12 月 11 日消息，美国商务部周二表示，作为2022 年《芯片和科学法案》的一部分，美光科技已获得高达 61.65 亿美元（当前约 448.07 亿元人民币）的拨款，用于在美国制造半导体。该机构表示，这笔资金将支持美光的“二十年愿景”，即在纽约投资约 1000 亿美元、在爱达荷州投资 250 亿美元用于新工厂，并创造约 20,000 个新工作岗位。美国商务部还表示，美光将根据某些里程碑的完成情况逐步获得上述资金。此外，美国商务部还宣布已与美光科技达成初步协议，将额外提供 2.75 亿美元资金，用于扩建
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美国 美光科技 生产芯片 半导体 DRAM 内存芯片 存储芯片
摘要随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容，并使器件发挥出合格的性能。本研究比较了6F2蜂窝动态随机存取存储器 (DRAM) 器件与4F2垂直通道访问晶体管 (VCAT) DRAM结构的寄生电容。结果表明，与6F2结构相比，4F2结构显著降低了节点接触 (NC) 与位线 (BL) 之间的寄生电容。尽管4F2器件其他组件之间的寄生电容相比6F2器件略有增加，但它们仍处于支持器件达成目标性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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泛林集团 DRAM
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量双列直插式内存模块（MRDIMM）的完整内存接口芯片组解决方案。人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和其它数据中心应用对内存带宽的要求不断提高，这就需要新的DDR5 MRDIMM。它们的运行速度高达每秒12,800兆次传输（MT/s）；与第一代解决方案相比内存带宽提高1.35倍。瑞萨与包括CPU和内存供应商在内的行业领导者以及终端客户合作，在新型MRDIMM的设计、开发与部署方面发挥了关键作用。瑞萨设计并推出三款全新关键组件：RRG
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瑞萨 DDR5 MRDIMM 内存接口芯片组
DRAM产业历经2024年前三季的库存去化和价格回升，价格动能于第四季出现弱化。TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于部分供应商在今年获利后展开新增产能规划，预估2025年整体DRAM产业位元产出将年增25%，成长幅度较2024年大。根据TrendForce集邦咨询最新调查，DRAM产业结构越趋复杂，除现有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer
DRAM外，又新增HBM品类。吴雅婷指出，三大DRAM原厂中，SK
hynix（SK海力士）因HBM产品
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DRAM TrendForce 集邦咨询
近日，北京君正在接受机构调研时就DRAM的新工艺情况表示，21nm和20nm都有在研，预计21nm的今年年底会推出，20nm预计将于明年中前后推出，后续还会继续进行更新工艺的产品研发。关于存储中各类市场的收入占比情况，北京君正表示，汽车市场占比大概40%以上，工业和医疗今年市场景气度差一些，去年占比超过30%，今年大概不到30%，剩下大约20%多的是通信和消费等其他领域。存储产品价格方面，北京君正的存储产品主要面向行业市场，这个市场的价格变动特点和消费类市场不同，这几年行业市场存储价格高点是2022年，2
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北京君正 21nm DRAM
11 月 6 日消息，天风证券分析师郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上发布博文，深入分析了英特尔 Lunar Lake 失败的前因后果。IT之家此前报道，是英特尔近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，将不再把 DRAM 整合进 CPU 封装。虽此事近来成为焦点，但业界早在至少半年前就知道，在英特尔的
roadmap 上，后续的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther
Lake 与 Wildcat La
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郭明錤 英特尔 Lunar Lake DRAM CPU 封装 AI PC LNL
10 月 30 日消息，芝奇国际今日宣布再度刷新内存频率超频世界纪录，由华硕 ROG 极限超频者 SAFEDISK 上传的成绩，通过液态氮极限超频技术，创下 DDR5-12112 的超频纪录。该纪录使用的是芝奇 Trident Z5 旗舰系列 DDR5 内存，搭配最新英特尔酷睿 Ultra 9 285K 处理器及华硕 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附图如下：此成绩已上传至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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芝奇 内存 DDR5
自铠侠官网获悉，铠侠（Kioxia）宣布其多项创新研究成果，将于今年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。声明中称，铠侠旨在不断创新以满足未来计算和存储系统的需求。此次发布包括以下三大创新技术：氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）：该技术由铠侠联合南亚科技共同开发，通过改进制造工艺，开发出一种垂直晶体管，提高了电路集成度。OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器
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铠侠 存储技术 DRAM MRAM 3D堆叠
TrendForce指出，随着AI服务器持续布建，高带宽内存（HBM）市场处高成长阶段，平均售价约是DRAM产品的三至五倍，待下一代HBM3e量产，加上产能扩张，营收贡献将逐季上扬。TrendForce指出，HBM市场仍处于高成长阶段，由于各大云端厂商持续布建AI服务器，在GPU算力与内存容量都将升级下，HBM成为其中不可或缺的一环，带动HBM规格容量上升。如NVIDIA Blackwell平台将采用192GB HBM3e内存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生产难度高、良率仍有显着
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HBM DRAM TrendForce
三星电子今日宣布，已成功开发出其首款24Gb GDDR7[1] DRAM（第七代图形双倍数据传输率存储器）。GDDR7具备非常高的容量和极快的速率，这使得它成为众多下一代应用程序的理想选择之一。三星半导体24Gb GDDR7 DRAM凭借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域，例如数据中心和人工智能工作站，这将进一步扩展图形 DRAM 在显卡、游戏机和自动驾驶等传统应用领域之外的应用范围。三星电子存储器产品企划团队执行副总裁裴永哲（Bae YongCh
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三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能计算
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）于近日宣布推出两款内置时钟驱动器的全新类型内存，即 Crucial® 英睿达™ DDR5 时钟驱动器无缓冲双列直插式内存模块 (CUDIMM) 和时钟驱动器小型双列直插式内存模块 (CSODIMM)，并已开始批量出货。这两款全新内存均符合 JEDEC 标准，运行速度高达 6,400MT/s，是 DDR4 的两
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美光 时钟驱动器 DDR5
IT之家 9 月 4 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm （IT之家注：即 12nm 级） LPDDR 内存样品供应延误的担忧。三星电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产，后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。然而该韩媒此前就在今年 6 月
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三星 内存 DDR5
根据TrendForce最新调查，消费型电子需求未如预期回温，中国大陆地区的智能型手机，出现整机库存过高的情形，笔电也因为消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场持续萎缩。此一现象，导致以消费型产品为主的内存现货价走弱，第二季价格较第一季下跌超过30％。尽管现货价至8月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价可能的未来走向。TrendForce表示，2024年第二季模块厂在消费类NAND Flash零售通路的出货量，已大幅年减40％，反映出全球消费性内存市场正遭遇严峻挑战。内存产业虽一向受周期因素影响，但202
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TrendForce 内存 DRAM
2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c
DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”公司以1b DRAM
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SK海力士 第六代 10纳米级 DDR5 DRAM
根据TrendForce集邦咨询调查，受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第二季整体DRAM（内存）产业营收达229亿美元，季增24.8%。价格方面，合约价于第二季维持上涨，第三季因国际形势等因素，预估Conventional
DRAM（一般型内存）合约价涨幅将高于先前预期。观察Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出货表现，均较前一季有所增加，平均销售单价方面，三大厂延续第一季合约价上涨情势，加上台湾地区四月初地震影响，以及HBM
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DRAM TrendForce 集邦咨询
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