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一文看懂nand、emmc、ufs、emcp、umcp、ddr、
华为P10“闪存门”其实就是一些消费者在购买P10手机后，经过测试发现，华为P10系列手机闪存速度出现了明显差异的情况。用户测试结果显示，有部分手机的闪存速度约为200MB/秒，而根据网上公布的评测参数来看，以华为官方配置的P10实际速度应该可以达到800MB/秒左右。而最终测试的结论就是华为P10的闪存存在UFS和eMMC混用的问题。
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闪存 UFS eMMC
对于UFS闪存和eMMC闪存之间究竟存在着什么不同，到底在哪些方面会影响用户的使用体验?这些问题恐怕不是每一个玩家都可以轻松答出，这次我们就顺藤摸瓜，给大家理一理UFS闪存与eMMC闪存之间的那些事。
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MMC UFS
随着游戏与视讯应用在行动装置上的普及，以及手机处理器性能的提升，eMMC的性能已经不能满足行动装置对于内存读写性能的要求，新一代的通用闪存储存(UFS)规格应运而生。
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eMMC UFS
通用快闪存储器标准(UFS)可望取代eMMC，成为移动存储器储存系统新主流，将成为未来旗舰手机标准配备，吸引存储器控制芯片厂群联与慧荣争相推出产品卡位。
随着4K影音与虚拟实境等技术日渐成熟，引爆旗舰智能手机对更高速、超高画质影音的储存需求，研调机构IHS预期，UFS可望在5年内取代eMMC，成为移动存储器储存系统新主流。
瞄准UFS未来发展潜力，群联抢在去年底即推出支援3D TLC的UFS 2.1快闪存储器控制芯片PS8311，预计今年第1季量产出货;群联并计划今年再推出一系列UFS芯片
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UFS eMMC
一、内存测试中的难点内存广泛应用于各类电子产品中，内存测试也是产品测试中的热点和难点。内存测试中最为关键的测试项目为DQ/DQS/CLK之间的时序关系。JEDEC规范规定测量这几个信号之间的时序时测试点需要选择在靠
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虚拟探测 DDR 信号去嵌测试
实现数据的高速大容量存储是数据采集系统中的一项关键技术。本设计采用Altera 公司Cyclone系列的FPGA 完成了对DDR SDRAM 的控制，以状态机来描述对DDR SDRAM 的各种时序操作，设计了DDR SDRAM 的数据与命令接口。用控
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SDRAM FPGA DDR 控制器
引言：DDR4 等存储技术的发展带动存储器速度与功率效率空前提升，仅仅停留在一致性测试阶段，已经不能满足日益深入的调试和评估需求。DDR 存储器的测试项目涵盖了电气特性和时序关系，由JEDEC明确定义，JEDEC 规范并
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高速存储器 一致性测试 DDR
高速电路设计领域，关于布线有一种几乎是公理的认识，即“等长”走线，认为走线只要等长就一定满足时序需求，就不会存在时序问题。本文对常用高速器件的互连时序建立模型，并给出一般性的时序分析公式。为
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PCB DDR SDRAM PHY芯片
SDRAM与DDR SDRAM
SDRAM是比较久远的事情了，但我们一说到它肯定不会和 DDR混淆，我们通常理解的SDRAM其实是SDR SDRAM,为SDRAM的第一代，而DDR1则为第二代，乃至到我们现在使用的DDR4，其实为第五代SDRAM，在此需要澄清一下。以示区别，后续文 章里面用SDR来特指SDR SDRAM，而DDR就特指DDR SDRAM了。
就像很多人回复的一样，他们的本质区别就是周期操作方 式(也称时钟采样)的差异，这就导致后面设计上很大的不同。SDR都是“
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DDR SDRAM
混合信号半导体解决方案供应商 IDT® 公司宣布支持基于 Nehalem 的 Intel® Xeon® 处理器，该处理器采用可进行生产的 PCI Express®(PCIe®)交换和计
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IDT DDR
射频功率、成像和高可靠性半导体解决方案领域的领军企业 e2v aerospace and defense, Inc. (e2v ad) 近日宣布，将延长世界领先高级存储解决方案供应商之一 Mic
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Micron e2v DDR
DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基础上改进而来，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR。
说到这里，很多人可能会问SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼，怎么区别的?小编还是来简单普及下关于存储的基础知识吧。
ROM 和RAM指的都是半导体存储器，ROM是只读存储器(Read-Only Memory)的简称，是一种只能读出事先
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DDR DRAM
UFS记忆卡在多媒体资料传输上具有优势，其连续读取速度可达每秒530MB，与SATA固态硬碟相当，是一般microSD卡的5倍，连续写入速度则是高阶microSD卡的2倍。以读取5GB的Full HD电影时，UFS卡只要10秒，而microSD则需50秒。
三星电子(Samsung Electronics)于本周四(7/7)发表了全球首款的“通用快闪储存”(Universal Flash Storage，UFS)记忆卡，这款专为高解析行动摄影装
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三星 UFS
eMMC芯片由NandFlash、控制器和标准接口组成，在应用上，和NandFlash比较，由于控制器的存在，不必考虑ECC和坏块管理策略，所以eMMC的应用比较简单。但是，eMMC烧写只需要把数据烧进去就可以了吗?为什么数据写进去了，系统还是跑不起来?
eMMC自诞生以来，就受到各行各业的追棒，如今，已成为存储行业的主流，特别是手机和平板。美国的IHS iSuppli预测到2018年全球的eMMC出货量达到2200Milion。
图
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eMMC 寄存器
存储技术飞速发展，存储成本越来越低，但是我们买到的U盘，硬盘容量却仍然总是会比标称值少很多，是厂商为了节约成本还是有其他苦衷?今天，就让我们从芯片角度，了解一下存储设备实际容量总是小于标称值更深层次的原因。 随着存储技术的飞速发展，存储芯片的存储密度和存储速度都得到了很大的提升，而存储芯片的成本却在不断降低，还记得几年前买个8G的U盘需要60块大洋，而现在仅需要20多块钱，手机也从几年前的4G机身内存飙升到现在的64G、128G内存。
话虽这么说，但是我
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eMMC 8G
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