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2024 年 3 月 1 日，中国上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存助力荣耀最新款旗舰智能手机荣耀 Magic6 Pro 提供端侧人工智能体验。该手机支持 70 亿参数的大语言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），开创了端侧生成式人工智能新时代。荣耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大语言模型为核心，在美光内存和存储的加持下，实现了升级版预测性和
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美光 内存 存储 荣耀 Magic6 Pro 智能手机 LPDDR5X UFS 4.0
2024 年 2 月28日，中国上海 – Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布开始送样增强版通用闪存（UFS）4.0 移动解决方案，该方案具有突破性专有固件功能并采用业界领先的紧凑型UFS 封装（9 x 13mm）。基于先进的232层3D NAND技术，美光UFS 4.0解决方案可实现高达 1 TB容量，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的使用体验。 美光UFS 4.0的顺序读取速度和顺序写入速
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美光 紧凑封装型 UFS 智能手机设计 大容量电池
存储器解决方案的全球领导者铠侠株式会社近日宣布，该公司已开始提供业界首款(2)面向车载应用的通用闪存(3)(UFS)4.0版嵌入式闪存设备的样品(1)。新产品性能高，采用小型封装，提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于多种新一代车载应用，诸如车载远程信息处理系统、信息娱乐系统以及ADAS系统(4)。铠侠车载UFS产品的性能显著提升(5)，顺序读取速度提升约100%，顺序写入速度也提升约40%。通过性能提升，相关应用能够更好地利用5G连接的优势，带来更快的系统启动速度和更优质的用户体验。作为首家推出UFS技术
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铠侠 UFS 4.0 嵌入式闪存
1. 电源 DDR的电源可以分为三类：a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平
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DDR 内存
在2024年即将到来之际，多家机构给出预测，认定生成式AI将成为2024年的增长重点之一。回顾2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI热潮，不仅仅是下游市场的AI应用，这股大火一直烧到了上游芯片领域，根据权威机构预测，2023年和2024年，AI服务器将有38%左右的增长空间。随着GPU等AI芯片走向高峰的同时，也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM（高带宽内存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我们先来了解一下什么是HBM。HBM全称为High Bandwich Me
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HBM DDR AI GPU 美光 海力士
EnduroSLC® eMMC NANDrive EX系列最高可达40万擦写次数； 高性价比eMMC NANDrive VX系列可在宽温 (-25oC 至 +85oC) 环境下工作中国，北京和美国，硅谷 - EQS Newswire - 2023年12月19日 - 绿芯半导体新推出的高性价比VX系列为其客户提供更广泛的、高可靠的eMMC固态硬盘。eMMC NANDrive® VX系列采用153球封装，搭配高可靠的3D TLC NAND (每单元3bit)，可在宽温 (-25oC - +85oC)
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绿芯 固态硬盘 eMMC NANDrive
配备 Snapdragon 8 Gen 3 和 Dimensity 9300 芯片组的智能手机现在可以运行设备上的 LLM（大型语言模型），使其具有与更大的机器相同的功能。 不幸的是，在手机上运行人工智能相关程序是一项资源密集型任务，不仅需要计算能力，还需要充足的内存和存储空间，早些时候的一份报告指出，未来智能手机上的 20GB RAM 可能会成为支持此功能的标准 功能。 至于存储，三星有一个解决方案，据传是针对 AI 优化的新版本 UFS 4.0 标准。高级研究员还表示，运行 AI 操作将需要智能手机大
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UFS 三星 端口
简单解释ROMROM：只读存储器，内容写入后就不能更改了，制造成本比较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM：可编程程序只读存储器，但是只可以编写一次。EPROM：可抹除可编程只读存储器，可重复使用。EEPROM：电子式可抹除可编程只读存储器，类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。RAMRAM：随机存取存储器，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器
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ROM RAM FLASH DDR EMMC
为了继续推动通用闪存(1)（UFS）技术的发展，全球存储器解决方案的领导者铠侠株式会社近日宣布，具有更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备已开始送样(2)。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用于各种下一代移动应用。铠侠 UFS 产品性能的改进使这些应用程序能够利用 5G 的连接优势，从而加快下载速度、减少延迟时间并改善用户体验。铠侠UFS 4.0产品将BiCS FLASH™ 3D 闪存和控制器集成在 JEDEC 标准封装中，并结合了 MIPI M-PHY 5.0 和&n
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铠侠 UFS 4.0 嵌入式闪存
2022年12月8日，中国上海 — 全球存储器解决方案领导者KIOXIA铠侠中国近日宣布，今年其最新发布的业界首款*1支持MIPI M-PHY*2 v5.0的通用闪存*3Universal Flash Storage (以下简称：UFS) 嵌入式闪存器件，目前已率先批量交货，助力本土手机产商实现存储速度飞跃。新一代UFS凭借高速读写性能，将应用于智能手机等其他消费类电子产品中，显著提升产品的功能性和用户的使用体验。 &nb
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KIOXIA 铠侠 UFS 嵌入式闪存器件
全球汽车内存领先供应商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统（ADAS）实现最高L4级自动驾驶。得益于美光完整的产品组合，理想L9智能座舱系统还集成了美光车规级LPDDR4和UFS 2.1技术，为用户提供出色的娱乐和用
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美光 智能座舱 DRAM UFS ADAS 域控制器 车载信息娱乐系统
一站式定制芯片及IP供应商——灿芯半导体日前宣布推出用于高速DDR物理层中的Zero-Latency （零延迟）和True-Adaptive（真自适应）两项技术。这两项技术已经开始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理层IP上进行部署，将为客户带来更高效、更稳定的全新体验。 Zero-Latency （零延迟） 技术在读数据通路上，采用了两种可选的、独特的采样方式进行数据转换，而不像其他DDR物理层供货商采用FIFO进行跨时钟域转换，此技术将延迟降低
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灿芯 DDR IP
DDR4内存已经诞生了有10年之久，从一开始的2133MHz频率到后期逐渐站上2400MHz、2666MHz，一直到工艺与电路架构升级后，现在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz。可以说这十年以来，DDR4内存的频率也是有了快翻倍的提升。 而日前，有超频爱好者将DDR4内存的频率超频至7200MHz，打破了世界纪录。该记录由微星MEG Z590 Unify-X主板创造，超频内存上使用了两条士顿的HyperX Predator 8GB内存，组成16GB双通道。为了能让内存实现如此高频
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DDR
领先的移动和汽车SoC半导体IP提供商Arasan Chip Systems今天宣布，用于台积公司22nm工艺技术的eMMC PHY IP立即可用 加利福尼亚州圣何塞2021年1月21日 /美通社/ -- Arasan Chip
Systems为台积公司（TSMC）行业领先的22nm工艺技术扩展其IP产品，用于台积公司22nm工艺SoC设计的eMMC PHY
IP立即可用。台积公司22nm工艺中的eMMC PHY IP可与Arasan的eMMC
5.1主机控制器IP和软件无缝集成，从
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Arasan 台积 22nm eMMC
重点：高质量DesignWare DDR PHY IP核为NVIDIA提供无与伦比的性能、延迟和电源效率DDR PHY支持DDR5/4的每个通道多个DIMM，满足NVIDIA的网络数据速率和内存容量要求基于固件的现场可升级训练可提高通道的稳定性和可靠性，并且有助于算法更新，从而降低采用新内存协议的风险新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，NVIDIA的网络业务部门Mellanox将采用经验证的DesignWare® DDR5/4 PHY IP核，以满足其针对高性能计算和人工智能应用的Infin
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云计算 NVIDIA 新思科技 DesignWare DDR IP核
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