三星存储业务注入强心剂：12层HBM3E通过英伟达认证

据韩国媒体最新报道，三星第五代12层HBM3E产品通过了英伟达的认证测试，成功进入其供应链体系，这一重大突破对三星意义非凡。随着其技术实力获英伟达认可，这家韩国巨头已与SK海力士、美光形成三足鼎立之势，未来HBM市场的技术竞争料将更趋白热化。

三星作为全球头部的三大主要DRAM制造商之一，过去一直是全球最大的DRAM厂商，但是却由于在HBM竞争中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通过英伟达的认证花费了约18个月，去年2月三星向英伟达提供首批12层HBM3E芯片样品测试，期间曾多次尝试达到英伟达严苛的性能标准，但均以失败告终。

近年来，随着人工智能（AI）对于训练及推理计算资源需求的持续增长，也带动了AI芯片对于HBM内存的需求。而HBM3E则凭借超过1TB/s的总线速度，成为英伟达、AMD、英特尔最新AI芯片（如英H200/B100/B200、MI350X）必备元件，没有HBM3E，这些芯片的算力就无法完全释放。

英伟达与三星在HBM领域的合作纠葛已持续数月：最初三星在打入英伟达供应链时遭遇阻碍，此前有报道称三星HBM3产品存在散热问题，而这一问题源于其DRAM技术缺陷。在HBM3产品折戟后，三星曾转向8层HBM3E方案，但由于采用老旧的1a代第四代DRAM技术，导致性能与散热问题并存，该方案最终未获英伟达认可。据悉，三星此次通过大幅改进DRAM设计，并对HBM业务进行重资产投入，才实现了技术突破。报道指出，这不仅关乎HBM销售带来的潜在营收，更是一场必须赢下来的保卫战。

SK海力士去年9月率先开始量产HBM3E 12层芯片，并成为了英伟达的主力供应商；随后，美光的HBM3E在今年第一季通过英伟达认证。鉴于英伟达目前主要依赖SK海力士与美光供货，而SK海力士、美光今年配额已全数售罄，预计三星初期获得的HBM3E订单规模有限。

如今据KED Global披露，三星已正式通过英伟达的12层HBM3E产品认证，这意味着该公司将与SK海力士、美光共同成为英伟达HBM供应链的核心供应商。对三星而言，此次供货的意义更多在于技术认可而非短期营收。获得英伟达的认证标志着其存储技术重回正轨，为其低迷的存储业务注入强心剂。

凭借此次突破，三星能在高带宽内存的第六代产品HBM4领域开始与竞争对手同步布局。更值得关注的是，三星宣称已借助最先进的10nm级DRAM (1c) 技术及自家4nm逻辑芯片，实现HBM4产品11Gbps的数据传输速率，成为行业首个达此指标的厂商。未来HBM4供应体系有望进一步扩展至AMD、博通及谷歌等科技巨头。

SK海力士仍然是英伟达的主要HBM供应商，并表示已完成HBM4的开发，并准备进行量产，虽然提到了“超过10Gb/s”的性能，但尚未公布芯片规格、功率目标或工艺细节。相比之下，三星在节点迁移方面更为积极，其HBM4基础芯片正在转向4nm FinFET工艺，旨在支持更高的时钟速度和更低的开关功耗。

HBM4预计将于明年在英伟达的下一代图形架构Vera Rubin中首次亮相。分析师表示，如果下一轮HBM4芯片测试成功，三星将能够在人工智能计算核心内存领域夺回市场份额。