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争夺ASML最强EUV设备败北,台积电下一步怎么走?

作者:时间:2024-01-26来源:半导体产业纵横收藏

英特尔冲刺晶圆代工事业,已成为 首台最新型 High-NA EUV(高数值孔径极紫外光光刻系统)的买家,预计 2025 年用这款设备生产先进制程芯片,则按兵不动。如何保持制程技术领先地位,引发关注。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202401/455124.htm

据 Tom's Hardware 报道,英特尔已收到 第一台最新型高数值孔径 EUV 光刻机,英特尔在接下来几年,打算将此系统部署到 18A(即 1.8nm)后的制程节点,据悉,这种最先进的 EUV 设备,将被运往英特尔位于俄勒冈州的 D1X 工厂。英特尔和 发言人没有对该系统的目的地发表评论。

目前,EUV 光刻机可以支持芯片制造商将芯片工艺推进到 3nm 左右,但芯片制造商如果要继续推进到 2nm,甚至更小的尺寸,就需要更高数值孔径的 High-NA 曝光机。相较于目前的 0.33 数值孔径的 EUV 光刻机,High-NA EUV 光刻机将数值孔径提升到 0.55,可进一步提升分辨率。根据瑞利公式,NA 越大,分辨率越高。

之前,英特尔购买了 ASML 的 EUV 设备 Twinscan EXE:5000,英特尔正在使用它来学习如何更好地使用 High-NA EUV 设备,并用于 18A 制程工艺技术研发,获得了宝贵的经验,该公司计划从 2025 年开始使用 Twinscan EXE:5200 量产 18A 制程芯片。

配备 0.55 NA 镜头的 High-NA EUV 光刻设备可实现 8nm 的分辨率,与配备 0.33 NA 镜头的标准 EUV 相比,进步显着,该镜头提供 13nm 分辨率。预计高数值孔径技术将在后 2nm 级工艺技术中发挥至关重要的作用,这些技术要么需要使用低数值孔径 EUV 双重图案化,要么需要使用高数值孔径 EUV 单图案化。

相比之下,并不急于在短期内采用高数值孔径 EUV,华兴资本董事总经理吴思浩(SzeHo Ng)说,台积电可能需要数年时间才能在 2030 年或以后赶上这一潮流。

SemiAnalysis 和华兴资本分析师指出,台积电暂时不会跟进采用这项技术,主因在于,使用高数值孔径 EUV 的成本,可能比使用 Low-NA EUV 还高,至少在初期是这样,尽管低成本的代价是生产出来的晶体管密度较低。

台积电 2019 年开始使用 EUV 光刻工具大量生产芯片,比三星晚几个月,但比英特尔早几年,推测英特尔想透过高数值孔径 EUV,领先于三星代工和台积电,这可以确保一些战术和战略利益。唯一的问题是,如果台积电在 2030 年或以后(即比英特尔晚 4~5 年),才开始采用高数值孔径光刻技术,是否还能维持制程技术的领先地位?

根据 ASML 介绍,最新型高数值孔径 EUV 光刻机的造价成本超过 3 亿美元,可以满足一线芯片制造商的需求,在未来十年内能够制造出更小、更好的芯片。

ASML 新 CEO 将访台积电

近日,ASML 候任 CEO 富凯(Christophe Fouquet)将率公司高层访台,供应链传出其将拜访台积电和相关供应链厂商,讨论新一代 EUV 设备。

ASML 管理层亲访台积电,是否是为新型 High-NA EUV 订单,台积电尚未证实,然而,台积电将多方尝试各种可能,包含在先进封装领域之投注。

法人指出,High-NA EUV 造价成本超过 3 亿美元,按成本效益权衡,台积电暂不急于采用,由于该公司美国建厂迫在眉睫,估计未来资本支出将大幅往海外扩厂倾斜。

富凯 2008 年加入 ASML,历任多项管理职位,现为 ASML 执行副总裁兼商务长,今年 4 月将接替 CEO 温彼得(Peter Wennink)。如何维持 ASML 市场领导地位,同时在美中关系紧张之际维持销售成绩,成富凯接任后的最大挑战。温彼得任期届满后将退休,自 2013 年 7 月担任 CEO 以来,公司营收增长 4 倍、股价飙涨 10 倍,并在任内进行 4 次收购,也让 ASML 称霸光刻设备市场。

英特尔明年将购买 10 台 High-NA EUV 中的 6 台

根据 TrendForce 集邦咨询的一份报告,英特尔将在 2024 年获得 ASML 的大部分 0.55 数值孔径 EUV 光刻机。

据悉,2024 年,ASML 将生产 10 台 High-NA EUV(Twinscan EXE:5200 扫描仪,英特尔将获得其中的 6 台,将在 2025 年及以后用于使用 18A 或其它制程工艺的芯片生产。

Twinscan EXE 的使用可能会对公司的生产周期产生积极影响,尽管很难说这是否会对英特尔的成本产生积极影响,因为这些机器将比 Twinscan NXE:3600D 或 NXE:3800E 贵得多(有人说在 3 亿~4 亿美元之间),后者已经超过 2 亿美元。此外,由于高数值孔径光刻设备的光罩尺寸小两倍,因此它们的使用方式将与我们在典型 EUV 机器上看到的不同。

在高数值孔径学习方面,英特尔将领先于其竞争对手,这将为其带来多项优势。具体来说,由于英特尔很可能是第一家使用高数值孔径工具启动大批量生产的公司,因此晶圆厂工具生态系统将不可避免地遵循其要求。上述要求可能会转化为行业标准,这可能会使英特尔比台积电和三星更具优势。

但英特尔的竞争对手也在寻求获得高数值孔径 EUV。三星电子副董事长兼设备解决方案部门负责人 Kyung Kye-hyun 本周表示,该公司与 ASML 就采购高数值孔径 EUV 达成协议。

「三星已经确保了高数值孔径设备技术的优先权,」Kyung Kye-hyun 说:「我相信,从长远来看,我们创造了一个机会,可以优化高数值孔径技术在 DRAM 存储芯片和逻辑芯片生产中的使用。」



关键词: ASML 台积电

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