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半导体巨头对high-NA EUV态度分化

  • 据外媒报道，近期，一位匿名英特尔高层提出一种颇具争议的观点：未来晶体管设计，例如GAAFET和CFET架构，可能会降低芯片制造对先进光刻设备的依赖，尤其是对EUV光刻机的需求。这一观点无疑对当前芯片制造技术的核心模式提出了挑战。目前，ASML的极紫外光（EUV）及高数值孔径（high-NA）EUV光刻机在先进制程中扮演关键角色，通过曝光步骤将电路设计转印至晶圆，随后通过沉积和蚀刻工艺形成晶体管结构。然而，该英特尔高层认为，随着GAAFET和CFET等3D晶体管结构的发展，芯片制造将更依赖蚀刻技术，而非单纯
  • 关键字： 半导体  high-NA EUV  

台积电仍在评估ASML的“High-NA”，因为英特尔未来会使用

  • 全球最大的合同芯片制造商台积电制造股份有限公司 （2330.TW） 仍在评估何时将 ASML 的尖端高数值孔径 （NA） 机器用于其未来的工艺节点，一位高管周二表示。芯片制造商正在权衡这些价值近 4 亿美元的机器的速度和精度优势何时会超过芯片制造厂中最昂贵的设备几乎翻倍的价格标签。当被问及台积电是否计划将这台机器用于其即将推出的 A14 和未来节点的增强版本时，Kevin Zhang 表示，该公司尚未找到令人信服的理由。“A14，我所说的增强，在不使用 High-NA 的情况下非常可观。因此，我们的技术团
  • 关键字： 台积电  ASML  “High-NA”  

英特尔：ASML首批两台High-NA EUV设备已投产

  • 据路透社报道，半导体大厂英特尔近日表示，半导体设备大厂阿斯麦（ASML）的首批两台尖端高数值孔径（High NA）光刻机已在其工厂正式投入生产，且早期数据显示，这些设备的性能比之前的机型更可靠。报道称，英特尔资深首席工程师Steve Carson在加利福尼亚州圣何塞举行的一次会议上指出，英特尔已经利用ASML高数值孔径光刻机在一个季度内生产了3万片晶圆，这些晶圆是足以生产数千个计算芯片的大型硅片。2024年，英特尔成为全球第一家接收这些先进设备的芯片制造商，与之前的ASML设备相比，这些机器可望制造出更小
  • 关键字： 英特尔  ASML  High-NA  EUV  

英特尔两台High NA EUV光刻机已投产，单季完成3万片晶圆

  • 据路透社2月24日报道，英特尔资深首席工程师Steve Carson在美国在加利福尼亚州圣何塞举行的一场会议上表示，英特尔已经安装的两台ASML High NA EUV光刻机正在其晶圆厂生产，早期数据表明它们的可靠性大约是上一代光刻机的两倍。Steve Carson指出，新的High NA EUV光刻机能以更少曝光次数完成与早期设备相同的工作，从而节省时间和成本。英特尔工厂的早期结果显示，High NA EUV 机器只需要一次曝光和“个位数”的处理步骤，即可完成早期机器需要三次曝光和约40个处
  • 关键字： 英特尔  High NA EUV  光刻机  晶圆  

英特尔：首批两台High-NA EUV 设备已投产

  • 英特尔24日表示，ASML首批的两台先进曝光机已投产，早期数据显示比之前机型更可靠。英特尔资深首席工程师 Steve Carson 指出，英特尔用ASML 高数值孔径（High NA）曝光机一季内生产 3 万片晶圆，即生产数千颗运算芯片的大型硅片。英特尔去年成为全球第一间接收这些设备的芯片制造商，与之前ASML设备相比，这些机器可望制造出更小、更快的运算芯片。 此举是英特尔策略转变，因英特尔采用上代极紫外光（EUV）曝光机时落后竞争对手。英特尔花了七年才将之前机器全面投产，导致领先优势被台积电超越。 生产
  • 关键字： 英特尔  High-NA  EUV  

imec采用High-NA EUV技术 展示逻辑与DRAM架构

  • 比利时微电子研究中心（imec），在荷兰费尔德霍温与艾司摩尔（ASML）合作建立的高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）微影实验室中，利用数值孔径0.55的极紫外光曝光机，发表了曝光后的图形化组件结构。在单次曝光后，9纳米和5纳米（间距19纳米）的随机逻辑结构、中心间距为30纳米的随机通孔、间距为22纳米的二维特征，以及间距为32纳米的动态随机存取内存（DRAM）专用布局全部成功成形，采用的是由imec与其先进图形化研究计划伙伴所优化的材料和基线制程。透过这些研究成果，imec证实该微影技术的生态系
  • 关键字： imec  High-NA  EUV  DRAM  

价值3.83亿美元！Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机

  • 8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
  • 关键字： Intel  High NA EUV  光刻机  晶圆  8纳米  

ASML第二台High-NA设备，即将导入英特尔奥勒冈厂

  • 英特尔正接收ASML第二台耗资3.5亿欧元（约3.83亿美元）的新High NA EUV设备。根据英特尔8/1财报电话会议纪录，CEO Pat Gelsinger表示，英特尔12月开始接收第一台大型设备，安装时间需要数月，预计可带来新一代更强大的电脑英文。Gelsinger在电话中指出，第二台High NA设备即将进入在奥勒冈州的厂房。由于英特尔财报会议后股价表现不佳，因此这番话并未引起注意。ASML高阶主管7月曾表示，该公司已开始出货第二台High NA设备给一位未具名客户，今年只记录第一台的收入。不过
  • 关键字： ASML  High-NA  英特尔  光刻机  

台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？

  • 5月26日，台积电举办“2024年技术论坛台北站”的活动，台积电CEO魏哲家罕见的没有出席，原因是其秘密前往荷兰访问位于埃因霍温的ASML总部，以及位于德国迪琴根的工业激光专业公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源设备供应商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通过社交媒体透露了魏哲家秘密出访的行踪。Christophe Fouquet表示他们向魏哲家介绍了最新的技术和新产品，包括High-NA EUV设备将如何实现未来
  • 关键字： 台积电  ASML  High-NA  EUV  光刻机  

High-NA EUV光刻机或将成为英特尔的转机

  • 上个月英特尔晶圆代工宣布完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。随后开始在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。
  • 关键字： High-NA  EUV  光刻机  英特尔  芯片  半导体  

High-NA EUV光刻机入场，究竟有多强？

  • 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上历史舞台，进一步提升了光刻的精度和效率，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官网显示，其组装了两个 TWINSCAN EXE:5000 高数值孔径光刻系统。其中一个由 ASM 与 imec 合作开发，将于 2024 年安装在 A
  • 关键字： High-NA EUV  

ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术

  • 3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。根据IT之家之前报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技术 High-NA（高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。
  • 关键字： ASM  NXE:3800E EUV  光刻机  High-NA  

英特尔是否正在垄断ASML HIGH NA光刻机？

英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？

  • 英特尔（intel）近日宣布，已经接收市场首套具有0.55数值孔径（High-NA）的ASML极紫外（EUV）光刻机，预计在未来两到三年内用于 intel 18A 工艺技术之后的制程节点。 相较之下，台积电则采取更加谨慎的策略，业界预计台积电可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才会采用High-NA EUV光刻机。业界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。Hig
  • 关键字： 英特尔  High-NA EUV  台积电  

SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革

  • 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core Tr
  • 关键字： SK海力士  High-k  Metal Gate  
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