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3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

  • 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐,向三维发展,以提高单位面积的存储单元数量。(NAND指“NOT AND”,意为进行与非逻辑运算的电路单元。)l  这一趋势有利于整个行业的发展,因为它能推动存储器技术的突破,而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l  DRAM技
  • 关键字: 3D DRAM  泛林  

被垄断的NAND闪存技术

  • 各家 3D NAND 技术大比拼。
  • 关键字: NAND  3D NAND  

3D 晶体管的转变

基于 LPC5528 的 3D 打印机方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案,该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU,主频达到 150MHz,拥有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多个 Timer,多路 PWM,多种通信接口,支持 16 位的 ADC,资源丰富。      该方案支持 3.5 寸触摸屏显示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机,支持 5 轴电机控制,支
  • 关键字: 3D 打印机  NXP  LPC5528  

Teledyne将在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中国上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国(上海)机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 关键字: Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

爱芯元智CEO仇肖莘出席2023 IC NANSHA

  • 中国 上海 2023年6月20日——6月17日-18日,以“南芯声 聚势未来”为主题的2023中国·南沙国际集成电路产业论坛(IC NANSHA)成功举办。开幕式上,爱芯元智创始人、董事长兼CEO仇肖莘博士受邀发表《普惠智能的星辰大海》主题演讲,向与会嘉宾分享了对边缘侧、端侧人工智能的看沙法,并解读爱芯元智2.0时代战略规划和业务布局。 聚焦感知与计算,布局智慧城市、智能驾驶、AIoT三大赛道 IC NANSHA是为响应大湾区国家战略而搭建的集成电路产业论坛。2022年6月,国务院正式
  • 关键字: 爱芯元智  IC NANSHA  

格力1.5亿元参设创投基金,重点投资孵化IC等产业

  • 珠海市招商署消息显示,5月6日,珠海赛纳永盈一期创投基金成立暨项目签约仪式举行。据悉,珠海赛纳永盈一期创投基金由珠海赛纳科技有限公司联合格力集团、正方集团共同组建,计划规模8亿元,重点投资孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成电路及上下游相关产业。格力集团消息称,格力集团旗下格力金投出资1.5亿元并参与管理。仪式上,赛纳科技、格力集团、正方集团三方签约代表签署“珠海赛纳永盈一期创投基金”协议,基金拟投资企业珠海诺威达电机有限公司、广州市小篆科技有限公司分别和赛纳科技签署项目落地协议。
  • 关键字: 格力  创投  基金  IC  

DRAM迎来3D时代?

IC 设计市况不明

  • IC 设计市场气氛诡谲难辨,相关公司只能边走边看。
  • 关键字: IC  

3D NAND 堆叠可超 300 层,铠侠解读新技术

  • 5 月 5 日消息, 铠侠和西数展示最新的技术储备,双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文,铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,读取延迟缩小到 40 微秒。此外,铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件,这是一个具有实验性的 3D NAND IC,通过金属诱导侧向
  • 关键字: 3D NAND  

基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 电源方案

  • 1. CPU Vcore 简介:VCORE转换器(调节器)是在台式个人电脑、笔记本式个人电脑、服务器、工业电脑等计算类设备中为CPU(中央处理器)内核或GPU(图形处理器)内核供电的器件,与普通的POL(负载点)调节器相比,它们要满足完全不同的需要:CPU/GPU都表现为变化超快的负载,需要以极高的精度实现动态电压定位 (Dynamic Voltage Positioning) ,需要满足一定的负载线要求,需要在不同的节能状态之间转换,需要提供不同的参数测量和监控。在VCORE转换器与CPU之间通常以串列
  • 关键字: Richtek  立锜  Intel  IMVP8  RT3607  多相电源  PWM IC  

什么是混合信号 IC 设计?

  • 在之前的文章中,我们讨论了需要具有高输入阻抗的放大器才能成功地从压电传感元件中提取加速度信息。对于一些压电加速度计,放大器内置在传感器外壳中。现代 IC 通常由来自各个领域的元素组成。还有各种片上系统 (SoC) 和系统级封装 (SiP) 技术,包括单个 IC 上的每个 IC 设计域,或包含各种半导体工艺和子 IC 的封装。本简介概述了典型混合信号 IC 设计流程中的步骤。在本文中,我们系列文章中短的一篇,我们将给出混合信号 IC 设计流程的视图——同时具有模拟和数字电路的 IC 设计流程。数据转换器——
  • 关键字: 混合信号  IC  

德州仪器推出业内先进的独立式有源 EMI 滤波器 IC,支持高密度电源设计

  • 中国上海(2023 年 3 月 28 日)– 德州仪器 (TI)(纳斯达克股票代码:TXN)今日宣布推出业内先进的独立式有源电磁干扰 (EMI) 滤波器集成电路 (IC),能够帮助工程师实施更小、更轻量的 EMI 滤波器,从而以更低的系统成本增强系统功能,同时满足 EMI 监管标准。 随着电气系统变得愈发密集,以及互连程度的提高,缓解 EMI 成为工程师的一项关键系统设计考虑因素。得益于德州仪器研发实验室 Kilby Labs 针对新概念和突破性想法的创新开发,新的独立式有源 EMI 滤波器 I
  • 关键字: 德州仪器  有源 EMI 滤波器 IC  电源设计  

平面→立体,3D DRAM重定存储器游戏规则?

  • 近日,外媒《BusinessKorea》报道称,三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法,据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么?它将如何颠覆DRAM原有结构?壹摩尔定律放缓,DRAM工艺将重构1966年的秋天,跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器(DRAM),而在不久的将来,这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
  • 关键字: 3D DRAM  存储器  

外媒:存储大厂正在加速3D DRAM商业化

  • 据外媒《BusinessKorea》报道,三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化,并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况,业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然,而不是一种方向。与现有
  • 关键字: 存储  3D DRAM  
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3d-ic介绍

3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴,分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating),由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求,TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程,称之为中段,可由晶圆厂或封测 [ 查看详细 ]

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