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微电子工艺专有名词(2)

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作者:时间:2007-04-19来源:收藏
51 DRAM , SRAM 动态,静态随机存取内存 随机存取记忆器可分动态及静态两种,主要之差异在于动态随机存取内存(DRAM),在一段时间(一般是0.5ms~5ms)后,资料会消失,故必须在资料未消失前读取元资料再重写(refresh),此为其最大缺点,此外速度较慢也是其缺点,而DRAM之最大好处为,其每一记忆单元(bit)指需一个Transistor(晶体管)加一个Capacitor(电容器),故最省面积,而有最高之密度。而SRAM则有不需重写、速度快之优点,但是密度低,每一记忆单元(bit)有两类:A.需要六个Transistor(晶体管),B.四个Transistor(晶体管)加两个Load resistor(负载电阻)。由于上述之优缺点,DRAM一般皆用在PC(个人计算机)或其它不需高速且记忆容量大之记忆器,而SRAM则用于高速之中大型计算机或其它只需小记忆容量。如监视器(Monitor)、打印机(Printer)等外围控制或工业控制上。
  52 DRIVE IN 驱入 离子植入(ion implantation)虽然能较精确地选择杂质数量,但受限于离子能量,无法将杂质打入芯片较深(um级)的区域,因此需借着原子有从高浓度往低浓度扩散的性质,在相当高的温度去进行,一方面将杂质扩散道教深的区域,且使杂质原子占据硅原子位置,产生所要的电性,另外也可将植入时产生的缺陷消除。此方法称之驱入。在驱入时,常通入一些氧气,因为硅氧化时,会产生一些缺陷,如空洞(Vacancy),这些缺陷会有助于杂质原子的扩散速度。另外,由于驱入世界原子的扩散,因此其方向性是各方均等,甚至有可能从芯片逸出(out-diffusion),这是需要注意的地方。
  53 E-BEAM LITHOGRAPHY 电子束微影技术 目前芯片制作中所使用之对准机,其曝光光源波长约为(365nm~436nm),其可制作线宽约1μ之IC图形。但当需制作更细之图形时,则目前之对准机,受曝光光源波长之限制,而无法达成,因此在次微米之微影技术中,及有用以电子数为曝光光源者,由于电子束波长甚短(~0.1A),故可得甚佳之分辨率,作出更细之IC图型,此种技术即称之电子束微影技术。电子束微影技术,目前已应用于光罩制作上,至于应用于光芯片制作中,则仍在发展中。
  54 EFR(EARLY FAILURE RATE) 早期故障率 Early Failure Rate是产品可靠度指针,意谓IC到客户手中使用其可能发生故障的机率。当DRAM生产测试流程中经过BURN-IN高温高压测试后,体质不佳的产品便被淘汰。为了确定好的产品其考靠度达到要求,所以从母批中取样本做可靠度测试,试验中对产品加高压高温,催使不耐久的产品故障,因而得知产品的可靠度。故障机率与产品生命周期之关系类似浴缸,称为Bathtub Curve.
  55 ELECTROMIGRATION 电子迁移 所谓电子迁移,乃指在电流作用下金属的质量会搬动,此系电子的动量传给带正电之金属离子所造成的。当组件尺寸越缩小时,相对地电流密度则越来越大;当此大电流经过集成电路中之薄金属层时,某些地方之金属离子会堆积起来,而某些地方则有金属空缺情形,如此一来,堆积金属会使邻近之导体短路,而金属空缺则会引起断路。材料搬动主要原动力为晶界扩散。有些方法可增加铝膜导体对电迁移之抗力,例如:与铜形成合金,沉积时加氧等方式。
  56 ELECTRON/HOLE 电子/ 电洞 电子是构成原子的带电粒子,带有一单位的负电荷,环绕在原子核四周形成原子。垫洞是晶体中在原子核间的共享电子,因受热干扰或杂质原子取代,电子离开原有的位置所遗留下来的“空缺”因缺少一个电子,无法维持电中性,可视为带有一单位的正电荷。
  57 ELLIPSOMETER 椭圆测厚仪 将已知波长之射入光分成线性偏极或圆偏极,照射在待射芯片,利用所得之不同椭圆偏极光之强度讯号,以Fourier分析及Fresnel方程式,求得待测芯片模厚度
  58 EM(ELECTRO MIGRATION TEST) 电子迁移可靠度测试 当电流经过金属导线,使金属原子获得能量,沿区块边界(GRAIN Bounderies)扩散(Diffusion),使金属线产生空洞(Void),甚至断裂,形成失效。其对可靠度评估可用电流密度线性模型求出:AF=【J(stress)/J(op)】n


关键词: 工艺 微电子

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