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国际领先的定制化芯片（ASIC）设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体（上海）有限公司（以下简称“灿芯半导体”）近日对外宣布为一家著名的NVDIMM供应商提供完整的NVDIMM控制器芯片解决方案。非易失性双列直插式内存模块（NVDIMM）是计算机的一种随机存取存储器,即使在遇到供电不稳、系统崩溃或正常关机等断电情况时仍保留其内容。NVDIMM可快速恢复现场，提高应用程序性能，数据安全性和系统崩溃修复时间，加强了固态驱动器（SSD）的耐用性和可靠性。当前，大多数NVDIMM控制器采用F
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OEM DDR SSD ASIC
在国内疫情尚还未完全好转的情况下，全球疫情开始逐渐恶化。而日韩疫情的凶猛，更是给全球半导体领域投下了“重磅炸弹”。
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宏旺半导体 DDR ICMAX
2019年，西部数据（WD）推出了首款面向工业和物联网应用的嵌入式 eMMC 存储设备，它就是 iNAND IX EM132 驱动器。 其基于该公司的 64 层 BiCS3 3D TLC NAND 闪存打造，读速高达 310 MB/s，辅以专为嵌入式、商业、工业等用途而设计的各项功能，提升了整体的可靠性和耐用性。
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西数 嵌入式 eMMC SSD
西部数据近日新推出了一款嵌入式通用闪存存储（UFS, Universal Flash Storage）设备——西部数据 iNAND MC EU521，借此可以大大提升5G智能手机的用户体验。作为最早支持实现UFS3.1 规范中Write Booster特性的供应商，西部数据在业界第一批提供了针对5G应用优化的UFS3.1闪存方案。 <西部数据 iNAND MC EU521嵌入式闪存设备>西部数据 iNAND MC EU521嵌入式闪存设备帮助移动开发人员充分利用UFS 3.
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UFS 解决方案
9月10日消息，据WinFuture报道，三星UFS存储卡现身IFA2019展会，它被装在了海信T91手机上。
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三星 存储卡 UFS
Mar. 20, 2019 ----
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查指出，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季各类NAND
Flash产品合约价综合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash转为供过于求以来跌幅最剧的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析师叶茂盛表示，历经第一季的需求低谷之后，智能手机、笔记本电脑及服务器等主要需求较第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供应商
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NAND UFS SSD
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND eMMC UFS
在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。 在使用期的性能恒定。 固态硬盘(SSD)写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。 随着PCIe销售额的增加，SATA逐渐消失不见
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NAND UFS
DDR硬件设计要点 1. 电源 DDR的电源可以分为三类： a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。 有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以P
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DDR，PCB
在高速数字接口中，并行总线越来越少。原因很简单，随着系统频率的提升，并行总线在板级建置时已经遭遇到实体瓶颈，抖动、串扰、信号偏移、传输路径不
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UFS emmc 数字接口
相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。 具体来说，LPDDR5的速度将达到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC厂商Synopsys透露的，LPDDR5将引入WCK差分时钟，类似于GDDR5，从而在不增加引脚的情况下提升频率。 此外，LPDDR5还将引入
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LPDDR5 UFS 3.0
DDR的种类： 1、DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍数据率同步动态随机存取存储器; 2、DDR2 SDRAM：Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器; 3、DDR3 SDRAM：Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Ra
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DDR 三星
似乎中国已经要赶上国外主流水准，但是业内却传出DDR内存已经过时，新的内存即将取代，这无疑给国内的DDR内存制造厂商当头一棒。
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内存 DDR
2月26日，美光发布了专为安卓旗舰机打造的UFS 2.1标准闪存，容量设计为64GB、128GB和256GB。
颗粒选用TLC，3D 64层堆叠，美光强调基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。
由于是第二代3D闪存，美光称性能提升了50%。
单Die面积59.341mm2，32GB，号称业内最小。因此，在同样芯片面积下的总容量翻番。
新闪存将于今春发货，2018年下半年开始出现在智能机中。
由于此前，UFS2.1能稳定供货的只有三星和东芝，导致价格较高，美
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三星 UFS
三星电子(Samsung Electronics)于2018年2月宣布最新256GB嵌入式通用快闪储存(embedded Universal Flash Storage, eUFS) 2.1解决方案已开始量产， 是业界首款将固态技术协会(JEDEC)的UFS 3.0标准导入汽车应用的储存设备。
三星电子在2017年9月宣布首款128GB eUFS技术有所突破之后，于近日发布量产256GB eUFS 2.1车用内存。 该储存设备将为下一代驾驶辅助系统(ADAS)、车用娱乐系统与仪表板应用带来更好的
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三星 UFS
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