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DRAM厂茂德科技日前宣布，与马来西亚晶圆代工厂SiTerra技术合作，成功开发高电压制程技术，携手进军智能型手机应用市场。 茂德表示，与SiTerra合作主要是希望结合双方优势，将SiTerra先进高电压制程......
韩国半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。 海力士相关......
南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。 海力士相关......
北京时间6月7日下午消息，Rambus周一与飞思卡尔就内存控制器和串行连接专利达成授权协议，该协议为期5年，Rambus将撤销之前对飞思卡尔的所有诉讼。 Rambus去年12月对飞思卡尔提起诉讼，要求美国国际贸......
存储器模块厂金士顿(Kingston)不畏存储器景气波动，2010年全球独立DRAM模块厂市占率首度突破50%大关，NAND Flash市场布局也成功跨足固态硬盘(SSD)市场，面对台湾上游DRAM厂仍处于生存困境的......
由于苹果等大型企业的需求不够强劲，导致5月的NAND闪存芯片合约价格“快速”降低。 今年5月的NAND芯片价格的降幅已经超过15%，现货市场的降幅则在20%左右。苹果仍是NAND闪存芯片的最大买家，但需求提升不......
第2季NAND Flash终端需求太差，新出炉合约报价大跌超过10%，内存模块厂表示，合计整个5月现货报价跌幅达20%，合约价合计跌幅也超过15%，反映终端需求确实需要新刺激，目前市场是底部已临，静待反弹阶段;展望第......
韩国三星公司近日宣布将开始量产基于30nm制程4Gb密度DDR3内存芯片的32GB内存条，这款内存条产品将主要面向云计算以及高档服务器应用。相比之前的40nm制程4Gb DDR3产品,三星30nm制程4Gb DDR3......
据南韩电子新闻报导，全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快......
IHS iSuppli(IHS-US)最新研究报告指出，受惠于动态随机存取内存(DRAM)整体出货量弹升10.8%，今年全球的DRAM模块市场成长仍将持续增长，且连续两年都呈现双位数成长。 ......
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