英特尔和软银合作为AI数据中心开发高能效HBM替代品

美国芯片巨头英特尔与日本科技和投资巨头软银合作，构建了 HBM 的堆叠式 DRAM 替代品。据日经亚洲报道，这两家行业巨头成立了 Saimemory，以基于 Intel 技术和日本学术界（包括东京大学）的专利构建原型。该公司的目标是到 2027 年完成原型和大规模生产可行性评估，最终目标是在本十年结束前实现商业化。

大多数 AI 处理器使用 HBM 或高带宽存储芯片，非常适合临时存储 AI GPU 处理的大量数据。然而，这些 IC 制造复杂且相对昂贵。除此之外，它们很快就会变热并且需要相对更多的功率。该合作伙伴关系旨在通过堆叠 DRAM 芯片，然后找出一种更高效地连接它们的方法来解决这个问题。这样，与类似的 HBM 芯片相比，堆叠式 DRAM 芯片的功耗减少了一半。

如果成功，软银表示希望优先供应这些芯片。目前，只有三家公司生产最新的 HBM 芯片：三星、SK 海力士和美光。对 AI 芯片永不满足的需求意味着 HBM 供应可能难以维持，因此 Saimemory 旨在通过其替代品垄断市场，至少在日本数据中心方面是这样。这也是日本 20 多年来首次以成为主要存储芯片供应商为目标。日本公司在 1980 年代曾经主导市场，当时它们制造了全球约 70% 的供应。然而，韩国和台湾竞争对手的崛起已将其许多存储芯片制造商挤出市场。

这并不是半导体公司第一次试验 3D 堆叠 DRAM。三星早在去年就已经宣布了 3D 和堆叠 DRAM 的计划，而另一家公司 NEO Semiconductor 也在研究 3D X-DRAM。然而，这些都集中在扩大每个芯片的容量上，内存模块的目标是具有 512GB 的容量。另一方面，Saimemory 的目标是降低功耗——这是数据中心迫切需要的，尤其是在 AI 功耗每年都在增加的情况下。