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工艺 文章 进入工艺技术社区

台积电2nm制程工艺取得新进展 2nm竞争赛道进入预热模式

  • 据国外媒体报道,推进3nm制程工艺今年下半年量产的台积电,在更先进的2nm制程工艺的研发方面已取得重大进展,预计在明年年中就将开始风险试产 —— 也就意味着台积电2nm制程工艺距量产又更近了一步。业界估计,台积电2nm试产时间点最快在2024年,并于2025年量产,之后再进入1nm以及后续更新世代的“埃米”制程。台积电去年底正式提出中科扩建厂计划,设厂面积近95公顷,总投资金额达8000亿至10000亿元新台币,初期可创造4500个工作机会。以投资规模及近百公顷设厂土地面积研判,除了规划2nm厂
  • 关键字: 台积电  2nm  制程  工艺  

莫大康:定律可能进入终点倒计时

  • 业界经常议论摩尔定律接近终点,但是由于站立角度不同,看法各异,也很正常。推动半导体业进步有两个“轮子”,分别是尺寸缩小及硅片直径增大,其中尺寸缩小为先。从逻辑工艺制程观察,由1987年的3微米制程到2022年的3纳米量产,平均每2年开发一代新的制程,是逻辑工艺制程激荡的35年。在逻辑工艺的进程中,英特尔曾作出过巨大的贡献,如在2001年发明了称为应变硅(strained silicon)用在90纳米中,及2007年推出了45纳米的HKMG(高k金属栅极),以及于2011年在22纳米时推出了3D Tri-G
  • 关键字: 摩尔定律  芯片  工艺  

2倍于7nm芯片 台积电5nm工艺超级贵:锐龙7000价格要涨?

  •   2022年会有更多的厂商进入5nm节点,除了苹果之外,AMD今年推出的Zen4处理器也会升级台积电5nm,具体产品就是锐龙7000,最快9月份之前就上市了,不过这一代处理器的成本大增,因为5nm代工价格实在是太贵。  根据之前乔治敦大学沃尔什外交学院安全与新兴技术中心(CSET)发布的一篇报告,台积电7nm工艺代工的12英寸晶圆价格要9300美元左右,5nm工艺代工价格则要17000美元左右,3nm工艺将进一步增加到30000美元。  AMD的Zen4升级到了5nm工艺,理论上成本增加将近一倍,而且这
  • 关键字: 台积电  骁龙  芯片  工艺  

逆风飞扬 中芯国际大幅上调Q1营收指引:国产芯片爆发

  • Q1季度本来是电子行业的淡季,再加上新冠病毒的影响,国内外整体需求都在下滑,很多公司都会录得负增长。中芯国际今天突然发布了一个好消息,宣布大幅上调Q1季度营收指引。在之前的Q4季度财报会议中,中芯国际预测Q1季度营收增长0-2%,在淡季中保持增长已属不易。不过他们的实际情况要比预期乐观得多,中芯国际首席财务官高永岗博士今天宣布上调营收指引到增长6-8%,增幅数倍于之前的预期。此外,中芯国际Q1季度的毛利率也会从之前预期的21-23%大幅增长到25-27%,包永岗博士表示,“自从最初公布第一季度收入和毛利率
  • 关键字: 14nm  芯片  中芯国际  工艺  

从3微米到5纳米 一图看台积电成立33年来的工艺演进

  • 1月21日消息,据国外媒体报道,为苹果、华为等公司代工芯片的台积电,近几年在芯片工艺方面走在行业的前列,已连续4年独享苹果的A系列芯片大单,今年预计还会继续。台积电能够连续4年独享苹果的大单,靠的是业界领先的工艺,而台积电也在官网,披露了他们自成立以来的工艺演进。台积电芯片工艺演进图从台积电官网所公布的信息来看,在1987年成立时,他们的芯片工艺是3微米,随后逐步提升,在1990年提升到了1微米;2001年的时候提升到了0.13微米,也就是130纳米;2004年开始采用90纳米工艺;随后是65纳米、45纳
  • 关键字: CPU处理器  工艺  

价值200亿美元 台积电4月份揭秘3nm工艺:与三星关键决战开始

  • 在上周的说法会上,台积电宣布2020年的资本开支是150到160亿美元,其中80%将投向先进产能扩增,包括7nm、5nm及3nm。这次说法会上台积电没有公布3nm工艺的情况,因为他们4月份会有专门的发布会,会公开3nm工艺的详情。台积电的3nm工艺技术最终选择什么路线,对半导体行业来说很重要,因为目前能够深入到3nm节点的就剩下台积电和三星了,其中三星去年就抢先宣布了3nm工艺,明确会放弃FinFET晶体管,转向GAA环绕栅极晶体管技术。具体来说,三星的3nm工艺分为3GAE、3GAP,后者的性能更好,不
  • 关键字: 三星  台积电  工艺  

国产CPU工艺双喜临门 华虹14nm工艺良率已达25%

  • 在先进半导体工艺上,国内最大的晶圆代工厂中芯国际SMIC的14nm工艺已经量产,改进版的 12nm工艺也在导入中,取得了优秀的成绩。考虑到国内半导体工艺上的落后,光指望中芯国际一家也是不行的,上海华虹集团日前透露其14nm FinFET工艺也全线贯通,SRAM良率已达25%。1月12日下午,,华虹集团在无锡新落成的华虹七厂研发大楼召开“开放、创新、合作—华虹集团2020年全球供应商迎新座谈会”,邀请了国内30多家、国外50多家供应商合作伙伴出席,华虹集团高管分享了该公司的最新进展。华虹方面表示,
  • 关键字: CPU处理器  工艺  

Intel 2029年上1.4nm工艺?非官方路线图

  • Intel的制程工艺一直备受关注。今天早些时候,荷兰光刻机巨头ASML(阿斯麦)放出一张路线图,赫然罗列了Intel 7nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm等工艺节点,尤其是最后这个将在2029年上马的1.4nm非常意外,是我们第一次看到非整数工艺节点。就此消息,快科技收到了Intel官方的澄清声明。原来,这张路线图并非完全来自Intel官方,而是ASML CEO Martin van den Brink拿了此前Intel 9月份公布的一张制程工艺更新PPT修改而来,自行添加了原来没有的几个工艺名称,
  • 关键字: 英特尔  CPU处理器  工艺  阿斯麦  

格芯收购Smartcom的PDK工程团队以扩充全球设计实现能力

  • 近日,全球领先的特殊工艺半导体代工厂格芯(GF®)今日宣布从位于保加利亚索菲亚的Smartcom Bulgaria AD手中收购PDK(工艺设计套件)工程团队。新收购的团队将扩大格芯的规模和能力,增强格芯在专业应用解决方案方面的竞争力,提高成长潜力和价值创造能力。PDK(工艺设计套件)是一家公司集成电路(IC)设计与晶圆厂(制造客户芯片产品)之间的关键接口。自2015年以来,Smartcom一直在为格芯的PDK开发和质量保证提供支持,涵盖从350nm至12nm的平台技术。根据收购条款,格芯将收购Smart
  • 关键字: 工艺  接口  

美光内存路线图:10nm级工艺多达六种 单条64GB马上来

  • 不同于CPU处理器等逻辑芯片的制造工艺都精确到具体数值,闪存、内存工艺一直都是很模糊的叫法,比如10nm-class(10nm级别),只是介于20nm和10nm之间,然后又分为1xnm、1ynm、1znm等不同版本,越来越先进,越来越接近真正的10nm。
  • 关键字: 美光  内存  10nm  工艺  

全球第一家!台积电官宣2nm工艺:2024年投产

  • 这几年,虽然摩尔定律基本失效或者说越来越迟缓,但是在半导体工艺上,几大巨头却是杀得兴起。Intel终于进入10nm工艺时代并将在后年转入7nm,台积电、三星则纷纷完成了7nm工艺的布局并奔向5nm、3nm。
  • 关键字: 台积电  工艺  2nm  

国内公司冲击最尖端半导体工艺 10/7nm进度喜人

  • 国内最大的晶圆代工厂中芯国际今天下午发布Q1季度财报,营收6.7亿美元,同比下滑19.5%,净利润1227万美元,同比下滑58%,不过中芯国际表示FinFET工艺研发进展顺利,12nm工艺进入客户导入阶段,下一代FinFET工艺研发进度喜人——虽然没有明确下一代工艺具体是什么,但中芯国际的表态意味着国产10nm或者7nm工艺研发进度还是很不错的。
  • 关键字: 中芯国际  7nm  工艺  

7nm+/6nm/5nm随便选 AMD面临幸福的烦恼

  • 曾经,先进的制造工艺是Intel狠狠压制AMD乃至整个半导体行业的绝对大杀器,但现在完全反了过来。Intel 14nm工艺遭遇前所未有危机,至今未能量产,而台积电、三星一路狂奔,10nm、7nm、5nm相继上马。虽然不同家的工艺技术不能完全看一个单纯的数字,但不得不承认Intel确实被越甩越远。  GlobalFoundries放弃7nm、5nm先进工艺研发后,AMD转向了台积电,这次算是傍上了大树,接下来的从桌面到服务器再到笔记本,从处理器到显卡,统统都是台积电7nm。  7nm之后,台积电更是还有7n
  • 关键字: AMD  TSMC  工艺  

芯片设计企业该如何选择适合的工艺?

  •   如何向芯片设计企业推荐最合适的工艺,芯片设计企业应该怎么权衡?不久前,在珠海举行的“2018中国集成电路设计业年会(ICCAD)”期间, 芯原微电子、Cadence南京子公司南京凯鼎电子科技有限公司、UMC(和舰)公司分别介绍了他们的看法。  图 从左至右:Cadence南京子公司南京凯鼎电子科技有限公司总裁王琦博士、芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民博士、UMC(和舰)公司副总经理林伟圣  先进工艺选择的考量  芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民博士称,28 nm以前一切是很好的、没有争
  • 关键字: 芯片  工艺  

华虹第二代0.18微米5V/40V BCD工艺量产

  •    特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产,该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势,对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。    第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V,其导通电阻低至 20 mOhm.mm2,达到该节点领先工艺水平,可提高产品的驱动能力,减小芯片面积,扩大高压管安全工作区(Safe-Operation-A
  • 关键字: 0.18  BCD  工艺  
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