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high-power 文章 最新资讯

英特尔陈立武:14A制程2029年量产,18A工艺良率回升

  • 英特尔CEO陈立武在受访时透露14A节点计划于2028年启动风险试产,2029年实现规模化量产。据外媒报道,英特尔CEO陈立武在受访时,公布了14A工艺的最新路线图,并透露该节点计划于2028年启动风险试产,2029年实现规模化量产。 这一计划较原定2027年下半年试产、2028年量产的安排有所推迟。作为第二代RibbonFET环绕栅极晶体管技术的载体,14A将首次采用ASML价值3.8亿美元的High-NA EUV光刻设备,配合全新背部供电架构PowerDirect,预计在能效比和晶体管密度上
  • 关键字: 英特尔   High-NA EUV  14A  18A  

阿斯麦CEO:首批High-NA光刻机生产的芯片将在数月内面世

  • 据路透社消息,全球顶尖芯片设备制造商阿斯麦(ASML)首席执行官克里斯托夫·富凯于当地时间周二在比利时微电子研究中心(imec)举办的行业会议上公开表示,公司预计未来数月内,将迎来首批采用新款高数值孔径(High-NA)EUV光刻机生产的芯片产品,覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。富凯在会议中明确指出,High-NA EUV光刻机作为面向2nm以下(1.8nm/1.4nm及更先进节点)制程的核心图形化设备,核心价值在于降低顶尖芯片电路光刻成型成本,同时适配AI芯片、HBM/DRAM等高端存储芯片的制造需
  • 关键字: ASML  阿斯麦  光刻机  芯片   High-NA EUV  

60W 壁挂式 AC-DC 适配器(IP42 防护),满足 DOE Level VII 能效要求,面向医疗、家庭医疗保健与工业应用

  •  XP Power 推出 60W 壁挂式 AC-DC 电源AMF60 系列,适用于医疗、家庭医疗保健及工业应用。相较于同功率等级的桌面式适配器,紧凑的壁挂式形态可减少安装空间占用,适合空间受限的设备。IP42 等级外壳可限制灰尘与湿气进入,从而延长适配器的使用寿命。AMF60 系列满足 DOE Level VI 能效要求,并已为 Level VII 做好准备,同时符合针对外部电源的 EU2019/1782 法规,空载功耗低于 0.15W。更低的能量损耗支持自然对流散热设计,实现静音运行,并提升在
  • 关键字: XP Power    AC-DC 适配器  DOE Level VII   

台积电暂缓引入High-NA EUV,先进制程竞争不只是设备选择

  • 台积电并没有急着把High-NA EUV(高数值孔径极紫外光)光刻技术放进2029年前的量产节点。作为对比,英特尔则更早导入High-NA设备。两家公司真正的差异,不只是设备选择,而是量产节奏、成本和良率风险的取舍。
  • 关键字: 台积电  英特尔  High-NA  EUV  先进制程  3nm  三星  

家用与AI数据中心供电全面升级

  • 全球各类行业会议正聚焦电源设计面临的功率密度挑战。从得克萨斯州奥斯汀举办的APEC 展会、本周在举办的英飞凌 AI 日,到前不久在圣何塞举办的GTC 大会,半导体厂商纷纷推出新方案,缩小电源系统体积、提升通流能力。一、Power Integrations:GaN 赋能反激电源,功率上探 450WPower Integrations(PI)采用更高效的氮化镓(GaN) 技术,升级其核心产品线TOPSwitch。这款经典单端反激转换器全球应用广泛,最新 GaN 版本将功率上限从250W 提升至 450W,可用
  • 关键字: AI数据中心  GaN  Power Integrations  德州仪器  IsoShield  英飞凌  瑞萨  

英伟达800V直流数据中心解决方案汇总

  • 在 OCP 全球峰会上,Nvidia 将公布 Vera RubinNVL144 MGX 代开放式架构机架式服务器的规格,超过 50 个 MGX 合作伙伴正在为此做准备,以及对 Nvidia Kyber 的生态系统支持,它连接了 576 个 Rubin UltraGPU,旨在支持不断增长的推理需求。芯片供应商:ADI 公司(ADI)、AOS、EPC、英飞凌、Innoscience、MPS、Navitas、onsemi、Power Integrations、瑞萨、立锜、罗门、意法半导体和德州仪器。电力系统组件
  • 关键字: 202511  英伟达  直流数据中心  Power Integrations  德州仪器  EPC  

节省空间的3U数字式10kW电源,电压可达100kV

  • XP Power宣布推出WBQ系列10kW数字式,可调节高压电源,专为需要15kV至100kV可控输出电压的设备设计。这款紧凑型19英寸3U机架安装产品在该功率等级下可提供最小的占地面积,适用于机架空间宝贵的场景(如半导体制造环境),可显著节省空间。其功率可扩展至100kW+,支持高电流工艺,并能驱动离子注入、电子束焊接、增材制造、质子治疗及医用回旋加速器等大型系统运行。该产品采用全数字化控制回路,可通过直观的用户界面(UI)进行配置,从而实现输出负载变化的灵活控制与调节,同时支持便捷的固件修改。可编程参
  • 关键字: 3U数字式电源  XP Power  

基于氮化镓的紧凑型65W至140W PD充电器,支持医疗和工业技术应用中的快速充电

Vishay推出5W小型1206封装Power Metal Strip电阻器

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款表面贴装Power Metal Strip® 检流电阻---WSLF1206,采用小型1206封装,额定功率高达5 W,TCR低至 ± 75 ppm/°C,以及低至0.3 mΩ的极低电阻值。Vishay Dale WSLF1206额定功率是1206封装尺寸标准电阻的20倍,功率密度 > 650 W/in2,设计师得以使用尽可能小的电阻,且无需并联电阻,从而节省高功率电路板的空间。器件温度系数(TCR)低,可在 -65
  • 关键字: Vishay  Power Metal Strip  电阻器  

4亿美元太贵!台积电仍拒绝购买ASML的High-NA EUV设备

  • 目前,生产尖端半导体必不可少的EUV(极紫外)光刻设备由荷兰ASML独家供应,而台积电2nm工艺就是利用现有的EUV设备实现晶圆的大规模量产,并保持较高的良率。但随着推进到更先进的次2nm节点 —— 即1.4nm与1nm(分别代号A14与A10)—— 制造工艺将面临更多技术瓶颈。理论上,这些问题可以通过采购ASML的最先进High-NA EUV设备来解决,但最新消息称台积电选择的方向并非购买新设备,而是转向使用光掩模薄膜(Photomask Pellicles)。什么是High-NA光刻机?从早期的深紫外
  • 关键字: 台积电  ASML  High-NA  EUV  2nm  

XP Power为15W高压DC-DC转换器HRF15系列新增数字监控与控制功能

  • XP Power近日宣布推出15W精密高压DC-DC转换器HRF15系列的数字版本,该版本支持通过I2C接口的PMBus™实现输出电压和电流的编程控制。这一升级满足了精密设备自动化与远程控制日益增长的需求,适用于半导体检测应用及通用分析研究领域,包括质谱分析、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等设备。与2025年5月推出的精密模拟版本相比,HRF15的数字界面简化了系统集成,并通过直观的GUI缩短了设置时间,加快了产品开发时间。它还通过先进的监控和编程功能提高了可靠性。电源状态标志提供了对
  • 关键字: XP Power  DC-DC转换器  

ADI Power Studio™-加速电源管理设计

  • 概述ADI Power Studio™是一套面向应用工程师及高级电源设计用户的综合性产品系列,能够有效简化整个电源系统的设计流程,提供从初步概念到测量和评估的全程支持。Power Studio提供统一、直观的工作流程,利用准确的模型来仿真实际性能,并自动生成关键的物料清单和报告等内容,帮助工程团队更早做出更优决策。ADI Power Studio整合了凌力尔特与美信的元器件,构建起统一的器件选型目录;同时通过丰富的工具集成优化工作流程,并基于客户反馈打造了现代化的用户界面(UI)与用户体验(UX)。产品系
  • 关键字: ADI  电源管理  ADI Power Studio  

Analog Devices发布ADI Power Studio和网页端新工具

  • ●   ADI Power Studio将多种ADI工具整合成一个完整的产品系列,助力简化电源管理设计和优化工作。●   ADI Power StudioTM Planner工具有助于增强系统级电源树规划。●   ADI Power StudioTM Designer工具可在整个集成电路(IC)级电源设计过程中提供全方位指导。全球领先的半导体公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布推出综合性产品系列ADI Po
  • 关键字: Analog Devices  ADI  ADI Power Studio  

Power Integrations发布新技术白皮书,深度解读适用于下一代800VDC AI 数据中心的1250V和1700V PowiGaN技术

  • 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations近日发布一份新的技术白皮书,详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit),其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上,NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作,加速推动向8
  • 关键字: Power Integrations  数据中心  GaN   

40W超紧凑DC-DC转换器,适用于空间受限的严苛应用场合

  • XP Power宣布推出具有成本效益的40W DC-DC转换器BCT40T系列,该产品采用业界领先的1“x 1”(25.4mm x 25.4mm)紧凑型封装,专为PCB安装而设计。这个新系列提供高功率密度和全面的功能,使其成为各种要求苛刻的工业技术、ITE和通信应用的理想电源解决方案,在这些应用中,空间是一个关键的限制因素。这款高性能BCT40T系列专为测试与测量、机器人、过程控制、分析仪器和通信设备等领域工作的研发工程师而设计。其超紧凑的金属封装具有显著优势,可节省宝贵的PCB面积,并为客户应用电路提供
  • 关键字: DC-DC转换器  空间受限  XP Power  
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