台积电率先推出40纳米制程

台积电今（24）日表示，领先专业集成电路制造服务领域推出40纳米制程。此一新世代制程包括提供高效能优势的40纳米泛用型制程（40G）以及提供低耗电量优势的40纳米低耗电制程（40LP）；同时提供完备的40纳米设计服务套件及包括经过制程验证的合作厂商硅智材、设计自动化工具，以及台积公司的电性参数模型（SPICE Model）及核心基础硅智材的完整设计生态环境。而首批客户产品预计于2008年第二季产出。

台积公司40纳米制程重点：
 芯片闸密度（Raw gate density）是65纳米制程的2.35倍，
运作功率（Active power）较45纳米制程减少幅度可达15%，
 创下业界SRAM单位元尺寸及宏尺寸的最小纪录，
 提供泛用型制程及低耗电制程以满足多种不同产品应用，
 已经有数十个客户进行产品设计，
 客户已经频繁使用晶圆共乘服务进行产品验证。

继2007年为客户成功投产45纳米产品后，台积公司又迅速地缔造新的里程碑，率先推出具备更佳竞争优势的40纳米低耗电量及泛用型制程。原本45纳米制程的芯片闸密度是65纳米制程的2倍，经由制造上的创新，40纳米低耗电量及泛用型制程的芯片闸密度更进一步提高，达到65纳米制程的2.35倍。此外，40纳米制程低耗电量制程的芯片运作功率较45纳米制程减少幅度可达15%。

台积公司先进技术行销处资深处长尉济时表示：「芯片设计人员无需更改芯片设计或采用新的设计准则，只要采用台积公司45纳米制程设计流程，便可以直接获得40纳米制程所提供的竞争优势。台积公司的努力是务必使在芯片制造端这一转换过程清楚透明，让芯片设计人员没有后顾之忧，可以专心致力于提升产品的效能。」

40纳米低耗电量制程适用于对晶体管漏电高度敏感的产品应用，例如通讯及行动产品；40纳米泛用型制程则适用于高效能的产品应用，例如中央处理器、绘图处理器、游戏机、网络、可程序化逻辑门阵列（FPGA）以及其它高效能消费型产品应用。40纳米制程是由45纳米制程直接微缩 （Linear shrink），而其SRAM效能则完全相同，单位元面积仅有0.242平方微米，创下目前业界的最小纪录。

除了尺寸及效能的双重优势外，不论是40纳米泛用型制程或是低耗电量制程，都可以搭配混合信号、射频以及嵌入式DRAM制程，以满足多种不同的产品应用。台积公司40纳米制程结合了193纳米浸润式曝影技术以及超低介电系数（Extreme low-k dielectric, ELK）组件连接材料的优势，其逻辑制程可搭配低耗电量三闸级氧化层（Triple gate oxide, LPG）来支持高效能无线及行动产品应用。此外，40纳米泛用型及低耗电量制程皆提供多种不同运作电压以及1.8伏特及2.5伏特的输入/输出电压以满足不同产品的需求。

台积公司今年的40纳米制程晶圆共乘服务预计于四月、六月、八月、十月及十二月推出。目前，第一波客户采用45纳米／40纳米晶圆共乘服务已超过200个共乘座（Shuttle Block）。台积公司将先于晶圆十二厂提供40纳米泛用型及低耗电量制程制造服务，未来会视客户需求再扩展至晶圆十四厂。