存储芯片，果真回暖了

受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片的价格在 2022 年最后两个季度均出现暴跌。

根据 TrendForce 的最新数据显示，DRAM 的平均价格继 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅扩大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均价跌幅收敛至 13%～18%，Q2 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。

与 DRAM 市况相似，NAND 闪存的市场需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 价格跌幅均超过 20%，今年 Q1 NAND Flash 均价跌幅收敛至 10％-15％，Q2 NAND Flash 均价续跌 10%～15%。

可以看到，今年 Q1、Q2 存储市场的跌幅正在逐渐放缓。众所周知，存储价格具有很强的周期性，在这一轮市场下滑到底部后，伴随着经济和需求面的改善，存储市场复苏迹象正在出现并日益明显。

9 月，市场回暖迹象愈发明显

根据 TrendForce 统计数据显示，今年 Q3 预估 DRAM 均价跌幅收敛至 0~5%。NAND Flash 均价跌幅收敛至 3～8％。跌幅的收敛得益于三星、美光科技、SK 海力士、西部数据、铠侠等一众厂商的减产策略。如今存储市场的供需关系正在加速回归平衡。

三井住友信托银行的山上隼人以三星电子、SK 海力士、美光等厂商的存货资产等为依据，计算出「库存周转天数」，在 2023 年 4-6 月时平均为 151 天、较近期最高纪录的 2022 年 10-12 月（158 天、过去 10 年来最长）缩短 4%。因销售出现改善，市场也传出「DRAM 价格应该不会再往下跌」的声音。

同时在市场的现货价格上，也不断有好消息传来。从 2023 年 4 月，存储芯片的现货报价跌幅开始收敛，6 月有市场消息称，存储芯片三巨头集体酝酿涨价，目标涨幅最高 8％，8 月，指标性产品 8GB DDR4 价格为每块 1.48 美元左右，已是连续第四个月环比持平。

存储芯片在经过史上最长的库存调整期后，近期属合约市场下游的厂商，已被原厂通知第四季度合约价要调涨，比如据《韩国经济日报》引述业界消息报道称，日前三星已与小米、OPPO、谷歌等智能手机品牌客户签署了 DRAM 和 NAND Flash 芯片供应协议，价格比现有的合约价高出了 10%～20%。上游涨价合约价格信息的调整带动，这一波涨价由 8-9 月现货市场开始反弹。

存储产品全线涨价

首先看 DRAM。在供应端，自今年年初起，三大 DRAM 龙头陆续启动减产措施，以因应市场需求不振，且进入下半年后，业界再度传出三星将再度减产，且累计各大 DRAM 厂的减产后，将可望让第四季度的 DRAM 市场供给量再比第三季减少两成。早在今年 4 月，美光消费零部件相关部门就正式向经销商发出通知称，自 5 月起，DRAM 及 NAND Flash 将不再接受低于现阶段行情的询价——换言之，美光认为现阶段价格已是最低行情，不再响应降价要求。

在需求端，PC、智能手机等终端电子装置搭载容量都呈现大幅成长趋势，这也成为下半年有效去化库存的关键。

在三大 DRAM 原厂的市场供给量持续减少，以及终端电子装置搭载容量年成长五成情况下，下半年 DRAM 价格也有望迎来上涨。业内预计，DRAM 将于今年四季度开始上涨，标志着新一轮增长周期的开始。并且，DRAM 价格上涨不仅是由于减产和库存清仓等因素，还与人工智能市场有关。

再看 NAND。本月韩媒 Business Korea 报道，三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。

自今年年初以来，三星一直采取减产措施，晶圆产量大幅下降了 40%。只是最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，但随着下半年开始，三星着手大幅削减 NAND Flash 业务产量。当前，三星正试图推动 NAND 价格正常化，以实现公司的盈利目标。在三星的减产战略下，DRAM 领域已出现价格反弹，而 NAND 产品仍存在突破空间。三星的目标是进一步扩大减产规模，以降低供应量，并逐步提高产品价格，从而实现公司的反转目标。

美光也宣布将自 9 月起提高 NAND Flash 晶圆合约价约 10%，这一举措被认为有望改善美光下半年的盈利状况。不仅如此，随后，SK 海力士、西部数据、铠侠等厂商也纷纷跟进，将价格上调了约 10%。为了确保此次涨价取得预期效果，三星、美光甚至内部下达了一个明确的指令：绝不亏本卖 NAND 芯片，必须盈利才能出货。

在国内存储市场，涨价行情也正自上而下传导，据中国闪存市场信息显示，由于 NAND 晶圆颗粒的价格上涨，以及贸易商出货报价抬高的影响，国产 SSD、eMMC/UFS、卡和 U 盘等成品端现货价格全线走高。

其中 SSD 成本价格大概已上涨 20% 左右，国产二三线 SSD 品牌厂家近期已经陆续开始执行涨价。有些品牌在 8 月底已小涨，有的品牌已从 9 月份开始执行涨价，首次成本价格上涨预计约达到 10% 左右，整体上涨幅度可以达到 15% 以上。预计多数品牌可能选择几轮的涨价策略陆续执行，主要看市场需求以及终端的接受度而定，如果市场需求过差持续上涨可能受阻。

国内不少存储模组大厂最近已经向客户宣布暂停低价接单。从 9 月 12 日最新情况来看，上游方面，1Tb/512Gb TLC NAND Flash Wafer 连续数周调涨，当周上涨至 3.35/1.65 美元；而在 DDR 方面，DDR4 16Gb/4Gb eTT 价格分别上涨 2.38%/5.88%；在渠道市场，SSD 和内存条价格也出现普涨行情。

三星、铠侠、SK 海力士等上游 NAND Flash 原厂开始拉高晶圆合约价，由于下游系统模组厂手中库存低于正常季节水准，引发终端抢货，消费性 SSD、存储卡，手机相关零组件如 eMMC、eMCP 价格全面走扬。供应链传出，目前平均涨幅约在个位数左右，由于部分存储产品库存水位相对较低，因此四季度涨幅有望上看双位数。

五大厂商 8、9 月最新营收，多家创新高

历经原厂陆续减产后，已有多家存储厂商在最近两个月的营收出现了环比增长的迹象，预示着需求正在缓慢回升。

南亚科：8 月营收 25.75 亿新台币，较 2022 年同期减少 24.69%，较 7 月增加 5.65%，为九个月来新纪录；9 月营收为 27.24 亿元新台币，月增 5.8%，年减 15.03%，业绩再创新高。

群联电子：8 月营收 39.90 亿新台币，环比增长 17.56%；9 月营收为 50.04 亿元新台币，月增 25.38%，年增 4.05%，重返 50 亿元新台币大关，创 14 个月新高。群联电子表示 8 月 SSD 模组出货量已逐渐回温，其中 PCle SSD 模组同比增长约 60%，整体 NAND 位元数同比增长近 50%。部分 NAND 控制芯片开始出现客户端库存不足的状况。随后在 9 月份 SSD 模组出货量持续出现逐渐回温状况。其中，PCIe SSD 模组出货量成长更是将近 60%，而整体 NAND 储存位元数的年成长率（BitGrowth Rate）也超过 75%。

华邦电子：8 月营收 64.24 亿新台币，环比增长 1.74%；9 月营收为 67.66 亿元新台币，月增 5.32%，年减 7.96%。华邦电子表示 8 月 DRAM 市场略有回温。

旺宏：8 月营收 26.01 亿新台币，环比增长 19.23%；9 月营收为 25.01 亿元新台币，月减 3.8%，年减 39.6%。旺宏表示 2023 年下半年汽车 NOR Flash 有望逐季回升。

威刚：8 月营收 29.71 亿新台币，环比增长 30.40%，创近 11 个月单月新高。9 月业绩暂未公布。不过威刚指出，其 8 月 DRAM 模组营收较上个月大幅成长五成，不仅一举超过 14 亿元，也达到 2022 年 5 月以来单月新高，占整体营收比重则拉高至 47.57%。SSD 单月营收同步回升至 9.98 亿元，月增 19.89%，营收比重为 33.6%；闪存卡、U 盘及其他产品占比 18.83%。

10 月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过，2024 年下半年更可能出现短缺。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND 及 DRAM 近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。

眼看市场回暖在即，2024 年存储市场的发展趋势将会如何？

2024 年，中国市场 DRAM、NAND 芯片供应将出现短缺

近日，三星电子对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明，各领域客户的存储库存调整已接近完成，半导体行业将从 2024 年起全面反弹。三星预计从 2024 年开始将会有部分地区的 DRAM 和 NAND Flash 供应出现短缺，特别是在中国市场。

三星的一位高级管理人员提到，越来越多的半导体公司已经完成库存调整，特别是在与最大客户苹果公司成功进行价格谈判之后。预计 NAND 业务的亏损将大幅减少。

在服务器 DRAM 业务方面，针对北美大客户的半导体库存调整也进入最后阶段。数据中心运营商为了应对人工智能需求，正在扩大基础设施投资。

那么未来存储市场的需求驱动力又有哪些？

未来哪些存储芯片将变得更加火热？

据华经产业研究院统计，智能手机对 DRAM 和 NAND 的需求量均接近 40%。此外，服务器和 PC 对 DRAM 的需求分别达到 34% 和 13%。

手机：对大容量 LPDDR、3D NAND 组件等需求越来越大。

国内智能手机市场正掀起一场大内存普及战役。过去一两年，低端手机 NAND Flash 容量由 32GB 逐渐升至 64GB；中端手机已经逐渐取消 RAM 8GB 和 ROM 128GB 容量配置，完全普及 256GB；支持 RAM 12/16/18GB 和 ROM 512GB/1TB 容量的机型越来越多，并逐渐向中低端渗透。反映到全球存储容量规模上，2022 年全球 NAND Flash 容量增长 6% 至 6100 亿 GB，全球 DRAM 容量将增长 2% 至 1900 亿 GB。可以见得，未来对大容量 LPDDR、3D NAND 组件等需求会越来越大。

PC：DDR5/LPDDR5 渗透率提高，512GB SSD 成为主流。

PC 及平板电脑的出货量大涨，对于 DDR 内存的需求也显著增大，DDR5 已经开始被推向市场的风口。英特尔及 AMD 均已发布支持 DDR5 的处理器，AMD 在 2022 年 8 月发布其锐龙 7000 系列处理器，首发包括 R9 7950X、R9 7900X、R7 7700X、R7 7600X 四个型号，已在 9 月 27 日正式上市，7000 系列处理器全面支持 DDR5，且不再支持 DDR4 内存，足以看出 AMD 对于未来搭载 DDR5 内存平台的信心。

另外在 PC 领域，固态硬盘已经完全取代了机械硬盘，目前笔记本电脑中配备 512GB SSD 成为主流，搭载 1TB/2TB 的 SSD 的 PC 也在逐渐增多。

AI 服务器：DDR5 渗透率快速增长，HBM 需求激增。

服务器需求的增长正在成为存储芯片市场的新能动，超大规模数据中心的高性能服务器更是离不开 DDR5 的加持，叠加 AI 效应的持续发酵，HBM 产品需求暴增。据悉，2023 年开年后三星、SK 海力士两家存储大厂 HBM 订单快速增加，价格也水涨船高，近期 HBM3 规格 DRAM 价格已上涨 5 倍。

根据 TrendForce，目前高端 AI 服务器 GPU 搭载 HBM 已成主流，预估 2023 年全球 HBM 需求容量将达 2.9 亿 GB，同比增长近 60%。TrendForce 测算，2023 年 HBM 市场规模预计为 31.6 亿美金，到 2025 年市场规模有望突破 100 亿美金。

从目前各原厂规划来看，TrendForce 预估 2024 年 HBM 供给位元量将同比增长 105%。

汽车等新兴领域驱动存储市场增长。

随着智能汽车的不断发展也给主流和利基型存储带来新的增长点。据悉，全自动驾驶车辆所需的 DRAM、NAND 将分别是传统汽车的 30 倍与 100 倍。另外在物联网、可穿戴设备、云计算、大数据和安防电子等新兴领域的技术发展将持续引领市场增长。

在经历了一年的价格波动之后，存储芯片市场终于开始走向回暖。结合几大原厂最新财报数据及市场动态显示，库存调整有所成效，预计存储芯片行业有望最晚在 2024 年步入量价齐升的上行通道。