- 近日国际半导体产业协会SEMI公布了最新的中国集成电路产业生态系统报告，报告显示，中国前端晶圆厂产能今年将增长至全球半导体晶圆厂产能的16%，到2020年，这一份额将增加到20%。受跨国公司和国内公司存储和代工项目的推动，中国将在2020年的晶圆厂投资将以超过200亿美元的支出，超越世界其他地区，占据首位。 2014年中国成立大基金以来，促进了中国集成电路供应链的迅速增长，目前已成为全球半导体进口最大的国家市场。SEMI指出，目前中国正在进行或计划开展25个新的晶圆厂建设项目，代工厂、DRAM和3D
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晶圆 DRAM 3D NAND
- 内存价格从2016年起一路上扬，但自2018下半年起，由于各厂商产能陆续开出，因此资策会MIC预测内存价格将于开始下滑。 资策会MIC资深产业顾问洪春晖表示，2018年的半导体市场概况是近5年来难得的乐观，尽管2018年内存价格成长空间有限，但NAND Flash需求仍然持续增加。 因此，预估2018年全球半导体市场规模将成长10.1%，其中最大的原因是各应用终端内存需求持续增加，以及车用电子等新兴应用带动。 洪春晖进一步指出，内存受惠于市场价格上扬，2018年全年台湾内存产业产值将成长25%，产
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内存 NAND
- 由于持续受益于存储器芯片热潮，韩国三星电子(Samsung Electronics)今年第二季仍稳坐半导体销售龙头地位，再度超越其竞争对手——英特尔(Intel)。 根据市场研究机构IHS Markit的统计，三星在今年第二季全球芯片市场占15.9%，英特尔约占7.9%。然而，随着NAND快闪存储器(flash)市场显著降温，英特尔已自本季开始缩小与三星的差距，其季成长较三星更高3%。 以半导体销售额来看，三星在第二季的销售额为192亿美元，较第一季成长3.4%，并较2017年第二季成长了33.7
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三星 NAND 英特尔
- 1. 引言 NAND FLASH被广泛应用于电子系统中作为数据存储。在各种高端电子系统中现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用。FPGA灵活的硬件逻辑能实现对NAND FLASH的读写操作。本文中阐述了一种基于NIOS II 软核的NAND FLASH的驱动方法。 2. VDNF2T16VP193EE4V25简介 欧比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量为2Tb、位宽为16位的NAND FLASH，其内部由8片基片拓扑而成，其拓扑结构如下： 其主要特性如下： Ø 总容量
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NAND NIOS II FPGA
- 8月20日，研究机构ICInsights发布了2018年上半年全球半导体供应商Top15榜单，三星位居第一位，英特尔位居第二位。不过遗憾的是，中国大陆暂时没有公司进入这个榜单的前15名。 根据发布的数据显示，三星、英特尔、SK海力士、台积电、镁光排名榜单的前五位，相较于去年同期，这几家公司都有比较明显的增长，特别是三星、SK海力士以及镁光，分列六至十五位的分别是博通、高通、东芝\东芝内存、德州仪器、英伟达、西数\闪迪、英飞凌、恩智浦、意法半导体和联发科。这里，英伟达数据最为抢眼，相较于去年同期，英伟
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DRAM NAND
- 数字信号处理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(时钟性能超过100MHZ)和高速先进外围设备，通过CMOS处理技术，DSP芯片的功耗越来越低。这些巨大的进步增加了D
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硬件设计 FlaSh DSP
- 在最近发布的《麦克莱恩2018年中期报告》(McClean Report 2018)中，IC Insights预测，2018-2022年全球GDP和IC市场相关系数将达到0.95，高于2010-2017年期间的0.88。 IC Insights描述了从2010年到2017年全球GDP增长与IC市场增长之间日益密切的关联，以及到2022年的最新预测。 如图所示，在2010-2017年的时间段内，全球GDP增长与IC市场增长的相关系数为0.88，这是一个强劲的数字，因为完全相关为1.0。在此期间之前的3
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DRAM NAND
- NAND闪存价格2018年以来一直在降低，大家也应该注意到了今年发布的智能手机闪存容量也越来越大了，中高端机中64GB是起步，128GB已经是主流了。NAND闪存降价的趋势在下半年还会继续，因为智能手机出货量增长放缓，而3D NAND闪存产能持续增加，预计Q3、Q4两个季度中NAND价格都会下跌10%，不用过这也加速了大容量SSD硬盘的普及，未来2-3内512GB将成为主流之选。 集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发布了有关NAND闪存市场下半年趋势的报告，认为Q3季度虽然是传统旺季，但是N
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NAND SSD
- 如果有几个设置参数需要存储到Flash中，我们一般会怎么存储呢?将不同的参数都存储到不同的页中，还是将这几个参数捆绑成一种结构体，每次修改都同时写
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工控 FlaSh 嵌入式
- 如果有几个设置参数需要存储到Flash中，我们一般会怎么存储呢?将不同的参数都存储到不同的页中，还是将这几个参数捆绑成一种结构体，每次修改都同时写
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源代码 RAM FlaSh
- 说到STM32的flash，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。当然， FLAS
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STM32 flash
- 今年下半年，随着长江存储、福建晋华、合肥长鑫国内三大存储厂商相继进入试产阶段，中国存储产业将迎来发展的关键阶段。业界认为，国内存储产业发展初期虽难大举撼动全球版图，但或将对全球存储市场价格走势造成影响。 而随着中美贸易局势的紧张，以及中国监管机构正式启动对三星、美光、SK海力士等存储机构的反垄断调查，中国存储产业的发展也愈发受到关注。 目前，中国存储器产业已经形成以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。 近期传出合肥长鑫投产8
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NAND DRAM
- 据韩国媒体报道称，三星已经上调了今明两年在NAND生产上的投资，总计高达150亿美元，这主要用于扩大韩国平泽工厂以及中国西安工厂的3D NAND产能。报道中提到，三星如此投资，只是为了提高NAND产量，所以未来SSD的继续降价是基本没悬念的事。 全球NAND闪存市场份额中，三星排名第一，占有率达到37%，其一举一动直接影响整个行业的发展，而此番投资NAND领域以扩大产能，也势必让竞争对手采用同样的策略。 有报道称，东芝/西数、美光、SK Hynix及Intel都在大举投资NAND产能，今年底到明年
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三星 NAND
- 近日，据IC Insights的数据预测，2018年NAND Flash行业的资本支出(CAPEX)将比预期产量增加40%以上，从2017年的220亿美元增至2018年的310亿美元，属于近8年来的最大增幅。
其中，3D NAND的市场需求，成为驱动NAND闪存资本支出激增的主要因素之一。3D NAND闪存技术采用堆叠的方式处理设备层关系，可以使得每颗芯片的储存容量增加，从而实现更大的结构和单元间隔，利于增加产品的耐用性、降低生产成本。因此深受NAND闪存厂商的追捧，目前已成为NAND闪存厂商的
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NAND CAPEX
- 美光科技有限公司(纳斯达克代码：MU)宣布，中国福建省福州市中级人民法院于今日通知美光科技的两家中国子公司，针对联华电子股份有限公司(以下简称“联电”)与福建省晋华集成电路有限公司(以下简称“晋华”)提起专利侵权诉讼的案件，该法院已批准向美光科技两子公司裁定初步禁令。这次联电和晋华提起专利侵权诉讼，实为报复此前台湾检察机关针对联电及其三名员工侵犯美光商业机密提起的刑事诉讼，以及美光科技就此针对联电和晋华向美国加利福尼亚北区联邦地区法院提起的民事诉讼。 该初步禁令禁止美光科技两中国子公司在中国制造、销
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美光科技 DRAM NAND
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [
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