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氮化镓（GaN）单片双向开关正重新定义功率器件的电流控制范式。 传统功率器件（如MOSFET或IGBT）仅支持单向主动导通，反向电流需依赖体二极管或外接抗并联二极管实现第三象限传导。这种被动式反向导通不仅缺乏门极控制能力......
财联社5月12日电，宁德时代在港交所公告，在港上市拟发行1.179亿股H股（视乎发售量调整权及超额配股权行使与否而定），最高发行价为263港元/股。预期5月13日至5月16日期间定价，5月20日开始在港交所买卖。......
半导体行业正处于性能、效率和可靠性必须同步发展的阶段。AI 基础设施、电动汽车、电源转换和通信系统的需求正在将材料推向极限。氮化镓 （GaN） 越来越受到关注，因为它可以满足这些需求。该行业已经到了这样一个地步......
引言碳化硅（ SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，......
高效率和高功率密度是为当今产品设计电源时的关键特性。为了实现这些目标，开发人员正在转向氮化镓 （GaN），这是一种可实现高开关频率的宽带隙半导体技术。与竞争对手的功率半导体技术相比，GaN 最大限度地减少了所需无源元件的......
前沿动态德州仪器 (TI) 于 5 月 6 日至 8 日在德国纽伦堡举办的电力转换与智能运动（Power Conversion, Intelligent Motion，PCIM）展览会上展示新的功率管理产品和设计。德州仪......
英飞凌凭借其高性能功率开关器件和EiceDRIVER™列的隔离栅极驱动器而闻名，每个功率开关都需要驱动器，对于驱动器的选择，英飞凌共有441个不同的型号（截止2025年1月16日），分别属于非隔离型、电平位移型和采用无磁......
一、厚膜电阻技术特性与市场定位厚膜电阻作为电子电路基础元件，采用丝网印刷工艺在氧化铝基板上沉积电阻浆料（主要成分为RuO₂或Ag-Pd合金），经高温烧结形成功能性电阻层。其技术特性与市场定位可通过以下关键参数体现：（注：......
在消费电子市场高速发展的当下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）已成为现代家电设备中不可或缺的核心器件。凭借其优异的开关特性、低导通损耗及出色的热管理能力，IGBT技术正持续推动家电产品能效升级。安世半导体推出的650 V G......
Menlo Microsystems 今天在纽伦堡的 PICM 上展示了一种将其 MEMS 继电器（微型机电继电器）扩展到“10MW 及以上配电和控制系统”的方法。该演示基于该公司的 MM9200 300V 10A 单刀......
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