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在单芯片中提供全部关键的定时功能 ——新的时钟IC具有低抖动、高集成度特性，提高了系统的可靠性并且降低了成本。 美国模拟器件公司（Analog Devices, Inc.，纽约证券交易所代......
爱特梅尔推出业界首款支持千兆字节以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存储容量的ARM7 闪存微控制器 通用内存接口 (UMI) 配有错误纠正代码控制器， ......
海力士与ST的合资晶圆制造厂终于落户无锡，这座占地800余亩的新厂位于无锡新区，主要制造NAND闪存和DRAM存储器芯片。这个晶圆厂的一期工程总投资为20亿美元，成为迄今为止我国单体投资最大的半导体项目，同时它也是无锡市......
1 引言 闪速存储器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等许多优点，广泛应用于通讯设备、办公设备、家用电器、医疗设备等领域。利用其保存信息的非易失性和在线更新数据参数的特性，可将其作为具有......
1 引言 FLASH（闪速存储器）作为一种安全、快速的存储体，具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点，已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其他存......
全球最大的半导体公司之一意法半导体公司（纽约证券交易所：STM)和另一家大型半导体厂商海力士半导体（Bloomberg:000660KS）今天为在中国江苏省无锡市合资建立的存储器芯片前端制造厂举行了正式的开业典礼。中国地......
在经过半年的降价之后，全球NAND闪存市场最近出现了复苏的一些迹象。 据悉，NAND闪存芯片的合同价格最近开始反弹。根据内存闪存市场机构DRAMeXchan......
美国半导体厂商Micron美光表示，他们将于2007年在NAND闪存业务上投入35亿美金的巨资，以扩充生产NAND闪存的设备之用。 产业分析师认为，美光之所......
奇梦达公司和南亚科技公司宣布已成功获得75纳米 DRAM 沟槽式(Trench)技术之验证，最小之制程尺寸为70纳米, 第一个75纳米之产品将为512Mb DDR2 内存......
iSuppli表示， DRAM芯片生产商的库存量已下降至20个月来最低水准，因开学季带动个人电脑销售增长。 这家美国研究......
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