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2025年12月4日，九风山（JFS）实验室宣布了一项重大技术突破——氮化镓（GaN）动力模块的成功开发。这些大约拇指大小的“黑盒子”，每个大约有百万个缩略图，可以集成到一个1吉瓦（10亿瓦）的超大规模AI计算柜中。一旦......
瞬态电压抑制器（TVS）二极管保护设计用于特定电压范围内工作的电子信号线和接口。超过这些限制会使敏感半导体面临干扰或永久性损伤。一种常见的保护方法是这种专用二极管，通常缩写为TVS。标准的静电静电保护设备设计用于高压、低......
固态变压器（SST）是一种交流-交流变压器，有时也称为电力电子变压器（PET），在绿色能源系统、云数据中心、电动汽车快充器和智能电网基础设施等应用中取代了传统的磁性变压器。它们比传统变压器更小更轻，能够支持更好的电力质量......
在设计和应用IPM器件时，电流参数是影响性能的关键指标之一。然而，不同电流参数的含义可能会对应用设计产生重要影响。本文将详细解析IPM数据手册中常见的几种电流定义，包括 IC、ICP、IO(peak) 和 IO......
在轨道交通、风电变流器等高压大功率应用中，提升功率密度和系统效率是关键挑战。传统硅基IGBT模块虽成熟可靠，但受限于材料特性，难以满足高频、高效的新需求。英飞凌推出的3.3kV CoolSiC™ MOSFET XHP2模......
本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。芯片同时用于62mm封装的半桥模......
本文将探讨采用交替式降压-升压控制的优势，并深入剖析影响降压-升压架构瞬态响应的控制局限性。此外，文中将针对各工作区域提供优化瞬态性能的策略。H桥降压-升压集成电路(IC)通常用于即使系统电池电压降至较低水平时仍需要恒定......
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统......
简介在车辆电气系统中，高压到低压的 DC/DC 转换器是一种可逆的电子器件，它可以将车辆高压电池（如 400V 或 800V）输出的直流电转换为较低的直流电压 (12V)。这类转换器可以是单向或双向的。常见功率级别为 1......
2025年12月10日 - Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，发布四款全新的 Riedon™ 金属箔电阻系列。FPM 系列、FPV 系列、FWP2324 系列和FPY 系列 专为高精度......
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