NAND Flash 2020年新战场暗潮汹涌　各家布局蓄势待发

受到东芝工厂停产及日韩贸易战导致存储器价格将反转契机出现，NAND Flash价格调涨从7月开始显现，而国际大厂之间的技术竞争更是暗潮汹涌。

各家NAND大厂争取资料中心庞大的储存商机，2020年将进入新一波技术对决。

业界认为，随著各家大厂96层3D NAND迈入量产，2019年下半将开始进入新一代制程竞争，三星电子(Samsung Electronics)不仅将量产的第六代3D V NAND(即120/128层)，旗下的Z-NAND将与东芝存储器研发的XL-Flash形成对决，并与英特尔、美光的3D XPoint抢攻资料中心的储存市场大饼。

2019年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)即将于8月在美国登场，各家大厂将纷纷亮出战略性武器展示火力，而即将于2019 年10 月1 日正式改名为Kioxia的东芝存储器展开上市规划。据透露，XL-Flash将成为东芝存储器此次力拱的发表重点，由于具有低延迟的特性，将锁定于资料中心及特殊商用市场。

三星日前于首尔投资人论坛上公布2019年下半~2022年依序量产第六~第八代3D V NAND目标，提前宣告128层NAND Flash前哨战开打，更让业界关注的是，三星Z-NAND技术从2018年开始应用于高阶企业产品上，2019年更积极推动Z-NAND SSD开始大量应用到资料中心。

业界指出，2020年起NAND Flash技术竞争将分为两大趋势，包括从96层技术加快推动至128层NAND，以达成更具竞争力的生产生本，另一方面，各家大厂积极抢攻资料中心及高阶商用产品的动作更为积极，将主打特殊制程的储存级存储器，形成技术对决的新战局。

英特尔将3D XPoint/Optane存储器生产作为抢攻资料中心及服务器市场的重要布局环节，不同于其它NAND业者为了维持产品市占而提高产能，英特尔的3D XPoint作为典型的相变化存储器，其结构是一种交叉点架构，3D XPoint以两层堆叠架构打造，密度为128GB(gigabit)，是介于DRAM和NAND之间的储存存储器，比NAND快速和耐久。

英特尔2018年起开始推出3D XPoint/Optane，以及高容量3D NAND存储器产品上市，作为提高客户端和服务器平台产品市场竞争力，以及形成市场差异化的要素。

英特尔与美光在新一代3D Xpoint产品开发达成分家协议，但美光仍看好，资料中心将受到异质运算比重增加，带动存储器需求也可望增加6倍，内部规划将推出更高容量的3D XPoint存储器目前正与客户进行测试中，主要应用市场将锁定于资料中心，近期也可望对外发布新进展。

业界分析，由于XL-Flash及Z-NAND都归类于低延迟快闪存储器(Low Latency NAND)，作为DRAM 与 SSD 之间的缓存存储器(cache memory)，并主打低延迟、高性能和长寿命，其涵盖的应用面虽然不如3D Xpoint 广泛，但应用至资料中心等特殊领域上，将能发挥更高的成本竞争优势。

供应链认为，尽管2019年下半资料中心的存储器库存水位开始降低，但回升速度并不如预期强劲，主要仍受到短期市场前景不明的影响，但2020年5G技术即将铺天盖地展开，资料中心建置与升级需求将重回成长动能，虽然成长复苏的力道是否如同往年强劲仍有待观察，但储存存储器已成为兵家必争之地。

挟著资料中心布局优势的英特尔已推出3D XPoint/Optane、美光也即将新一代3D XPoint、三星Z-NAND以及SK海力士旗下与英特尔相似的3D XPoint(硫族化合物；chalcogenide)以及东芝存储器开发的XL-Flash等都将重兵部署，2020年将可望在资料中心及高阶商用市场再掀起版图争夺战。