新闻中心

EEPW首页 > 物联网与传感器 > 业界动态 > 车载SiC功率半导体前景光明 逆变器大幅实现小型化及低成本化

车载SiC功率半导体前景光明 逆变器大幅实现小型化及低成本化

——
作者:时间:2007-11-06来源:汽车电子设计收藏

  汽车在“ICSCRM 2007”展会第一天的主题演讲中,谈到了对应用于车载的功率的期待。为了在“本世纪10年代”将其嵌入到混合动力车等所采用的马达控制用逆变器中,“希望业界广泛提供合作”。如果能嵌入,将有助于逆变器大幅实现小型化及低成本化。

  在汽车领域的应用是许多厂商瞄准的目标,但多数看法认为,就元器件的成本、性能及可靠性而言,比起在产业设备以及民用设备上配备,在汽车上配备的障碍更大。该公司虽然没有透露计划采用SiC半导体的日期,但表示“到本世纪10年代前期,如果开始在产业设备及民用设备上采用,那么,作为进一步改善了成本及可靠性的下一个应用领域,我们将会考虑在汽车上配备”(滨田),估计将目标定在了2011~2012年以后。

  作为车载设备专用SiC半导体的开发课题,该公司列举了:SiC底板5英寸(约125mm)以上的大口径化,常关(Normally Off)立式晶体管技术,可耐高温环境的封装技术。

  如果将集团企业的研发成果也包括在内,那么,该公司就拥有涉及从SiC半导体晶体生成、到元器件及控制电路技术的多领域技术经验。作为实例,滨田介绍了借助将转移缺陷密度比以前降低3~4位数的“RAF法”制作SiC底板的技术,以及载体移动度高达244cm2/Vs的SiC-MOS FET等的开发成果。不过,“必要的开发工作,单靠本公司一家企业无法完成”,希望得到相关厂商的广泛协助。



评论


相关推荐

技术专区

关闭