随着总统审查期结束，美国国际贸易委员会（US ITC）全体委员会于2026年5月7日作出的最终裁定获确认维持并正式生效。该裁定确认英诺赛科侵犯了英飞凌一项涉及氮化镓（GaN）的技术专利，因此对英诺赛科相关侵权产品实施进口及销售禁令。英飞凌科技高级副总裁、氮化镓系统业务线负责人 Johannes Schoiswohl 表示：“此次裁决再次彰显了英飞凌在知识产权体系方面的坚实基础，也进一步体现了我们积极保护英飞凌专利组合、维护行业公平竞争环境的承诺。凭借业界领先的300毫米氮化镓制造能力，我们具备独特优势，能
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【2026年6月19日，德国慕尼黑讯】德国慕尼黑地方法院（Landgericht München I）于当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓（GaN）技术的两项进一步专利侵权案件作出判决（分别基于一项专利及一项实用新型），均裁定英飞凌胜诉。 此案涉及中国公司英诺赛科未经授权使用英飞凌已取得专利的氮化镓技术。根据本次判决，法院禁止英诺赛科在德国境内制造、销售及推广更多侵权产品。此外，法院还裁定英诺赛科需向英飞凌支付损害赔偿。 此次判决标志着英诺赛科在相关系列诉讼中的第三
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针对与德国芯片厂商英飞凌的专利纠纷，英诺赛科于 5 月 8 日发布新闻稿宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前在售氮化镓（GaN）功率器件未侵犯英飞凌专利，可不受限制地继续在美国进口与销售。据英诺赛科披露，委员会全体成员维持了行政法官的认定，判定英诺赛科未侵犯美国专利号 9,070,755；同时确认，英诺赛科经重新设计、现已用于量产销售的产品，不在美国专利号 9,899,481 的保护范围之内。委员会还宣告该’481 专利另有四项权利要求无效
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美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令，仍需经过为期60天的美国总统审查期后才能生效。而作为对终裁的回应，英诺赛科宣布，ITC在第337‑TA‑1414号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。原文如下：ITC全体委员一致同意英
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· 美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会在针对英诺赛科的专利侵权案中做出裁决，裁定英飞凌胜诉· ITC下令对英诺赛科在美国销售的氮化镓产品实施进口及销售禁令· 此项裁决再次凸显了英飞凌行业领先专利组合的价值 【2026年5月8日，德国慕尼黑讯】美国国际贸易委员会（ITC
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_____2025年12月，汇川联合动力与英诺赛科共同宣布，采用650V氮化镓的新一代6.6kW车载充电系统在长安汽车成功装车。这标志着氮化镓技术在中国新能源汽车领域迈出关键一步。该系统将车载充电器与车载直流变换器高度集成，功率密度达4.8kW/L，较传统方案提升30%，重量减轻20%。这意味着，更小体积的电源模块却能提供更高功率的充电效率。随着800V高压平台在电动汽车中的普及，对电源系统的要求日益提高。技术的成熟和成本的下降，使得氮化镓有望在多个领域替代传统件可能成为未来发展方向。尽管氮化镓技术前景广
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● 美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国● 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值● 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用英飞凌300mm GaN技术美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司拥有的一项氮化镓（GaN）技术专利1。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中
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专利侵权案
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安森美（onsemi）近日宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力，以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性价比、节能高效的解决方案，推动 GaN 技术普及进程。新闻概要：● 此次合作将扩展安森美的中低压GaN功率产品组合，并在全球范围内扩大GaN制造规模，从而加快产品上市速度并推动更广泛的应
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安森美
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全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM)，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innoscience，港交所：-2577.HK) 宣布达成战略合作，推出了一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了 Allegro 的先进栅极驱动器技术和英诺赛科高性能氮化镓。这一创新解决方
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AI数据中心电源
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2025年9月29日，苏州纳芯微电子股份有限公司（以下简称：纳芯微）、联合汽车电子有限公司（以下简称：联合电子）与英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）共同签署战略合作协议。三方将聚焦新能源汽车功率电子系统，联合研发智能集成氮化镓（GaN）相关产品。全新开发的智能GaN产品将依托三方技术积淀，提供更可靠的驱动及GaN保护集成方案，进一步提升系统功率密度。三方还将协同推动相关解决方案的产业化落地，助力新能源汽车产业的可持续发展与价值提升。签约仪式现场合影见证代表：图中：联合电子副总经理 郭晓
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● 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术● 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 （STMicroelectronics，简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优
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Layout设计中的几个关键步骤是布局、走线、铺铜、散热，英诺赛科高压单管GaN的Layout设计也不例外。反激拓扑是高压单管GaN的典型应用，快充场合常用。该拓扑在地线的处理上都需特别注意，如下图所示，Layout时辅助绕组地、IC信号地功率地在bulk电容处汇合，避免IC地受干扰导致驱动振荡。在GaN应用时，Layout上还需注意以下方面：1) 由于电流检测电阻的存在，此种场合GaN的开尔文脚与源极直接连接，否则电流采样电阻失去作用。2) Source端与bulk电容地的走线尽可能短、粗，减小寄生电感
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致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案。图示1-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案的展示板图在实现“双碳”目标的大背景下，风能、光伏等绿色能源形式正逐步成为推动可持续发展的核心动力。然而，自然界的能源供给存在固有的不稳定性，这要求
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储能电源
据英诺赛科官微消息，12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）在香港联合交易所主板挂牌上市。据了解，英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。据悉，英诺赛科此番战略配售，吸引了包括意法半导体（STMicroelectronics）、江苏国企混改基金、东方创联以及苏州高端装备在内的4名基石投资者，合共认
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案例聚焦新一代替代硅技术 (加利福尼亚州，埃尔塞贡多）-- 氮化镓（GaN）技术的全球领导者宜普电源转换公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）于今日向美国联邦法院和美国国际
贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的
四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下统称英诺赛科）侵犯。 这些专利
涉及宜普公司独家的增强型氮化
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据看看新闻网报道，目前，英诺赛科（苏州）半导体有限公司项目主体施工已经完成。资料显示，英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币，注册资本20亿元，占地368.6亩，主要建设从器件设计，驱动IC设计开发，材料制造，器件制备，后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。据规划，项目开工后两年内投产，投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标，年销售收入约
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英诺赛科介绍
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