HBM4争霸战开打 美光领跑

生成式AI持续爆发，推升高带宽记忆体（HBM）需求急遽攀升。 全球三大内存厂—美光、SK海力士与三星电子全面投入HBM4战局，争抢AI加速器内存主导权。 其中，美光抢先宣布送样，技术领先态势明显。

美光12日宣布，已将最新12层堆叠、容量达36GB的HBM4，送样给多家全球客户。 该产品采用先进的1β DRAM制程，搭配2048位宽高速接口，单堆叠传输速率突破2.0 TB/s，效能较前一代HBM3E提升超过60%，能源效率亦提升逾20%，预计2026年正式量产。

美光指出，HBM4具备内存内建自我测试（MBIST）功能，可大幅强化AI加速器的推论效能与反应速度，协助加速AI在医疗、金融、交通等领域的应用部署，为下一代AI平台提供无缝整合解决方案。

在竞争态势方面，SK海力士仍稳居全球HBM市占率龙头。 其HBM4目前正处于验证阶段，预计2025年底完成样品交付，并且于2026年初投入量产。 SK海力士目前为英伟达（NVIDIA）主要存储器供应商，并且扩建M16封装产线，以巩固在HBM市场的主导地位。

三星电子亦不落人后，透过整合旗下晶圆代工与先进封装（SAINT）技术，推动HBM4与SoC深度整合，目前已提供HBM4工程样品予部分合作伙伴，并预定于2026年展开量产。 业界认为，三星的垂直整合策略，将成为挑战现有市场格局的重要变量。

虽然HBM核心技术掌握在美、韩大厂手中，但中国台湾供应链在封装、测试、载板与半导体IP等领域，扮演不可或缺的角色。

目前台积电提供CoWoS、SoIC等先进封装技术，支持HBM与AI芯片的高效整合; 日月光、矽品与力成则承担中后段封装与测试任务，有助提升良率与产能。

载板三雄欣兴、南电与景硕提供HBM4所需的高阶ABF载板，支撑高速传输与高密度堆叠结构。 此外，力旺、智原、创意等中国台湾半导体IP设计业者，亦可能因应HBM与AI SoC整合需求上升而受惠。

业者认为，HBM4已成为下一世代AI运算架构的核心记忆体，中国台湾供应链企业站稳全球价值链中枢，势将随着HBM4与AI加速器的快速成长，迎来新一波产业升级与技术黄金期。