楷登电子（美国 Cadence 公司）近日宣布率先推出基于台积公司 N3 工艺的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 内存 IP 解决方案。该新解决方案可满足业内对于更大内存带宽的需求，能适应企业和数据中心应用中前沿的 AI 处理需求，包括云端 AI。Cadence® DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 经过验证且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 产品线，拥有全新的可扩展、可调整的高性能架构。此 IP 解决方案已与人工智能、高性能计算和数据中心领域的多家领先客户建立合作
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Cadence DDR5 MRDIMM Gen2 内存IP 云端AI
全球存储器市场近期出现显著价格上涨，消费级存储器产品价格持续攀升。 根据最新市场动态，SK海力士消费级DRAM颗粒价格已上涨约12%，落实先前市场的涨价传言。美商威腾旗下品牌SanDisk则于先前发布NAND Flash价格上调通知，自4月1日起，对所有通路商及零售客户的产品实施价格调整，涨幅将超过10%。市场分析人士指出，存储器价格近期上涨主要受到全球供应链瓶颈、晶圆产能限制及美系客户急拉货的影响。特别是人工智能、云端运算及5G技术的快速发展，持续推动了对高性能内存的强劲需求，存储器国际大厂集中资源，生
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SK海力士 DRAM
据最新消息，三星电子已制定明确的技术路线图，计划在第7代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后引入VCT垂直通道晶体管技术。相关产品预计将在未来2到3年内问世。在规划下一代DRAM工艺时，三星电子曾面临两种选择：1e nm工艺和VCT DRAM技术。经过深入研究和对比，三星最终选择了VCT DRAM技术。相较于1e nm，VCT技术在性能和效率方面表现更优。为加快研发进度，三星电子还将原1e nm的先行研究团队并入1d nm研发团队，集中力量推进1d nm工艺的开发。VCT DRAM技术是一种新型存储
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三星电子 VCT DRAM
三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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DDR4 DDR5 三星 SK海力士 内存 HBM
4月23日晚间，澜起科技披露一季报，2025年第一季度实现营业收入12.22亿元，同比增长65.78%；净利润5.25亿元，同比增幅达135.14%；扣非后净利润为5.03亿元，同比增长128.83%。澜起科技目前拥有互连类芯片和津逮®服务器平台两大产品线。该季度，澜起科技互连类芯片产品线销售收入为11.39亿元，同比增长63.92%；津逮®服务器平台产品线销售收入为0.8亿元，同比增长107.38%。对于业绩大幅增长原因，澜起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市场成长强劲，高效运算（H
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澜起科技 DDR5 存储
2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字节）产品的客户验证，是基于CXL* 2.0标准的DRAM解决方案产品。SK海力士表示：“将此产品应用于服务器系统，相较于现有的DDR5模组，其容量增长了50%，宽带扩展了30%，可处理每秒最多36GB的数据。该产品有望显著降低客户在构建并运营数据中心时所需的总体拥有成本*。”继96GB产品验证，公司正在与其他客户开展128GB产品的验证流程。该产品搭载第五代10纳米级（1b）32Gb
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SK海力士 CXL 2.0 DDR5 数据中心存储
高性能人工智能（AI）数据中心正在以前所未有的方式重塑半导体设计版图和投资方向。早在2022年，AI基础设施方面的支出规模就已接近150亿美元。而今年这一数字可能轻松突破600亿美元大关。没错，“吸金”，各种资金正从各种投资计划中向数据中心涌入。显然，我们正处在一个人工智能资本支出空前高涨的时代——尽管DeepSeek等新入局者的潜在影响尚难以被准确估量。但不可否认的是，就在英伟达（Nvidia）、AMD等公司的高性能计算（HPC）处理器成为行业焦点的同时，用于存储训练和推理模型的高带宽内存同样迎来了属于
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数据中心 DRAM
4月9日消息，根据Counterpoint Research的2025年第一季度内存追踪报告，SK海力士首次超越三星电子，以36%的市占率成为全球DRAM营收的领导者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM营收市占率达到36%，而三星电子紧随其后，市占率为34%，美光则以25%的市占率位列第三，其他厂商合计占据剩余的5%。SK海力士预期，营收与市占率的增长至少会持续到下一季度，其还表示，公司在关键的HBM市场占有率高达70%。Counterpoint Research资深分析师Jeongku Choi
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SK海力士 三星 DRAM
4月7日消息，据国外媒体报道称，三星公司领导层将对主要全球客户提高内存芯片价格——从当前水平提高3-5%。在三星看来，“需求大幅增长”导致DRAM、NAND闪存和HBM产品组合的价格上涨，预计2025年和2026年价格都会上涨。一位不愿透露姓名的半导体业内人士表示：去年全年供应过剩，但随着主要公司开始减产，供应量最近有所下降，目前三星涨价后部分新合同的谈判已然启动。此外，人工智能 (AI) 设备在中国接连出现，由于工业自动化，对半导体的需求正在逐渐增加。市场研究机构DRAMeXchange给出的统计显示，
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内存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季下游品牌厂大都提前出货因应国际形势变化，此举有助供应链中DRAM的库存去化。展望第二季，预估Conventional
DRAM（一般型DRAM）价格跌幅将收敛至季减0%至5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM价格皆持平上季因应国际形势变化，各主要PC OEM要求ODM提高整机组装量，将加速去化OEM手中的DRAM库存。为确保2025年下半年产线供料稳定，库存水
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TrendForce 集邦咨询 DRAM
美光经过多代验证的 DRAM 技术和制造策略促成了这一优化的 1γ节点的诞生。
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美光1γ DRAM
3D DRAM 将成为未来内存市场的重要竞争者。
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3D DRAM
美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代 CPU 设计的 1γ（1-gamma）第六代（10 纳米级）DRAM 节点 DDR5 内存样品。得益于美光此前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）DRAM 节点的领先优势，1γ DRAM 节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧 AI 设备（如 AI PC、智能手
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美光 1γ DRAM DRAM
2 月 18 日消息，据 TheElec 报道，三星芯片部门的负责人上周亲自前往美国英伟达总部进行访问。此次访问的目的是向英伟达展示三星最新研发的 1b DRAM 芯片样品，该芯片主要用于高带宽内存（HBM）。消息人士透露，英伟达曾在去年要求三星改进其 1b DRAM 的设计，此次展示的样品正是基于英伟达的要求而改进后的成果。通常情况下，三星设备解决方案（DS）部门的负责人亲自向客户展示样品的情况较为罕见。IT之家注意到，三星在去年曾计划使用
1b DRAM 生产 HBM，但遭遇了良品率和过热问题。该
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三星 芯片 1b DRAM 样品 英伟达
据韩媒报道，近日，SK海力士成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证，连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求，预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。据了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功实现1c纳米工艺的 16Gb DDR5-8000 DRAM 内存开发。SK海力士曾表示，1c工艺技术将应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进的DRAM主力产品群，进一步巩固其在内存市场的领先地位。
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SK海力士 1c纳米 DRAM
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