EEPW首页 >>
主题列表 >>
一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、
1. 定义DDR：Double Date Rate 双倍速率同步动态随机存储器。DDR、DDR2、DDR3常用规格：2. 阻抗控制要求单端走线控制 50 欧姆，差分走线控制 100 欧姆3. DDR 布局要求通常，根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。A、DDR*1 片，一般采用点对点的布局方式，靠近主控，相对飞线 Bank 对称。间距可以按照是实际要求进行调整，推荐间距为 500-800mil。B、DDR*2 片，布局相对主控飞线 Bank 对称，常采用 T 型拓扑结构， 推荐间距如下：等长要求
关键字：
DDR PCB设计 存储
2025上海国际车展如火如荼展开，新能源车型不断升级，更好的电动化、智能化成为提升产品竞争力的重要途径之一。无论大尺寸中控屏、HUD、流媒体、DMS（驾驶员监控系统）、娱乐系统都将对存储性能提出新的需求，车辆平均存储数据也将会从35GB左右提升至于数百GB，甚至TB级别。可以看到，一个巨大的车规级存储市场需求正在蓄势待发，大容量、高性能、高可靠的车规级存储已然成为标准配置，eMMC和旧规范的UFS将无法满足未来高性能车规级存储需求，车规级UFS 4.0将变得尤为重要。高速率传输改变出行随着车载处理性能提升
关键字：
UFS 4.0 上海国际车展 车规级存储 Kioxia 铠侠
Sandisk闪迪公司于近日正式发布了首款采用UFS 4.1标准的车规级产品Sandisk® iNAND® AT EU752 UFS4.1 嵌入式闪存驱动器（EFD），进一步拓展其基于先进车规级存储技术的丰富产品组合。软件定义汽车（SDV）的发展进一步推动了用户对于更高性能和更频繁的远程软件更新需求。而高速的UFS4.1接口可显著加速软件更新进程，有效缩短用户停机时间，使得SDV能够更快、更可靠地投入使用。高级驾驶辅助系统（ADAS）、自动驾驶（AD）和智能座舱（eCockpit）等车载AI系统需要调用传
关键字：
Sandisk 闪迪 车规级 UFS 4.1
公司以系统级解决方案推动AI时代的持续创新全球闪存及先进存储技术的创新企业Sandisk闪迪公司于今日亮相CFMS | MemoryS 2025（展位号：T07），展示了其覆盖数据中心、汽车、移动端及消费端的全方位创新闪存解决方案，助力用户应对人工智能（AI）发展浪潮下日益复杂的工作负载。在此次峰会上，闪迪详细介绍了UFS 4.1存储解决方案——iNAND MC EU711嵌入式闪存驱动器，面对AI在终端上的应用发展，为用户带来了优化的移动存储体验。闪迪公司全球产品副总裁Eric Spanneut也在峰会
关键字：
Sandisk 闪迪 UFS 4.1 CFMS MemoryS 2025
车载中控屏幕和智能驾驶的不断升级，已经成为影响我们智能出行的重要因素。流畅的车载智能系统交互与功能扩展已经成为基本盘。就目前而言，车辆平均存储数据大约在35GB左右，但随着智能体验、高阶辅助驾驶实装，数百GB到上TB的存储势在必行。可以看到，一个巨大的车规级存储市场需求正在蓄势待发，大容量、高性能、高可靠的车规级存储已然成为标准配置，并且会随着需求增长不断升级。但相对于消费级存储，车规级存储更为苛刻，它对工作温度范围、工作稳定性、不良率、使用寿命、车规级安全规范都有着明确的要求，以确保车辆高速行驶过程中的
关键字：
车规级UFS 4.0 UFS 4.0 铠侠
智能手机已经成为我们不可或缺的AI设备，随身运行的大模型，人工智能图像与视频识别，让手机的易用程度又向上提升了一个台阶。特别是随着骁龙8至尊版正式发布，新一轮的装备升级势在必行。更强的CPU、GPU和NPU给端侧的AI性能带来了更多可能，但也给存储带来全新的挑战，搭载AI的系统和本地大模型如何被高效的运用和读取，在网络信号不佳的前提下，存储能否担当起及时的AI响应，本地存储空间是否足够离线模型的存储？这时候，UFS 4.0存储方案自然而然摆上了台面。UFS 4.0存储其实早已在高性能手机中被广泛使用，不像
关键字：
手机性能 UFS 4.0 铠侠
1、电源DDR的分类A、主电源VDD和VDDQ主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给内核供电。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有专门的VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压、电流是否满足要求。电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平面
关键字：
电源设计 DDR
受原厂减产，以及需求逐步复苏的影响拉动，目前半导体存储产业进入上行周期，存储晶圆以及存储器的价格均较年初有明显上升，半导体存储行业目前处于上行复苏周期。江波龙作为存储行业的领先厂商，公司在eMMC向UFS过渡关键时点仍然拥有领先的市场地位及技术优势，公司持续对UFS标准的新一代嵌入式存储器投入研发，公司已经量产出货UFS系列产品。随着工业经济建设的发展，存储产品在工业控制领域的重要性逐渐突显，形成如今相对专业和独立的地位。与浮动较多的消费级市场相比，更为稳定的工控市场已经成为了存储企业的必争之地。&nbs
关键字：
江波龙 eMMC 工业
了解双数据速率（DDR）存储器的关键概念和围绕这一数字通信技术的应用，其中两个数据字在一个时钟周期内传输。串行数据传输比并行数据传输具有重要优势，并且在许多系统中，这些优势足够显著，足以证明添加串行化和反串行化并行数据的电路是合理的，从而可以将其作为串行数据传输。然而，计算机存储器是并行数据传输仍然普遍存在的一个应用领域。由于它们可以同时读取和写入许多数字信号，并行接口速度很快，设计师们一直在寻找使其更快的方法。一种用于实现数据传输速率的大幅提高的古老但仍然相关的技术被称为双泵浦，而这一特性正是将存储器系
关键字：
双倍数据速率，DDR
IT之家 4 月 23 日消息，铠侠今日宣布出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可选，专为包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。256GB：THGJFMT1E45BATV，封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB：THGJFMT2E46BATV，封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB：THGJFMT3E86BATZ，封
关键字：
铠侠 UFS 4.0 闪存芯片
绿芯将于4月9日至11日在德国纽伦堡举行的2024年嵌入式世界展会 ((embedded world 2024)，4A号馆606展位)展示其新推出的高耐久性EX系列和高性价比的PX/VX系列NVMe和eMMC NANDrive®球栅阵列（BGA）固态硬盘，该产品用于工业控制和智能交通等高可靠应用。搭配高可靠3D TLC NAND的eMMC NANDrive VX系列专门为价格敏感但是要求高可靠的应用而准备，工作在宽温（-25oC至+85oC）环境下，支持3千擦写次数。NVMe NANDrive PX系列工
关键字：
绿芯 嵌入式展会 eMMC NVMe NANDrive 固态硬盘
近日，存储大厂美光科技在GTC 2024活动，展示一系列存储解决方案。该公司此前刚宣布8层堆叠HBM3E已量产，并预计2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出货。美光展示的解决方案，分别包括8层堆叠24GB HBM3E解决方案与后续12层36GB HBM3E解决方案；使用单片晶粒具低延迟与低功耗优势的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存储解决方案与LPCAMM2模组；可提供AI与存储器工作负载所需的容量、频宽、弹性的CXL存储器模组，并携手MemVerg
关键字：
DDR 美光科技 HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR
SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不
关键字：
存储 DDR HBM
迈过2023年的经济逆风行业下行周期，2024年存储市场起势，存储芯片价格上涨。为了适配近两年人工智能热浪需求，存储新技术革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技术在2024年迎来放量周期；HBM加速迈进，HBM3/HBM3e持续突破，有望带动存储市场迸发新的活力。一2024是DRAM技术迸发活力的一年从1998年三星生产出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延续，再到今年跃升主流的DDR5，和即将到来的DDR6、DDR7，DRAM技术还在持续突破。按照不同的
关键字：
DDR GDDR6 HBM
2月28日，存储大厂美光科技宣布已开始提供升级版UFS4.0样品，采用232层3D NAND技术，可提供256GB、512GB和1TB三种容量。自去年6月推出11mm x 13mm封装规格的UFS4.0解决方案后，美光进一步缩小UFS4.0的外形规格以实现更紧凑的9mm x 13mm托管型NAND封装。性能上，美光UFS4.0的顺序读取速度和顺序写入速度分别高达4300MBps和4000MBps，较前代产品相比性能提升一倍，据悉，生成式AI应用中的大语言模型加载速度可提高40%。此次增强版UFS4.0基于
关键字：
美光 UFS 存储
一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、介绍
您好，目前还没有人创建词条一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、!
欢迎您创建该词条，阐述对一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、的理解，并与今后在此搜索一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、的朋友们分享。
创建词条
一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、电路
一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、相关帖子
一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、资料下载
一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、专栏文章
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473