三星据报道首次外包光掩模，着眼于新的 EUV 光掩模技术

根据 The Elec 报道，援引行业消息人士称，三星首次外包光掩模——芯片制造中至关重要的组件。报道称，三星据说正在外包低端光掩模用于内存芯片，这表明其策略是将资源转向 ArF 和 EUV 掩模生产。

本月早些时候，三星据报道向美国光掩模制造商 Photronics 的子公司 PKL 订购了用于内存生产的 i-line 和 KrF 光掩模。报道补充说，日本的 Tekscend Photomask 也在评估中，预计很快将收到订单。

报道指出，由于这些是低端芯片的掩模，三星认为它们泄露技术的风险很小。然而，与外包相比，在内部生产掩模仍然更便宜，正如报道所述。

报告指出，光掩模利用光将电路图案转移到晶圆上，并根据所使用的波长进行分类。i-line 使用 365 纳米（nm）的波长进行简单设计；KrF 在 248 nm 处实现中等分辨率；ArF 在 193 nm 支持 更复杂的图案；而极紫外光（EUV）在 13.5 nm 用于最先进的设计。

值得注意的是，芯片制造商所需的光掩模数量正在增加。虽然 DRAM 最初只需要 30 到 40 个掩模，但正如报告指出的那样，先进 DRAM 现在使用的掩模数量超过 60 个，这得益于多重图案等技术。

报告援引消息人士的话称，韩国的光掩模市场去年价值约 7000 亿韩元的中期水平。国内光掩模制造商的工厂产能超过 90%，订单已满。因此，报告建议三星外包光掩模生产可能会使竞争对手的晶圆厂更难获得供应。

三星推动逻辑芯片的光掩模研发

三星公司也在推进光掩模技术的研究与开发。据《Sisa Journal》报道，该公司正在加速在逻辑半导体生产中采用相移掩模（PSM）。PSM 通过调整曝光过程中的光线相位来提高晶圆电路图案的精度。据报道，三星正在开发将 PSM 应用于 EUV 光刻工艺的方法。正如报道所示，随着光刻技术现在达到 3 纳米及以下，采用带有相移层的 PSM 变得日益重要。