2月5日消息，三星与台积电据悉都将从2025年开始投入2nm制程量产。此前，韩国政府1月中旬表示，三星公司计划到2047年在首尔南部投资500万亿韩元建设“超大集群”半导体项目，将重点生产先进产品，包括使用2nm工艺制造的芯片。
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三星 台积电 2nm
1 联电与英特尔“结盟”1月25日，联电与英特尔共同宣布正式合作，英特尔（Intel）将提供现有厂房及设备产能，联电（UMC）提供12nm技术IP，并负责工厂运营及生意接洽。此番与英特尔合作，英特尔将提供其位于美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造，透过运用晶圆厂的现有设备，大幅降低前期投资，并最佳化利用率。并且后续还会提供更佳的区域多元且具韧性的供应链，协助全球客户做出更好的采购决策。据TrendForce集邦咨询研究显示，2023
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台积电在3nm制程工艺于2022年四季度开始量产之后，研发和量产的重点随之转向下一代2nm制程工艺，计划在2025年实现量产。这意味着工厂及相关的设备要做好准备，以确保按计划顺利量产。台积电进入GAA时代的2nm制程进展顺利，最新援引供应链合作伙伴的消息报道称，位于新竹科学园区的宝山2nm首座晶圆厂P1已经完成钢构工程，并正在进行无尘室等内部工程 —— 最快4月启动设备安装工作，相关动线已勘查完成。而P2及高雄两地的工厂则计划在2025年开始制造采用此项技术的2nm芯片，中科二期则视需求状况预定
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12 月中旬，韩国总统尹锡悦与荷兰首相马克·吕特发表联合声明，双方构建「半导体同盟」。双方一致认为，两国在全球半导体供应链中有着特殊的互补关系，并重申构建覆盖政府、企业、高校的半导体同盟的决心。为此，双方商定新设经贸部门之间的半导体对话协商机制，同时推进半导体专业人才培养项目。陪同尹锡悦出访的还有三星电子和 SK 海力士公司的高管团队，这两家芯片巨头都是荷兰 ASML 公司的主要客户。在变化多端的全球半导体市场，为了帮助由三星电子和 SK 海力士支撑的韩国半导体产业，尹锡悦走到了前台，凸显出韩国政府对于保
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1月8日消息，据报道，日本熊本放送消息，台积电日本熊本新厂建筑工程在上个月末已完成，预定年内投产，目前处于设备移入进机阶段。另外，该厂开幕式预计在2月24日举行。公开资料显示，台积电日本子公司主要股东包括持股71%的台积电、持股近20%的索尼，以及持股约10%的日本电装（DENSO），熊本第一工厂计划生产12/16nm和22/28nm这类成熟制程的半导体，初期多数产能为索尼代工 CMOS 图像传感器中采用的数字图像处理器（ISP），其余则为电装代工车用电子微控制器 MCU，电装可取得约每月1万片产能。台积
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英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下，台积电则采取更加谨慎的策略，业界预计台积电可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA
EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。Hig
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Huawei最近推出了一款名为清云L450的笔记本电脑，配备了全新的海思麒麟9006c芯片。这款芯片之所以与最近推出的华为麒麟芯片不同，是因为它是一款5纳米的SoC。迄今为止，在美国的制裁之后，华为只能推出7纳米的芯片。因此，在清云L450笔记本电脑内看到一款5纳米的华为麒麟SoC引起了人们的兴趣。许多人认为，这家中国制造商终于找到了一种突破限制、生产先进芯片的方式。然而，Tech Insights的拆解揭示了所有的谣言。结果显示，华为麒麟9006c并非由中国半导体制造厂商中芯国际（SMIC）制造，而是来
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TSMC 不急于采用ASML的High-NA EUV进行大规模生产。本周，英特尔开始收到其第一台ASML的0.55数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻工具，它将用于学习如何使用这项技术，然后在未来几年内将这些机器用于18A后的生产节点。相比之下，据中国Renaissance和SemiAnalysis的分析师表示，TSMC并不急于在不久的将来采用High-NA EUV，该公司可能要在2030年或更晚才会加入这一阵营。“与英特尔在转向GAA（计划在[20A]插入之后）后不久即开始使用High-NA
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台积电、英伟达与中国客户，都很忙。
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台积电 英伟达
12月21日，荷兰光刻机巨头ASML通过社交媒体宣布，其首套高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机正从荷兰Veldhoven总部开始装车发货，将向英特尔进行交付。数值孔径（NA）是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率和最高能达到的工艺节点。
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据外媒，除了传统客户联发科、AMD、英伟达、英特尔、高通外，特斯拉也已确认参与台积电(TSMC)明年的3nm NTO芯片设计定案（New Tape-Outs，NTOs）。报道称，特斯拉成为台积电N3P的客户也表明，其打算利用该尖端技术生产下一代全自动驾驶(FSD)智能驾驶芯片。据了解，台积电N3P工艺计划预计在2024年投产，与N3E工艺相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。台积电表示，N3P的性能、功耗和面积(PPA)指标，以及技术成熟度，都超过了英特尔的18A工艺。
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半导体巨头竞相制造下一代尖端芯片，此举将塑造 5000 亿美元产业的未来。
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台积电在欧洲、日本的新厂都传来了新消息。11 月 21 日，有媒体报道台积电考虑在熊本建造第三工厂，生产制程 3 纳米芯片。预计相关投资额约达 200 亿美元。台积电目前正在熊本县建设第一工厂，预计生产 12 纳米的半导体等。不久前，11 月初德国联邦反垄断局批准台积电与德国半导体公司博世、英飞凌以及荷兰半导体公司恩智浦成立合资公司。这标志着台积电在欧洲的第一座晶圆厂即将落地。作为一家代工厂，台积电过去依靠的是规模化生产，压低成本，进而吸引客户。在多年的积累中，台积电在代工规模与代工技术两个方面都已经成为
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