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一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、
- 现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质,就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别,存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢? 我们总是在说手机内存,那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后,为满足不断增大的系统文件而诞生的,是NAND Flash的升级版,他的结构如下:
我们接触到的16G、32G等手机,为何实际
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eMMC NAND
- DDR布线在PCB设计中占有举足轻重的地位,设计成功的关键就是要保证系统有充足的时序裕量。要保证系统的时序,线长匹配又是一个重要的环节。我们来回顾一下,DDR布线,线长匹配的基本原则是:地址,控制/命令信号与时钟做等长。数据信号与DQS做等长。为啥要做等长?大家会说是要让同组信号同时到达接收端,好让接收芯片能够同时处理这些信号。那么,时钟信号和地址同时到达接收端,波形的对应关系是什么样的呢?我们通过仿真来看一下具体波形。 建立如下通道,分别模拟DDR3的地址信号与时钟信号。  
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PCB DDR
- Nand-Flash/eMMC(带有Flash控制器的Nand-Flash)作为一种非线性宏单元模式存储器,为固态大容量存储的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-Flash存储器具有容量大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而越来越广泛地应用在如嵌入式产品、智能手机、云端存储资料库等业界各领域。
图1 Nand-Flash与eMMC芯片 1.1存储器件使用寿命 使用了Nand-Flash的主板出现丢数据掉程序现象,是一个让无数工程师毛骨悚然的
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Nand-Flash eMMC
- TrendForce研究指出,明年上半年步入淡季,NANDFlash价格有机会走跌,下半年需求回升,可能再次供不应求,预估2018年NANDFlashASP(平均销售单价)将较2017年缩减10%-20%。
相对而言,TrendForce预计,2018年DRAM产能扩增效益有限,价格趋势与供给状况持续看涨、看紧。
TrendForce表示,就移动存储来看,智能手机应用的存储零组件价格从2016年第三季开始不断攀升,以主流规格而言,到今年第四季价格平均上升40%,不仅影响各大品牌在智能手机的
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UFS NANDFlash
- NAND Flash解决方案供应商群联9、10月连续两月份的固态硬盘(SSD)出货量都破历史新高,上月更达到100万组的水准,另一个好消息是,群联在下一代的嵌入式快闪存储器新款的UFS芯片PS8313上,已经通过手机芯片大厂高通(Qualcomm)和海思等智能手机芯片平台的测试,新产品布局有成。
群联今年全力冲刺SSD和嵌入式存储器解决方案eMMC产品线,继9月SSD出货量突破90万片后,10月再创新高达100万片水准。
以第3季表现来看,群联第3季获利创下单季历史新高,主要是受惠多项主流
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UFS 海思
- eMMC使命完成,UFS时代来临,如何快速从eMMC转移到UFS-在高速数字接口中,并行总线越来越少。原因很简单,随着系统频率的提升,并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈,抖动、串扰、信号偏移、传输路径不完美等因素,都将大幅降低并行总线持续建立时间窗口,从而限制系统带宽的进一步提升。
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emmc ufs 数字接口
- DDR布线在PCB设计中占有举足轻重的地位,设计成功的关键就是要保证系统有充足的时序裕量。要保证系统的时序,线长匹配又是一个重要的环节。我们来回顾一下,DDR布线,线长匹配的基本原则是:地址,控制/命令信号与时钟做等长。数据信号与DQS做等长。为啥要做等长?大家会说是要让同组信号同时到达接收端,好让接收芯片能够同时处理这些信号。那么,时钟信号和地址同时到达接收端,波形的对应关系是什么样的呢?我们通过仿真来看一下具体波形。 建立如下通道,分别模拟DDR3的地址信号与时钟信号。  
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DDR 布线
- 智能手机体验优秀与否,除了处理器芯片,闪存芯片也是一大影响因素,目前手机上常搭载的闪存有UFS 2.1、UFS 2.0及eMMC 5.1等标准。其中UFS标准于2011年诞生,升级到2.0版本是在2013年,2.1版本则是在2016年发布的,而近日据网友爆料其下一代标准3.0也已经在研发了。
根据网友爆料使用的图片显示,UFS 3.0的速度最高达2666MB/s,较UFS 2.1最高1333MB/s的速度整整快了一倍。
除了快到飞起的速度外,USF 3.0占据的
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UFS
- 车内信息娱乐系统(IVI)越来越普及,先进驾驶辅助系统(ADAS)、无人驾驶技术亦逐渐成熟,车载系统突飞猛进造就日益庞大的数据处理需求,所需内存容量、输出/入带宽不得不随之升级。 不仅如此,车用储存组件相较3C电子等一般应用,更须考虑车辆要求之极高可靠性、安全性,进一步纳入完善的硬/韧体除错与实时反馈等相应机制。
内存控制芯片主力供货商慧荣(SMI)产品企划部项目经理胡文基表示,从早期所用之SD卡、光罩式ROM、PATA/SATA硬盘等演进至今,目前车载系统是以16G起跳之内嵌式多媒体记忆卡(e
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ADAS UFS
- UFS普及并不缺乏机会,Flash产能的困境能否早日抒解,成为真正影响UFS茁壮的关键因素了。
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Flash UFS
- DDR布线在PCB设计中占有举足轻重的地位,设计成功的关键就是要保证系统有充足的时序裕量。要保证系统的时序,线长匹配又是一个重要的环节。我们来回顾一下,DDR布线,线长匹配的基本原则是:地址,控制/命令信号与时钟做等长。
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DDR PCB DQS
- 随着高速处理器的不断发展,嵌入式系统应用的领域越来越广泛,高速大容量缓存器被广泛应用于音视频系统中,然而专用的高速大容量缓存芯片价格过于昂贵,传统SDRAM在带宽上已经逐渐无法满足应用.
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MIMO技术 视频缓存器 DDR
- 随着数据存储量的日益加大以及存储速度的加快,大容量的高速存储变得越来越重要。内存条既能满足大容量的存储又能满足读写速度快的要求,这样使得对内存条控制的应用越来越广泛。首先介绍了内存条的工作原理,内存条电路设计的注意事项,以及如何使用FPGA实现对DDR内存条的控制,最后给出控制的仿真波形。
- 关键字:
DDR 内存条 FPGA
- 研究了硅基液晶(LCoS)场序彩色显示驱动系统的设计与实现.该系统以FPGA作为主控芯片,用两片高速DDR2 SDRAM作为帧图像存储器.通过对图像数据以帧为单位进行处理,系统将并行输入的红、绿、蓝数据转换成申行输出的红、绿、蓝单色子帧.将该驱动系统与投影光机配合,实现了分辨率为800×600的LCoS场序彩色显示.
- 关键字:
硅基液晶 DDR FPGA
- 差分时钟是DDR的一个重要且必要的设计,但大家对CK#(CKN)的作用认识很少,很多人理解为第二个触发时钟,其实它的真实作用是起到触发时钟校准的作用。
- 关键字:
DDR 差分时钟 DRAM DDR2
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