找中国以外生产地点,且对等关税税率较低的国家,作为生产基地备案。 时局变化,
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全球供应链 PC 沙特
专业视听行业的标志性年度盛会InfoComm China 2025今日盛大开幕。会上,英特尔携手MAXHUB联合发布MAXHUB 全新一代台式计算机。英特尔客户端计算事业部边缘计算CTO、英特尔客户端计算事业部高级首席AI工程师张宇博士、MAXHUB总裁林宇升出席会议,并就研发理念、产品技术进行分享。张宇博士表示:“大语言模型、生成式 AI 等正在加速落地,深度渗透到各个产业领域,为企业生产、运行变革提供动力。同时,随着大模型技术从云端向端侧延伸,私有化部署成为客户的核心诉求,给商用终端带来巨大的性能挑战
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英特尔 MAXHUB 企业级AI PC AI大模型
高性能人工智能(AI)数据中心正在以前所未有的方式重塑半导体设计版图和投资方向。早在2022年,AI基础设施方面的支出规模就已接近150亿美元。而今年这一数字可能轻松突破600亿美元大关。没错,“吸金”,各种资金正从各种投资计划中向数据中心涌入。显然,我们正处在一个人工智能资本支出空前高涨的时代——尽管DeepSeek等新入局者的潜在影响尚难以被准确估量。但不可否认的是,就在英伟达(Nvidia)、AMD等公司的高性能计算(HPC)处理器成为行业焦点的同时,用于存储训练和推理模型的高带宽内存同样迎来了属于
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数据中心 DRAM
4月9日消息,根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告,SK海力士首次超越三星电子,以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度,SK海力士的DRAM营收市占率达到36%,而三星电子紧随其后,市占率为34%,美光则以25%的市占率位列第三,其他厂商合计占据剩余的5%。SK海力士预期,营收与市占率的增长至少会持续到下一季度,其还表示,公司在关键的HBM市场占有率高达70%。Counterpoint Research资深分析师Jeongku Choi
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