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nand flash 文章

3D NAND微缩极限近了吗?

  • 随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...
  • 关键字: 3D NAND  摩尔定律  

一招教你如何使用嵌入式参数代码,入门必懂知识

  • 一招教你如何使用嵌入式参数代码,入门必懂知识-如果有几个设置参数需要存储到Flash中,我们一般会怎么存储呢?将不同的参数都存储到不同的页中,还是将这几个参数捆绑成一种结构体,每次修改都同时写入一次呢?将参数存储到固定的地址,则每个参数都将占用Flash的一个块。而将全部参数捆绑一起存入Flash块中,那么只有一个参数修改时,也需要将全部参数一起存一遍。那么有什么更好的方法吗?
  • 关键字: ram  flash  源代码  

群联潘健成:未来五年 NAND供不应求

  •   内存股王群联电子昨(27)日举行股东临时会补选一席董事,由日商东芝内存株式会社(TMC)当选。在市场供需方面,群联董事长潘健成乐观表示,未来五年,储存型闪存(NANDFlash)将持续供不应求。   台湾东芝先进半导体因集团组织调整,今年8月1日辞去群联董事,群联昨日召开股东临时会补选,并顺利由东芝内存株式会社当选。   潘健成表示,东芝内存主导负责东芝的全球半导体事业,东芝已将群联股权移转给东芝内存;而群联与东芝间不仅相互投资,也透过合作互补,强化技术,双方关系将比过去15年更加紧密,在产业的竞
  • 关键字: NAND  

2018年NAND Flash供给年增42.9%,全年度供需由紧俏转为平衡

  •   根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年NAND Flash产业需求受到智能手机搭载容量与服务器需求的带动,加上供给面受到制程转进进度不如预期的影响下,供不应求的状况自2016年第三季起已持续六个季度;展望2018年,NAND Flash供给将增加42.9%,需求端将成长37.7%,明年整体供需状况将转为供需平衡。   DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出,从NAND Flash的供给面来看,因为NAND制程从2D转进3D不如预期,导致2017年非三星阵营的新
  • 关键字: NAND  西数  

NAND闪存市场持续高涨,NAND闪存市场持续高涨,2020年将超DRAM

  • 9月6日,深圳市闪存市场资讯有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主办了“中国存储·全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit 2017),本文根据部分会议内容整理了国内外NAND闪存及部分非易失存储器市场信息。
  • 关键字: 闪存  NAND  3D Xpoint  201710  

2017年全球存储市场规模将达950亿美元

  •   日前,由深圳市闪存市场资讯有限公司主办的、以“中国存储 全球格局”为主题的中国闪存市场峰会在深圳圆满落幕。本次峰会齐聚三星、英特尔、美光、Marvell、谷歌、英伟达、Marvell、江波龙、慧荣、硅格、汉德资本、海康存储等企业重量级嘉宾,一起探讨存储产业未来发展和企业市场发展机会。峰会吸引全球近700家企业参会,其中包括东芝、西部数据、SK海力士、长江存储、华为、联想、中兴、网易、腾讯、阿里巴巴等企业参会,涵盖领域包括存储企业、手机、电脑、汽车、工业、大数据应用等,参会观众超
  • 关键字: NAND  闪存  

东芝宣布出售予美日联盟,加速提升3D NAND产能追赶三星

  •   集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,东芝公司已正式在9月20日决定将旗下半导体事业以2兆日圆出售给由美国私募股权业者贝恩资本(Bain Capital)代表的美日联盟,,由于此出售案较预期延宕,对于NAND Flash市场的产能影响,预期要到明年上半年才会趋于明显;中长期而言,在资金到位的情况下,将有助东芝在3D-NAND产能与技术上力拼三星。   DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出,此次出售案的收购对象日美韩联盟成员中包括日本政府支持的产业革新机构(INCJ)财团、
  • 关键字: 3D NAND  东芝  

东芝半导体如此多娇,引无数科技大佬竞折腰

  • 到底为什么东芝半导体可以引起如此大的波澜?产品和技术有什么过人之处?鸿海为首的“不差钱”军团又希望从东芝半导体得到什么?小编给你一一说明。
  • 关键字: 东芝  NAND  

CFM:原厂加码投资扩产64层3D NAND,然部分市场仍缺货到年底

  •   9月6日,由深圳市闪存市场资讯有限公司主办以“中国存储•全球格局”为主题的中国闪存市场峰会(China Flash Market Summit 2017)在深圳华侨城洲际酒店圆满落幕。本次峰会除了齐聚国内外产业链重要企业嘉宾演讲,其中包括三星、英特尔、美光、Marvell、谷歌、英伟达、江波龙、慧荣、硅格、大基金、汉德资本等业界知名企业领导。  当天吸引全球近700家企业参会,其中包括西部数据、SK海力士、长江存储、金士顿、华为、联想、中兴、百度、阿里巴巴等企业参会,涵盖领域包括存储企业、手机、电脑、
  • 关键字: NAND  闪存  

莫大康:中国半导体业要奋力突围

  •   与美国在半导体先进工艺制程等方面的差距,不仅表现在人材,技术等方面,可能更大的差距在于综合的国力,以及产业大环境的改善,所以此次奋力突围一定要取得更大的进步。   01引言   近期华尔街日报撰文“中国的下一个目标夺下美国的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚,它是站在美方的立场,歪曲事实。   此次中国半导体业的“奋力突围”,有两层意义:   一个是差距大,希望迅速的成长,至多是扩大芯片的自给率。   另一个是西方千方百计的阻碍中国半导体业的进步
  • 关键字: NAND  DRAM  

狂扫全球硅晶圆产能 三星3D NAND、DRAM、7纳米制程大扩产

  •   2017年三星电子(SamsungElectronics)同步启动DRAM、3DNAND及晶圆代工扩产计划,预计资本支出上看150亿~220亿美元,远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模,三星为确保新产能如期开出,近期传出已与多家硅晶圆供应商洽谈签长约,狂扫全球硅晶圆产能,并传出环球晶已通知客户自2018年起硅晶圆供应量将减少30%,主要便是为支持三星产能需求做准备。   三星为因应DRAM和3DNAND市场强劲需求,加上在逻辑事业全力投入7纳米制程,企图与台积电一较长短,抢
  • 关键字: 三星  NAND  

三星电子波澜再起 NAND芯片市场风云变幻

  •   8月28日,三星电子宣布,未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过,三星称,“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是,三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗?   波澜的背后   据2017年第二季度财报显示,三星电子营收额高达554.1亿美元,同比增长19%,并且,三星电子以销售额14亿美元的成绩拿下45.9%的NAND Flash市占有率。   有业者分析称,三星第二季度如此强劲的主要原因是苹果等其他电子类产品生产需求旺盛,同时其
  • 关键字: 三星  NAND  

第二季NAND Flash品牌厂营收季成长8%,第三季价格续扬

  •   集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,今年第二季整体NAND Flash市况持续受到供货吃紧的影响,即便处于传统NAND Flash的淡季,各产品线合约价平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手机与平板计算机内的eMMC/UFS以及SSD合约价仍持续小涨,2017年将是NAND Flash厂商营收表现成果丰硕的一年。   DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面临微缩限制,NAND Flash原厂纷纷转进垂直堆栈
  • 关键字: NAND  东芝  

DIGITIMES:声光暂掩的大陆半导体产业发展近况

  •   开年以来大陆半导体产业发展似乎进入沉潜期。首先是年初长江存储CEO杨士宁郑重发布新闻稿澄清,表示从未发表过32层3DNANDFlash今年量产的消息。接下来是中芯国际董事长周子学表达的大陆半导体产业发展“三步走”(注1),指出要花至少15年的时间,大陆才能发展出比较有市场竞争力的企业主体。再来是最近紫光集团表示,由于长江存储的存储器芯片工厂专案投资规模过大,目前尚处于建设初期,短期无法产生销售收入,时机不成熟,停止收购长江存储的股份。虽然似乎大陆整个半导体产业持续其发展动能,但
  • 关键字: 摩尔定律  NAND  

三大内存创最缺且涨势最久纪录,手机品牌包产能

  •   DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大内存会一直缺货到明年,许多客户抢货,已包下南亚科、旺宏和华邦电全部产能。 业界指出,未签订长约的客户,内存供货将短缺,冲击产品上市或出货时程。   集邦、IC Insight等研究机构最近纷纷出具报告,强调DRAM、NAND Flash到年底都处于缺货状态;NOR Flash更因美系二大供货商淡出效应在下半年显现,缺货问题更严重。   业界表示,三大内存应用范围广,尤其NOR Flash几乎是各电子产品储存程序代码关键组件,虽然单价远比DRAM
  • 关键字: NAND  DRAM  
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nand flash介绍

 Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。   NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [ 查看详细 ]

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