- 韩国媒体 TheElec报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV)
技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，MUF 不适用于高频宽存储器
(HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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存储 DRAM MUF技术
- 三星电子今日宣布，公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是三星目前为止容量最大的HBM产品。 &n
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三星 HBM3E DRAM 人工智能
- 从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
- 据 IDC 预测，从 2021 年到 2027 年，作为数字孪生的新型物理资产和流程建模的数量将从 5% 增加到 60%。尽管将资产行为中的关键要素数字化并非一种全新概念，但数字孪生技术从精确传感到实时计算，再到将海量数据转为深度洞察，从多方面进一步推动了设备和运营系统优化，从而实现扩大规模并缩短产品上市时间。此外，启用人工智能/机器学习 (AI/ML) 模型将有助于提高流程效率、减少产品缺陷，实现出色的整体设备效率 (OEE)。当我们了解了上述需求的复杂性和面临的挑战，就能意识到内存与存储对于实现数字孪
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数字孪生 DRAM 机器学习
- 2 月 5 日消息，据报道，三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。除了之前公布的 GDDR7 内存（将在高密度内存和接口会议上亮相），这家韩国科技巨头还将发布一款超高速 DDR5 内存芯片。这款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发，在相同封装尺寸下提供两倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。虽然三星没有提供太多关于将在峰会上发布的 DDR5 芯片的信息，但我们知道，这款 DDR5 的 I / O 速度高达每个引
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三星 32Gb DDR5 内存芯片
- 三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发（R&D）机构，专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部（DSA）的硅谷总部之下运营，由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来，三星在随后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市场份额要明显高于其他厂商，但仍需要不断开发新的技术、新的产品，以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
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三星 内存 DRAM 芯片 美光
- 韩国存储器大厂SK海力士透露，因市况好转，考虑在第一季增产部分特殊DRAM，市场担心稼动率回升，破坏以往存储器大厂减产提价共识，恐不利后续DRAM涨势。观察16日存储器族群股价，包括钰创、华邦电、南亚科、点序、十铨、品安、晶豪科等，股价跌幅逾2％，表现较大盘弱势。惟业界人士认为，包括三星、SK海力士及美光等三大原厂产能，多往1-alpha／beta先进制程升级，以满足获利较佳DDR5及高带宽存储器（HBM）需求，预期利基型DRAM后市仍呈正向趋势。SK海力士执行长郭鲁正先前在2024年拉斯韦加斯消费性电子
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存储器 DRAM TrendForce
- 内存产业复苏明确，包括旺宏、南亚科、创见、鑫创、广颖、钰创、商丞等七家公司，去年12月营收呈现月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合约价续涨。然全球第二大内存生产商SK海力士计划阶段性扩产，为内存市况投下变量。海力士透露，公司可能于第一季缩小DRAM减产幅度，NAND Flash生产策略可能视情况在第二季或第三季跟着调整。针对内存大厂有意扩产，国内存储器厂商则认为，海力士扩厂应集中在DDR5和HBM（高带宽内存）产品为主，因为台湾目前产品主攻DDR4，不致影响产品报价。TrendForc
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DDR5 HBM 内存 TrendForce
- TrendForce集邦咨询表示，2024年第一季DRAM合约价季涨幅约13~18%，其中Mobile DRAM持续领涨。目前观察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原厂认为持续性减产仍有其必要，以维持存储器产业的供需平衡。PC
DRAM方面，由于DDR5订单需求尚未被满足，同时买方预期DDR4价格会持续上涨，带动买方拉货动能延续，然受到机种逐渐升级至DDR5影响，对DDR4的位元采购量不一定会扩大。不过，由于DDR4及DDR5的售价均尚未达到原厂目标，加上买方仍可接受第一季续涨，故预估整体PC
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存储厂商 DRAM TrendForce
- 1月1日消息，据供应链最新消息称，SSD产品九个季度以来首次上涨，而厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价。数据显示，2023年10-12月期间SSD代表性产品TLC 256GB批发价为每台25.5美元左右、容量较大的512GB价格为每台48.5美元，皆较前一季度（2023年7-9月）上涨9%，也都是九个季度以来（2021年7-9月以来）首度上涨。自2023下半年以来，存储芯片价格一直在上涨。虽然DRAM价格上涨较为温和，约20%，但NAND闪存价格在过去两个月飙升了60%-70%。调研机构TrendFo
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SSD 涨价 DRAM
- 12月22日消息，据报道，Adroit Market Research预计，全球汽车半导体行业将以每年10%的速度增长，到2032年将达到1530亿美元，2023年至2032年复合年增长率 (CAGR) 为10.3%。报告显示，半导体器件市场将从2022年的$43B增长到2028年的$84.3B，复合年增长率高达11.9%。目前的市场表明，到2022年，每辆汽车的半导体器件价值约为540美元，在ADAS、电气化等汽车行业大趋势下，到2028年，该数字将增长至约912美元。电动化和ADAS是技术变革的主要驱
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汽车电子 半导体 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
- IT之家 12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（当前约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。报道中指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
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存储 DRAM NAND Flash
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨询近日发布报告，预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）环比增长 18-23%，而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健，由于存储器价格涨势明确，带动买方积极扩大购货需求，以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低，加上原厂减产效应作用，这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
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存储 DRAM NAND Flash
- 处理器，无论是 CPU、GPU、FPGA，还是 NPU，要想正常运行，都离不开 RAM，特别是 DRAM（动态随机存取存储器），它已经成为各种系统（PC，手机，数据中心等）中内存的代名词。根据应用不同，系统对芯片面积和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成标准 DDR（双倍数据速率）、LPDDR、GDDR 等，当然，主要就是这三类。其中，DDR 是相对于 SDR（单数据速率）而言的，将 I/O 时钟加倍了，主要为 PC 和数据中心的 CPU 服务，目前已经发展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
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DRAM 封装技术 HBM
- 本文总结和更新了 DRAM 的产品、发展和技术趋势。
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