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nand flash 文章 进入nand flash技术社区

美光科技:DRAM芯片供应紧张将持续数年,NAND产能今年保持稳定

  • 存储芯片大厂美光(Micron)执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示,2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退,今年显现明显复苏,并带动存储器需求增长。目前主要有两种存储器产品,一种是DRAM(动态随机存储器),用于缓存,另一种是NAND Flash(闪存),用于数据的存储。在DRAM领域,韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana称,预期今
  • 关键字: 美光科技  DRAM  NAND  

Flash终于走到生命的尽头,是时候说再见了

  •   Adobe Flash,一个只要在互联网上混过的人应该都听说过的东西。在2020年的最后一天,我们终于和它说了再见。  Flash是一种多媒体创作和播放支持技术,在互联网技术史上曾经扮演过重要的地位。在20多年前网络技术还不像今天一样发达的年代,人们曾经重度依赖Flash制作网页、广告、小软件、游戏等多种多样酷炫、可互动的在线内容。  谷歌这样评价Flash:过去的20年里,Flash塑造了人们玩游戏、看视频和在网络上运行程序的方式。但是,在最近几年的时间里,Flash变得没那么流行了(特别是在谷歌主
  • 关键字: Adobe  Flash    

Windows 10等软件行动:Adobe Flash Player马上被终结

  • 很快2020年就要过去了,而Adobe Flash Player也要跟大家彻底说再见了,微软已经确认Windows 10的下一次更新将自动删除Flash Player。由于Flash Player即将迎来最后的谢幕,目前Adobe公司已经发布了新的弹窗提醒,提醒用户永久删除该软件。微软和Adobe正计划在2021年初共同撤销对Flash的支持,在截止日期之前,Adobe现在已经开始在仍在使用Flash Player的Windows PC上显示弹出通知:“感谢您使用Adobe Flash Playe
  • 关键字: Flash Player  

TDK推出使用3D NAND闪存的高可靠性SSD

  •  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND(TLC或pSLC)闪存·    新一代产品包括5个系列共计6个尺寸TDK株式会社(TSE:6762)将于2020年12月推出新一代闪存产品,该产品拥有5个系列,并针对工业、医疗、智能电网、交通和安全等应用进行了优化。5个系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND闪存控制IC“GBDrive
  • 关键字: TDK  3D NAND  闪存  SSD  

SK海力士90亿美元接盘英特尔NAND业务,存储芯片格局或生变

  • 半导体并购再起。2020年以来,半导体的重磅收购不断。英伟达拟收购ARM,AMD洽谈收购赛灵思,半导体领域接连出现重大变数,金额屡创新高。今天新的主角又登场了 —— SK海力士与英特尔。SK海力士于20日发布公示官宣将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购范围包括英特尔的固态硬盘 (SSD) 业务、NAND闪存和晶元业务,以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。不过,英特尔将保留傲腾 (Optane) 的存储业务。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易,超过三星在20
  • 关键字: SK海力士  英特尔  NAND  存储芯片  

微软:2021年所有版本Windows都将彻底删除Adobe Flash Player

  • 由于Flash技术的使用量减少,以及HTML5、WebGL和WebAssembly等更好、更安全的技术出现,三年前,Adobe、微软和其它行业技术伙伴同时宣布,将在2020年12月放弃Flash Player。微软今天发布了一则对Adobe Flash Player的终止支持文档,再次提醒用户。微软指出,2020年底,Microsoft Edge(新版和旧版)、IE11都将停止对Adobe Flash Player的支持。不过,对于企业用户,还有转圜余地。为了帮助此类客户,Microsoft Edge将允
  • 关键字: 微软  Windows  Adobe Flash  

研究机构预计全球NAND闪存销售额今年增至560亿美元 同比大增27%

  • 据国外媒体报道,研究机构预计,销售额在去年大幅下滑的NAND闪存,在今年将大幅增长,同比增长率将达到27.2%,销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看,在集成电路的33个产品类别中,NAND闪存今年销售额的同比增长率,将是最高的,是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言,NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场,仅次于DRAM,后者的销售额预计为645.55亿美元,较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中,在全球集成电路市场,NAND闪存今年的销售额将占到15.2%,仅次于
  • 关键字: NAND  闪存  

KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

  • 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力,能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷,从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间(包括那些依赖于极端紫外线(EUV)光刻技术的芯片)。eSL10的研发是始于最基本的构架,针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术,可提供高分辨率,高速检测功能,这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示:“利用单一的高能量电子
  • 关键字: DRAM  NAND  

游戏新机上市填补云端需求空缺 三季度NAND Flash价格波动有限

  • 根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查,尽管消费性产品及智能型手机受到疫情冲击导致需求下降,但云端服务、远距教学的需求也同步催生,加上部份客户因担忧供应链中断而提前备货,促使NAND Flash市场在2020年第一季与第二季呈现缺货。整体而言,目前需求以SSD占最大宗,与手机、消费性较相关的eMMC、UFS及wafer市场较为冷却。根据TrendForce分析师叶茂盛指出,当前为NAND Flash第三季议价的关键时刻,初步观察因新款游戏机的年底上市计划不变,首次转进SSD的
  • 关键字: NAND Flash  

三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线

  • 据国外媒体报道,三星电子日前表示,计划投资8万亿韩元(约合人民币466亿元)在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始,预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命,以及5G普及而来的NAND需求。上月,三星电子还透露,已在平泽投资建设生产线,新产线专注于基于极紫外光刻(EUV)技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设,预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示,加上平泽生产线,韩国将拥有7条
  • 关键字: 三星  NAND  闪存  

集邦咨询:数据中心需求大增,NAND Flash营收成长8.3%

  • 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2020年第一季NAND Flash(闪存)位元出货量较前一季大致持平,加上平均销售单价上涨,带动整体产业营收季成长8.3%,达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道,第一季Enterprise SSD仍是供不应求。此外,自年初起,各供应商当时的库存水位多已恢复至正常,也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情,根据集邦咨询当时的调查,服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机,也因此对于数据中心需求
  • 关键字: NAND  三星  intel  

集邦咨询:数据中心需求大增,第一季NAND Flash营收成长8.3%

  • 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,2020年第一季NAND Flash(闪存)位元出货量较前一季大致持平,加上平均销售单价上涨,带动整体产业营收季成长8.3%,达136亿美元。
  • 关键字: 集邦咨询  数据中心  NAND Flash  

武汉新芯50nm高性能SPI NOR Flash产品全线量产

  • 近日,紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”),一家领先的非易失性存储供应商,宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产,产品容量覆盖16Mb到256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作,为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。
  • 关键字: 武汉新芯  SPI NOR Flash  50nm  

英特尔最新发展蓝图:明年或全面转向144层堆叠NAND

  • 处理器龙头英特尔(Intel)近期在快闪存储器的发展上也随着其他各家厂商的脚步,开始有了新的进度。根据外媒报导,英特尔的快闪存储器部门最近公布了发展蓝图,在目前其他各家NAND快闪存储器供应商都已经开始向1xx层堆叠的发展当下,作为主要NAND制造商之一的英特尔也预计在2021年全面转向144层堆叠的产品发展。
  • 关键字: 英特尔  144层  NAND  
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nand flash介绍

 Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。   NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [ 查看详细 ]

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