- 英特尔和美光科技( Micron Technology)日前宣布，已开发出128Gb的NAND闪存，新元件采用了针对闪存改良的20nm工艺制程，将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。
两家公司声称，他们开发出了全球首款独立型128Gb存储器，并表示将立即使用相同的制程量产20nm的64Gb NAND闪存元件，而新的128Gb元件预计2012上半年量产。
英特尔与美光并未描述20nm制程细节，而其他存储器制造目前的制程技术也进展到20~29nm之间。过去曾有报导指出英特尔与美光采
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英特尔 20nm闪存
20nm闪存介绍
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