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nand flash 文章

兆易创新获中芯支援扩产Nor Flash 短期恐对价格冲击有限

  •   据报导, Nor Flash 生产大厂兆易创新(Gigadevice)抢进 Nor Flash 市场,获得代工龙头中芯国际(SMIC)的支持,将提供兆易创新每月 2.5 万片,占全球 Nor Flash 约 30% 的产能,进一步威胁台湾大厂旺宏与华邦电。   不过,根据《科技新报》独家取得的消息,中芯国际供应兆易创新的产能,仅为每月一万片。虽然对当前市场的供货有所帮助,但是对价格的冲击,短期可能有限。   存储器业者透露表示,预定 2018 年第 1 季在兆易创新获得中芯国际支持的产能陆续投片,
  • 关键字: 兆易创新  Flash   

东芝营益飙升近80% 将加码投资Flash

  •   东芝(Toshiba)9日公布财报,受惠于存储器需求畅旺,营益飙升将近80%。该公司并宣布将加码投资存储器。   法新社、路透社、金融时报报导,东芝发布本财年第二季(7~9月)财报,营收年增2.4%至1.24万亿日圆,营益飙升76%至1,351亿日圆(12亿美元),高于路透访调估计的1,245日圆。不过该季仍呈现亏损,净损1,001亿日圆。   东芝营益大增,主因存储器表现强劲,不过东芝已经同意出售半导体事业子公司“东芝存储器”(TMC)给予贝恩资本和SK海力士等集团,代价
  • 关键字: 东芝  Flash  

东芝第二财季运营利润增长76% 芯片业务表现强劲

  •   11月9日消息,据国外媒体报道,日本东芝公司今天公布财报显示,由于受到旗下内存芯片业务强劲业绩的驱动,该公司本财年第二季度运营利润增长了76%。最近,该公司同意将旗下内存芯片业务以180亿美元对外出售。   处于困境状况的这家日本工业巨头表示,本财年7至9月份这个第二季度运营利润从上年同期的768.8亿日元增长至1250,8亿日元(约合12亿美元)。   这个业绩好于分析师预期,汤森路透StarMine SmartEstimate此前根据5位分析师预估,东芝本财年第二季度运营利润是1244.7亿日
  • 关键字: 东芝  NAND  

美光3D NAND技术发威 抢占边缘存储商机

  •   美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后,开始拓展旗下产品线广度,日前耕耘工业领域有成,将推出影像监控边缘储存解决方案,32GB和64GB版microSD卡抢先问世,预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样,同年第2季量产。   美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产,除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域,也积极推动工业领域应用,日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合,以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。  
  • 关键字: 美光  3D NAND  

芯片加密后究竟能不能再次使用?

  •   随着信息技术的发展,信息的载体-芯片的使用也越来越多了,随之而来的芯片安全性的要求也越来越高了,各个芯片厂商对芯片保密性要求越来越高,芯片的加密,保证了芯片中的信息的安全性。经常有客户打电话过来问,这个芯片加密了还能不能用啊。本文通过对芯片的加密的介绍来看看不同的Flash,MCU以及DSP加密的效果。  一、Flash类型芯片的加密  Flash类芯片(包括SPI FLASH ,并行FLASH,NAND FLASH等)加密后一般情况下都是禁止“写”以及“擦除”操作,通过
  • 关键字: 芯片  Flash  

美光3D NAND技术发威 抢占边缘存储商机

  •   美系存储器大厂美光(Micron)3D NAND技术逐渐成熟后,开始拓展旗下产品线广度,日前耕耘工业领域有成,将推出影像监控边缘储存解决方案,32GB和64GB版microSD卡抢先问世,预计2018年第1季128GB和256GB版会开始送样,同年第2季量产。   美光的64层3D NAND技术今年成熟且开始量产,除了主攻服务器∕企业端、消费性固态硬碟(SSD)领域,也积极推动工业领域应用,日前推出全系列的影像监控边缘装置储存解决方案产品组合,以32GB和64GB版microSD卡抢先试水温。  
  • 关键字: 美光  NAND  

IC Insights:全球半导体2017年上调市场预测提升至22%

  •   据IC Insights预测,2017年的IC市场增长率有望提高到22%,较今年年中预期的16%再提升6个百分点,出货量增长率预测也从年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市场预测是由于DRAM和NAND闪存市场的激增。   此外,IC Insights同时调稿对O-S-D(光电子,传感器/执行器和分立器件)市场的预测。总体而言,2017年半导体产业整体预计增长达20%,比年中预期调高5个百分点。   2017年,IC Insights预测DRAM的平均售价将大涨77%,预计今年将推动DRAM
  • 关键字: DRAM  NAND  

CAM350不可不知的两大应用技巧

  • CAM350不可不知的两大应用技巧-有些资料的文字层有很多文字框,且文字框到线路PAD 间距不满足制程能力时;当资料有大面积铜箔覆盖,线路或PAD与铜皮的距离不在制作要求之内,且外型尺寸又较大时...可借鉴本文的处理方法
  • 关键字: Flash  CAM350  PAD  

DRAM/NAND都是啥?科普内存和硬盘的区别

  • DRAM/NAND都是啥?科普内存和硬盘的区别-现如今随着手机的不断推广和普及,已掩盖电脑时代的辉煌,很多新生代的用户都与手机的存储就陷入了茫然。
  • 关键字: DRAM  NAND  存储器  

东芝受恶意攻击导致NAND停产:预估少生产40万TB容量

  •   援引DigiTimes报道,东芝的NAND部门近日遭受了非常严重的恶意攻击,被迫关闭NAND生产线数周时间,这将导致近阶段公司NAND闪存的供应比较紧张。   DigiTimes消息称为了清除恶意程序,东芝公司的NAND生产线将停工3-6周时间才能恢复正常供应,预估将减少10万个wafers产量。PCGamesN网站预估假设这段停产时间正常生产,能够带来5000万个芯片或者40万TB的NAND闪存。   近年来由于智能手机和服务器的需求不断增大,NAND的售价也水涨船高。但是由于NAND厂商在生产
  • 关键字: 东芝  NAND  

DRAM涨潮再起 谁才是真正赢家?

  • DRAM供货吃紧的情况下,其再次出现价格疯涨现象,在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的这场角逐中,也许大家都是赢家。
  • 关键字: DRAM  NAND   

基于magnum 2 测试系统的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试技术研究

  •   摘要:NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用,然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况,针对这种情况,本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法,实验结果表明,此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外,针对NAND FLASH的关键时序参数,如tREA(读信号低电平到数据输出时间)和tBERS(块擦除时间)等,使用测试系统为器件施加适当的控制激励,完成NAND FLASH的时序配合,从而达到器件性
  • 关键字: NAND  magnum   

DRAM与NAND的区别及工作原理

  • DRAM与NAND的区别及工作原理-本文就DRAM与NAND在工作原理上做比较,弄清两者的区别
  • 关键字: DRAM  NAND  RAM  

Nand Flash编程应用难点浅析

  •   Nand Flash存储器是flash存储器的一种,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。  1989年,东芝公司发表了Nand Flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。经过十几年的发展,NAND应用越来越广泛,但是大多数工程师却仍然不知道关于NAND应用的一些难点:分区、ECC纠错、坏块管理等。只有真正了
  • 关键字: Nand Flash  东芝  

3D NAND微缩极限近了吗?

  • 随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...
  • 关键字: 3D NAND  摩尔定律  
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nand flash介绍

 Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。   NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [ 查看详细 ]

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