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台积电推出性能增强版的7nm和5nm制造工艺

作者:王隼 时间:2019-08-01来源:中关村在线收藏

近日外媒消息,已经悄然推出了 深紫外(N7 / DUV)和 极紫外(N5 / EUV)制造工艺的性能增强版本。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201908/403303.htm

台积电宣布推出性能增强的7nm和5nm制造工艺
推出性能增强的制造工艺

其N7P 和 N5P 技术,专为那些需要运行更快、消耗更少电量的客户而设计。尽管 N7P 与 N7 的设计规则相同,但新工艺优化了前端(FEOL)和中端(MOL)制程,可在同等功率下将性能提升 7%、或在同频下降低 10% 的功耗。

在日本举办的 2019 VLSI 研讨会上,透露了哪些客户已经可以用上新工艺,但该公司似乎并没有广而告之的想法。

N7P 采用经过验证的深紫外(DUV)光刻技术,与 N7 相比,它没有增加晶体管的密度。

有些需要高出约 18~20% 晶体管密度的 TSMC 客户,预计需要使用台积电的 N7+ 和 N6 工艺,后者使用极紫外(EUV)光刻技术进行多层处理。

尽管 N7 和 N6 都是未来几年的“长”节点,但台积电会在下一个 N5 节点带来显著的密度、功耗和性能改进。

N5 之后也会迎来一个叫做 N5P 的增强版本,辅以 FEOL 和 MOL 优化,以便让芯片在相同功率下提升 7% 的性能、或在同频下降低 15% 的功耗。

(文中图片来自互联网)




关键词: 台积电 7nm 5nm

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