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2025年第二季度全球DRAM市场分析

作者: 时间:2025-08-28 来源: 收藏

在AI需求爆发与高价值产品渗透的双重推动下,2025年第二季度全球市场实现量价齐升。根据CFMS最新数据,二季度市场规模环比增长20%至321.01亿美元,同比增长37%,创历史季度新高。

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头部厂商中,凭借3E及高容量DDR5的先发优势,二季度销售收入达122.71亿美元,环比增长25.1%,市场份额提升至38.2%,连续第二个季度稳居全球第一,并进一步拉开与的差距。

· 以107.58亿美元收入位列第二,环比增长13%,市场份额33.5%;

· 科技收入70.71亿美元(统计周期为2025年3-5月),环比增长15.5%,市场份额22%。

传统供需失衡

CFMS分析指出,AI服务器对3E及高容量DDR5的需求激增,叠加数据中心采购升温,成为市场增长主引擎。与此同时,头部厂商加速DDR4产能缩减以转向先进制程,导致传统DDR4/LPDDR4X供需结构失衡,价格与需求快速攀升。

这一趋势推动南亚科技与华邦电子等中小厂商业绩暴涨:

· 南亚科技二季度收入3.43亿美元,环比增长54.8%,市场份额1.1%;

· 华邦电子收入1.83亿美元,环比增长24.1%,市场份额0.6%。

国内存储供应商亦受益于传统DRAM涨价潮,并通过产能扩张满足本土市场需求。CFMS预测,随着技术升级与供应链整合深化,国内厂商市场份额有望在2025年内持续扩大。

全球DRAM竞争进入新阶段

均表示,将进一步扩大3E及128GB DDR5等高附加值产品产能。预计,2025年HBM市场规模将突破150亿美元,占DRAM总市场比重超20%。

与此同时,数据中心与汽车智能化对大容量、高带宽存储的需求,将持续推动DRAM技术向更先进制程演进。CFMS指出,2025年下半年,1β(约10nm级)制程DDR5产品有望逐步量产,进一步拉动市场增长。

AI与数据中心需求的爆发,正重塑DRAM市场格局。凭借HBM技术领先优势巩固霸主地位,而传统DRAM的供需失衡则为中小厂商带来阶段性机遇。随着国内厂商加速技术追赶,全球DRAM竞争有望进入新阶段。


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