三大存储器巨头正在投资1c DRAM，瞄准AI和HBM市场

各大存储器企业正专注于1c DRAM量产的新投资和转换投资。主要内存公司正在加快对 1c（第 6 代 10nm 级）DRAM 的投资。三星电子从今年上半年开始建设量产线，据报道，SK海力士正在讨论其近期转型投资的具体计划。美光本月还获得了日本政府的补贴，用于其新的 1c DRAM 设施。
1c DRAM是各大内存公司计划在今年下半年量产的下一代DRAM。三星电子已决定在其 HBM1（第 4 代高带宽内存）中主动采用 6c DRAM。SK海力士和美光计划在包括服务器在内的通用DRAM中使用1c DRAM。
三星电子正在最积极地扩大其 1c DRAM 产能。目前，该公司正在平泽 4 号园区 （P4） 建设一条新的 1c DRAM 量产线，并正在投资将其华城 17 号线转换为 1c DRAM。预计到今年年底，其将确保的产能将达到每月最多 60,000 片晶圆。
SK海力士在7月的2025年第二季度财报中宣布，“1c DRAM的转换投资将于今年下半年开始，将于明年全面实施”，“我们目前正在制定管理计划，具体计划一旦确定，将分享”。
据业内人士透露，改造投资很可能在利川的 M14 晶圆厂进行。M14 是一家晶圆厂，一直在重新利用其一些现有的 NAND 生产线进行 DRAM 大规模生产。SK海力士目前正在讨论拆除那里的旧DRAM设施并引入1c DRAM生产线的计划。

一位半导体业内人士解释说，“1c工艺不仅可以用于服务器的高附加值DRAM，还可以用于HBM4E（第7代HBM），因此这是SK海力士正在关注的领域”，“虽然设施投资尚未确定，但我们预计明年将在该工艺的所有领域进行积极投资。