微电子工艺专有名词（3）
——
102 LAYOUT 布局 此名词用在IC设计时，是指将设计者根据客户需求所设计之线路，经由CAD（计算机辅助设计），转换成实际制作IC时，所需要之光罩布局，以便去制作光罩。因此此一布局工作，关系到光罩制作出后是和原设计者之要求符何，因此必须根据一定之规则，好比一场游戏一样，必须循一定之规则，才能顺利完成，而布局完成后之图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。
103 LOAD LOCK 传送室 用来隔绝反应室与外界大器直接接触，以确保反应室内之洁净，降低反应是受污染之程度。一般用于电浆蚀刻及金属溅度等具有真空反应室之设备。
104 LOT NUMBER 批号 批号乃是为线上所有材料之身份证，KEY IN批号如同申报流动户口，经由COMAX系统藉以管制追踪每批材料之所在站别，并得以查出每批材料之详细相关资料，固为生产过程中之重要步骤。批号为7，其编排方法如下： X X X X X 年码 流水序号92 0000193 0000294 00003以下类推※批号之产生乃于最投片时由SMS系统自动产生。
105 LPCVD（LOW PRESSURE） 低压化学气相沉积 LPCVD的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition，即低压化学气相沉积。这是一种沉积方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅、复晶硅、二氧化硅及非晶硅等不同材料。
106 LP SINTER 低压烧结 低压烧结（Low Pressure Sinter, LP Sinter），指在低于大气压力下（一般为50 Pa或更地），加热组件。目地在使金属膜内之原子，籍由热运动重新排列，以减少原有之晶格缺陷，形成较佳之金属结晶颗粒以增加膜之品质。由于在低压下热传导之途径主要为辐射（Radiation）而非对流（Convection）或传导（Conduction），因此控温之方式须选以加热线圈为监控温度（Spike Control）而非实际芯片或管内之温度（Profile Control），以避免过热（Over-Shooting）之现象。
107 LPY（LASER PROBE YIELD） 雷射修补前测试良率 针测出能够被雷射修补后，产生出全功能的芯片，比便送入雷射修补机，完成雷射修补的动作。此测试时由全功能芯片一开始就是全功能芯片，须要经过雷射修补前测试，计算出缺陷多寡及位置，以便进行雷射修补，将缺陷较少的芯片修补成全功能芯片。（缺陷超过一定限度时无法修补成全功能芯片）
108 MASK 光罩 MASK原意为面具，而事实上光罩在整个IC制作流程上，所扮演之角色艺有几分神似。光ˋ照主要之用途在于利用光阻制程，将我们所需要之图形一直复印在芯片上，制作很多之IC晶方。而光罩所用只对准机台，也分为1X，5X，10X,MASK（即1:1,5:1,10:1）等，而根据其制作之材质又可分为石英光罩（QUARTY），绿玻璃光罩等。
109 MICRO,MICROMETER,MICRON 微，微米 1.定义：Micro为10-6 1 Micro=10-61 Micrometer =10-6 m=1 Micro=1μm通常我们说1μ即为10-6 m又因为1?=10-8㎝=10-10m（原子大小）故1μ=10，000?约唯一万个原子堆积而成的厚度或长度。
110 MISALIGN 对准不良 1.定义：这层光阻图案和上层【即留在芯片上者】图案叠对不好，超出规格。可依照不同层次的规格决定要不要修改。原因：人为、机台、芯片弯曲、光罩
111 MOS 金氧半导体 1.定义：构成IC的晶体管结构可分为两型－双载子型（bipolar）和MOS型（Metal-Oxide-Semiconductor）。双载子型IC的运算速度较快但电力消耗较大，制造工程也复杂，并不是VLSI的主流，而MOS型是由电厂效应晶体管（FET）集积化而成。先在硅上形成绝缘氧化膜之后，再由它上面的外加电极（金属或复晶硅）加入电场来控制其动作，制程上比较简单，，。也较不耗电，最早成为实用化的是P-MOS，但其动作速度较慢，不久更高速的N-MOS也被采用。一旦进入VLSI的领域之后，NMOS的功率消耗还是太大了于是由P-MOS及 N_MOS组合而成速度更高，电力消耗更少的互补式金氧半导体（CMOS，Complementary MOS）遂成为主流。
112 MPY（MULTI PROBE YIELD） 多功能侦测良率 针测出符合电路特性要求的芯片，以便送刀封包工厂制成内存成品；此测试时得到的良品率称之。每片晶圆上并不是每一个芯片都能符合电路特性的要求，因此须要多功能针测以找出符合要求的芯片。
113 MTBF（MEAN TIME BETWEEN FAILURE） MTBF为设备可靠度的评估标准之一，其意指设备前后发生故障的平均时间。MTBF时间愈短表示设备的可靠度愈佳，另外MTTR为Mean Time to Repair为评估设备修复的能力。
114 N2,NITROGEN 氮气 定义：空气中约4/5是氮气。氮气势一安定之惰性气体，由于取得不难且安定，故Fib内常用以当作Purge管路，除去脏污、保护气氛、传送气体（Carrier Gas）、及稀释（Dilute）用途。另外，氮气在零下196℃（77F）以下即以液态存在，故常被用作真空冷却源。现在Fab内Clean House用之氮气为厂务提供99.999﹪纯度者，生产线路所用之氮气为瓶装更高纯度者。因氮气之用量可局部反应生产成本，故应节约使用以降低成本。
115 N,P TYPE SEMICONDUCTOR N,P型半导体 1. 定义：一般金属由于阻值相当低（10-2Ω－㎝以下），因此称之为良导体，而氧化物阻值高至105Ω－㎝以上，称之非导体或绝缘体。若阻值在10-2～105Ω－㎝之间，则名为半导体。IC工业使用的硅芯片，阻值就是在半导体的范围，但由于Si（硅）是四价键结（共价键）的结构，若参杂有如砷（As）磷（P）等五价元素，且占据硅原子的地位（Substitutional Sites），则多出一个电子，可用来导电，使导电性增加，称之为N型半导体。若参杂硼（B）等三价元素，且仍占据硅原子的地位，则键结少了一个电子，因此其它键结电子在足够的热激发下，可以过来填补，如此连续的电子填补，称之为电洞传导，亦使硅之导电性增加，称之为P型半导体。因此N型半导体中，其主要带电粒子为带负电的电子，而在P型半导体中，则为带正电的电洞。在平衡状况下（室温）不管N型或P型半导体，其电子均与电洞浓度的乘积值不变。故一方浓度增加，另一方即相对减少。
116 NSG（NONDOPED SILICATE GLASS） 无参入杂质硅酸盐玻璃 NSG为半导体集成电路中之绝缘层材料，通常以化学气相沉积的方式声称，具有良好的均匀覆盖特性以及良好的绝缘性质。主要应用于闸极与金属或金属与金属间高低不平的表面产生均匀的覆盖及良好的绝缘，并且有助于后绩平坦化制程薄膜的生成。
117 NUMERICAL APERTURE（N.A.） 数值孔径 1. 定义：NA是投影式对准机，其光学系统之解析力（Resolution）好坏的一项指针。NA值越大，则其解析力也越佳。依照定义，数值孔径 NA=n.sin?=n.D/2/f=n.D/2f换算成照相机光圈值f-number（f/#）可得f/#=f/d=1/2NA（D：镜面直径。f：镜头焦距。n：镜头折射率。f/#即我们在照相机镜头之光圈值上常见的f/16,8,5.6,4,5.3,2.8等即是）亦即，镜片越大，焦距越短者，解析力就越佳，但镜片的制作也就越困难，因为易产生色差（Chromatic Aberration）及像畸变（Distorsion），以CANON Stepper为例，其NA=0.42，换算成照相机光圈,Stepper镜片之昂贵也就不足为奇了。
118 OEB（OXIDE ETCH BACK ） 氧化层平坦化蚀刻 将Poly-1上之多余氧化层（Filling OX）除去，以达到平坦化之目的。
119 OHMIC CONTACT 欧姆接触 1. 定义：欧姆接触试纸金属与半导体之接触，而其接触面之电阻值远小于半导体本身之电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区（Active region）而不在接触面。欲形成好的欧姆接触，有两个先决条件：A.金属与半导体间有低的接口能障（Barrier Height）B.半导体有高浓度的杂质渗入（ND>=1018 ㎝-3）前者可使接口电流中热激发部分（Thermionic Emission）增加；后者则使接口空乏区变窄，电子有更多的机会直接穿透（Tunneling），而同时Rc阻值降低。若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙（Energy Gap）较大的半导体（如GaAs），则较难形成欧姆接触（无适当的金属可用），必须于半导体表面参杂高浓度杂质，形成Metal-n+ -n or Metal-P+ -P等结构。
120 ONO（OXIDE NITRIDE OXIDE） 氧化层-氮化层-氧化层 半导体组件，常以ONO三层结构做为介电质（类似电容器），以储存电荷，使得资料得以在此存取。在此氧化层 - 氮化层 – 氧化层三层结构，其中氧化层与基晶的结合较氮化层好，而氮化层居中，则可阻挡缺陷（如pinhole）的延展，故此三层结构可互补所缺。
121 OPL （OP LIFE）（OPERATION LIFE TEST） 使用期限（寿命） 任何对象从开始使用到失效所花时间为失败时间（Time of Failure: TF），对产品而言，针对其工作使用环境（Operation），所找出的TF，即为其使用期限（Operation Life Time）。其方法为：AF = exp [? (Estress-Eop)] *exp [ Ea / k (1 / Top – / Tstress)]..(1)K = 8.63 * 10-5Failure Rate λ (t) = No. of Failure * 109 / Tatal Test Time * AF * Device, in FITTotal Test Time * AF = Operation Hours
122 OXYGEN 氧气 OXYGEN氧气无色,无气味,无味道双原子气体。在－183℃液化成浅蓝色的液体，在218℃固化。在海平面上，空气中约占20﹪体积的氧，溶于水和乙醚，不可燃，可以助燃。在电浆光阻去除中，氧气主要用来去除光阻用。在电浆干蚀刻中，氧混入CF4气体中，可增加CF4气体的蚀刻速度。目前氧气主要用途在于电浆光阻去除；利用氧气在电浆中产生氧的自由基（RADICAL）与光阻中的有机物反应，产生二氧化碳和水气体蒸发，达到去除光阻的效果。
123 P31 磷
评论