- 1月8日消息，据报道，日本熊本放送消息，台积电日本熊本新厂建筑工程在上个月末已完成，预定年内投产，目前处于设备移入进机阶段。另外，该厂开幕式预计在2月24日举行。公开资料显示，台积电日本子公司主要股东包括持股71%的台积电、持股近20%的索尼，以及持股约10%的日本电装（DENSO），熊本第一工厂计划生产12/16nm和22/28nm这类成熟制程的半导体，初期多数产能为索尼代工 CMOS 图像传感器中采用的数字图像处理器（ISP），其余则为电装代工车用电子微控制器 MCU，电装可取得约每月1万片产能。台积
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- 英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下，台积电则采取更加谨慎的策略，业界预计台积电可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA
EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。Hig
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- Huawei最近推出了一款名为清云L450的笔记本电脑，配备了全新的海思麒麟9006c芯片。这款芯片之所以与最近推出的华为麒麟芯片不同，是因为它是一款5纳米的SoC。迄今为止，在美国的制裁之后，华为只能推出7纳米的芯片。因此，在清云L450笔记本电脑内看到一款5纳米的华为麒麟SoC引起了人们的兴趣。许多人认为，这家中国制造商终于找到了一种突破限制、生产先进芯片的方式。然而，Tech Insights的拆解揭示了所有的谣言。结果显示，华为麒麟9006c并非由中国半导体制造厂商中芯国际（SMIC）制造，而是来
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- TSMC 不急于采用ASML的High-NA EUV进行大规模生产。本周，英特尔开始收到其第一台ASML的0.55数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻工具，它将用于学习如何使用这项技术，然后在未来几年内将这些机器用于18A后的生产节点。相比之下，据中国Renaissance和SemiAnalysis的分析师表示，TSMC并不急于在不久的将来采用High-NA EUV，该公司可能要在2030年或更晚才会加入这一阵营。“与英特尔在转向GAA（计划在[20A]插入之后）后不久即开始使用High-NA
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- 台积电、英伟达与中国客户，都很忙。
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- 12月21日，荷兰光刻机巨头ASML通过社交媒体宣布，其首套高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机正从荷兰Veldhoven总部开始装车发货，将向英特尔进行交付。数值孔径（NA）是光刻机光学系统的重要指标，直接决定了光刻的实际分辨率和最高能达到的工艺节点。
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- 据外媒，除了传统客户联发科、AMD、英伟达、英特尔、高通外，特斯拉也已确认参与台积电(TSMC)明年的3nm NTO芯片设计定案（New Tape-Outs，NTOs）。报道称，特斯拉成为台积电N3P的客户也表明，其打算利用该尖端技术生产下一代全自动驾驶(FSD)智能驾驶芯片。据了解，台积电N3P工艺计划预计在2024年投产，与N3E工艺相比，N3P的性能提高5%，功耗降低5%到10%，芯片密度提高1.04倍。台积电表示，N3P的性能、功耗和面积(PPA)指标，以及技术成熟度，都超过了英特尔的18A工艺。
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- 半导体巨头竞相制造下一代尖端芯片，此举将塑造 5000 亿美元产业的未来。
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- 台积电在欧洲、日本的新厂都传来了新消息。11 月 21 日，有媒体报道台积电考虑在熊本建造第三工厂，生产制程 3 纳米芯片。预计相关投资额约达 200 亿美元。台积电目前正在熊本县建设第一工厂，预计生产 12 纳米的半导体等。不久前，11 月初德国联邦反垄断局批准台积电与德国半导体公司博世、英飞凌以及荷兰半导体公司恩智浦成立合资公司。这标志着台积电在欧洲的第一座晶圆厂即将落地。作为一家代工厂，台积电过去依靠的是规模化生产，压低成本，进而吸引客户。在多年的积累中，台积电在代工规模与代工技术两个方面都已经成为
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- 12月19日，台积电官方宣布了一个非常突然和意外的消息：台积电董事长刘德音将不再参加下一届董事长提名，并于明年股东大会后退休。同时，台积电提名现任CEO、副董事长魏哲家接任董事长，最终以明年6月的董事会选举结果为准。2018年6月，台积电创始人张忠谋正式退休，公司开启由刘德音任董事长、魏哲家任总裁的“双首长制”时代。如果魏哲家未来接任董事长后，继续身兼总裁暨CEO的话，台积电事权的“双首长制”时代将结束，而魏哲家也将成为台积创立以来，同时身兼两要职的第二人。值得注意的是，张忠谋86岁才退休，而刘德音自20
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- 12 月 19 日消息，台积电今日发布公告，刘德音董事长将不参与下届董事提名，并将于明年股东大会后退休。从公告中获悉，台积电“提名及公司治理暨永续委员会”推荐副董事长魏哲家博士接任下届董事长，并将以明年六月下届董事会选举结果为主。刘德音博士于 1993 年加入台积电，并在创办人张忠谋博士于 2018 年退休后接任董事长职位。在其董事长任内，刘德音博士重申公司对其使命的承诺，并着重在强化公司治理及企业竞争力，尤其是在技术领先、数字卓越及全球布局。台积公司董事长刘德音博士表示：“过去三十年在台积电
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- 台积电布局海外，广受全球瞩目，外界都在关注是否可以重现在中国台湾打造的芯片奇迹。但外媒报导指出，中国台湾成为「芯片超级巨星」之路并不容易复制，因为中国台湾的终极秘密武器：大批技术精湛且吃苦耐劳的工程师，显然难以在海外寻得。全球有超过一半以上芯片都是由中国台湾生产。BBC特地专访中国台湾半导体产业先锋、工研院院士史钦泰，试图了解中国台湾的成功秘诀。尽管BBC认为没有人确切知道中国台湾擅长芯片制造的原因，但史钦泰表示答案很简单，「我们拥有全新的机器、最先进的设备，招募了最优秀的工程师，就连机械操作员也都个个技
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- 台积电为全球晶圆代工龙头，后头追兵三星与英特尔来势汹汹，但台积电在技术与订单仍保持一定优势，尤其三星至今在3纳米方面，依然无法取得顶尖客户的信任，三星高层也坦言，一旦台积电在2纳米转进GAA技术，三星还是得向台积电看齐学习。即使如此，三星也打算透过低价策略抢市，与台积电做出差别。综合外媒报导，三星虽在3纳米就开始使用GAA技术，量产时间也比台积电早数个月，但在良率与技术上无法获得客户青睐，苹果、辉达等科技巨头的大单仍在台积电手上，台积电3纳米沿用较旧的FinFET技术。三星不甘示弱，希望能在2纳米领域上扭
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- 在本周的IEEE国际电子器件大会上，台积电展示了他们对CFET（用于CMOS芯片的逻辑堆栈）的理解。 CFET是一种将CMOS逻辑所需的两种类型的晶体管堆叠在一起的结构。在本周的旧金山IEEE国际电子器件大会上，英特尔、三星和台积电展示了他们在晶体管下一次演变方面取得的进展。芯片公司正在从自2011年以来使用的FinFET器件结构过渡到纳米片或全围栅极晶体管。名称反映了晶体管的基本结构。在FinFET中，栅通过垂直硅鳍控制电流的流动。在纳米片器件中，该鳍被切割成一组带状物，每个带状物都被栅包围。 CFET
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- 2023年12月14日星期四，上午6:19，由Hartley Charlton提供，PST
台积电（TSMC）正式提到了其1.4纳米制造技术，很可能将成为未来苹果硅芯片的基础。苹果硅1特性
在其“未来逻辑”专题的幻灯片中（通过SemiAnalysis的Dylan Patel），TSMC首次披露了其1.4纳米节点的官方名称，“A14”。该公司的1.4纳米技术预计将在其“N2” 2纳米芯片之后推出。N2计划于2025年底开始大规模生产，随后将在2026年底推出增强版“N2P”节点。因此，任何A14芯片在2
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