英飞凌科技股份公司近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。英飞凌科技电源与传感系统事
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IT之家 7 月 4 日消息，根据工商时报报道，台积电提出了更完善的背面供电网络（BSPDN）解决方案，所采用方式最直接、高效，但代价是生产复杂且昂贵。为什么要背面供电网络？由于晶体管越来越小，密度越来越高，堆叠层数也越来越多，因此想要为晶体管供电和传输数据信号，需要穿过 10-20 层堆栈，大大提高了线路设计的复杂程度。背面供电技术（BSPDN）将原先和晶体管一同排布的供电网络直接转移到晶体管的背面重新排布，也是晶体管三维结构上的一种创新。该技术可以在增加单位面积内晶体管密度的同时，避免晶体管
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7月1日，纯晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布已收购Tagore专有且经过生产验证的功率氮化镓（GaN）技术及IP产品组合，以突破汽车、物联网和人工智能（AI）数据中心等广泛电源应用的效率和性能界限。资料显示，无晶圆厂公司Tagore成立于2011年1月，旨在开拓用于射频和电源管理应用的GaN-on-Si半导体技术，在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。格芯表示，此次收购进一步巩固公司对大规模生产GaN技术的决心，该技术提供多种优势，可帮助数据中心满足不断增长的电力需求，
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IT之家 7 月 2 日消息，中国台湾消息人士 @手机晶片达人 爆料称，台积电正准备从明年 1 月 1 日起宣布涨价，主要针对 3/5 nm，其他制程维持原价。据称，台积电计划将其 3/5 nm 制程的 AI 产品报价提高 5%-10% ，非 AI 产品提高 0-5% 。实际上，上个月台湾工商时报也表示台积电已经开始传出涨价消息。全球七大科技巨头（英伟达、AMD、英特尔、高通、联发科、苹果及谷歌）将陆续导入台积电 3nm 制程，例如高通骁龙 8 Gen 4、联发科天玑 9400 及苹果
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IT之家 6 月 27 日消息，三星昨日（6 月 26 日）发布声明，否认“三星代工业务 3nm 晶圆缺陷”的报道，认为这则传闻“毫无根据”。此前有消息称三星代工厂在量产第二代 3nm 工艺过程中发现缺陷，导致 2500 个批次（lots）被报废，按照 12 英寸晶圆计算，相当于每月 65000 片晶圆，损失超过 1 万亿韩元（IT之家备注：当前约 52.34 亿元人民币）。三星驳斥了这一传言，称其“毫无根据”，仍在评估受影响生产线的产品现状。业内人士认为，报道中的数字可能被夸大了，并指出三星的
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根据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查，中国大陆6.18促销节、下半年智能手机新机发表及年底销售旺季的预期，带动供应链启动库存回补，对Foundry产能利用率亦带来正面影响，运营正式度过低谷。观察中国大陆Foundry动态，受惠于IC国产替代，中国大陆Foundry产能利用复苏进度较其他同业更快，甚至部分制程产能无法满足客户需求，已呈满载情况。另一方面，因应下半年进入传统备货旺季，加上美国设备出口管制，产能吃紧情境可能延续至年底，使得中国大陆Foundry有望止跌回升，甚至进一步酝酿特定
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据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。活动中，三星公布了两个新工艺节点，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工艺，采用背面电源输送网络（BSPDN）技术，通过将电源轨置于晶圆背面，以消除与电源线和信号线有关的互联瓶颈，计划在2027年大规模生产。与第一代2nm技术相比，SF2Z不仅提高了PPA，还显著降低了电压降（IR drop），从而提高了高性能计算（HPC）的性能。
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IT之家 6 月 14 日消息，IT之家从河南郑州航空港官方公众号获悉，郑州合晶硅材料有限公司（以下简称“郑州合晶”）已实现高纯度单晶硅的量产。郑州合晶相关负责人介绍，硅片生产主要分两个流程，一是将原材料融解，种入籽晶，拉出圆柱状的单晶硅晶棒；二是把硅晶棒切成厚薄均匀的硅片，然后再经过打磨、抛光等 20 多道工序，最终做成芯片的载体 —— 单晶硅抛光片。该负责人表示，生产的硅片质量已跻身国际先进行列，产品得到中芯国际、台积电、华润微电子等全球硅晶圆头部供应商的认可。郑州合晶正推进 12 英寸大硅
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IT之家 6 月 13 日消息，三星电子在当地时间 6 月 12 日举行的三星代工论坛 2024 北美场上重申，其 SF1.4 工艺有望于 2027 年量产，回击了此前的媒体传闻。三星表示其 1.4nm 级工艺准备工作进展顺利，预计可于 2027 年在性能和良率两方面达到量产里程碑。此外，三星电子正在通过材料和结构方面的创新，积极研究后 1.4nm 时代的先进逻辑制程技术，实现三星不断超越摩尔定律的承诺。三星电子同步确认，其仍计划在 2024 下半年量产第二代 3nm 工艺 SF3。而在更传统的
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自半导体行业复苏信号释出后，业界布局不断，其中不乏出现联电、英特尔、Soitec、神盾集团等企业身影，涉及晶圆代工、第三代半导体、芯片设计、半导体材料等领域。针对半导体行业频繁动态，业界认为，这是一个积极的现象，有利于行业发展。近期，半导体企业合作传来新的进展。晶圆代工：联电x英特尔曝进展，12nm预计2026年“收官”5月30日，晶圆代工大厂联电召开年度股东会，共同总经理简山杰表示，与英特尔合作开发12nm制程平台将是联电未来技术发展的关键点，预计2026年开发完成，2027年进入量产。2024年1月，
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2023 年受供应链库存高企、全球经济疲弱，以及市场复苏缓慢影响，晶圆代工产业处于下行周期。不过，自 2023 年 Q4 以来，受益于智能手机市场需求回暖所带动的相关芯片需求的增长，包括中低端智能手机 AP 与周边 PMIC，以及苹果 iPhone 15 系列出货旺季带动 A17 芯片、OLED DDI、CIS、PMIC 等芯片需求增长，晶圆代工市场也随之开始出现转机。在经历 Q4 的逐步回暖后，全球半导体市场正变得更加活跃。具体看看，今年 Q1 晶圆代工市场都有哪些好迹象发生。晶圆代工市场，开始复苏AI
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2024年第一季全球晶圆代工产业营收和上一季相比小幅下跌5%，主因为终端市场复苏疲软。根据 Counterpoint Research 的「晶圆代工每季追踪报告」，尽管年增长率达到12%，2024年第一季的晶圆代工业者营收下滑并非仅因季节性效应，同时也受到非AI半导体需求恢复缓慢的影响，涵盖智能型手机、消费电子、物联网、汽车和工业应用等领域。这与台积电管理层对非AI需求恢复速度缓慢的观察相呼应。因此，台积电将2024年逻辑半导体产业的预期增长从超过10%修正为10%。 2024年第一季全球晶圆代
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5月21日，晶圆代工大厂联电宣布在新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批机台设备进厂，象征公司扩产计划建立新厂的重要里程碑。联电表示，联电新加坡投入12英寸晶圆制造厂营运超过20年，新加坡Fab12i P3厂也是联电先进特殊制程研发中心。2022年2月份，联电宣布在新加坡Fab12i厂区扩建一座新先进晶圆厂的计划。新厂第一期月产能规划30,000片晶圆，2024年底开始量产。联电当时指出，新加坡Fab12i P3是新加坡最先进半导体晶圆代工厂之一，提供22/28nm制程，总投资金额为50亿
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近日，晶圆代工大厂台积电和英特尔建厂计划相继传来新的消息：英特尔就爱尔兰工厂与阿波罗进行谈判，或达成110亿美元融资协议；日本全力争取台积电设立第3座晶圆厂。日本熊本力邀台积电建晶圆三厂 据彭博社报道，于今年4月上任的日本熊本县新任知事木村敬表示，将全力争取台积电在当地建设第三座晶圆厂，并提议今年夏天到台积电总部拜会，商讨相关事宜，致力将熊本打造为半导体聚落。木村敬表示，“我们准备全力支持”，同时希望将熊本县打造成半导体产业聚落。“我们希望熊本成为人工智能、数据中心和自动驾驶等源于半导体的无数产
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5月9日，芯片制造商高塔半导体公布截至2024年3月31日的第一季度业绩。本季度营收从去年同期的3.56亿美元下滑至3.27亿美元，同比下滑8%，但优于分析师预期的3.245亿美元；毛利率降至22.2%，较去年同期减少4.73%。高塔半导体表示，公司本季度利润和收入超出预期，尽管经济低迷导致工业和汽车芯片需求疲软，但预计2024年全年业绩将有所改善。展望第二季，高塔半导体预计第二季营收可达3.5亿美元，上下浮动5%，季增率超过7%，高于分析师预期的3.348亿美元。
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晶圆代工介绍
晶圆代工或晶圆专工(Foundry)，半导体产业的一种营运模式，专门从事半导体晶圆制造生产，接受其他IC设计公司委托制造，而不自己从事设计的公司。有些拥有晶圆厂的半导体公司，如英特尔(Intel)、AMD等，会因产能或成本等因素，也会将部份产品委由晶圆代工公司生产制造。台积电、联电为世界排名第一与第二的晶圆代工公司。反之，专门从事IC电路设计而不从事生产且无半导体厂房的公司称为无厂半导体公司(Fa [
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